掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究

人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (3): 218-223.

掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究

刘峰松;顾牡;姚明珍;梁玲

同济大学物理系,上海,200092

出版日期:2003-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(19774043);教育部优秀青年教师资助计划(教人司(2002)123);上海市教委资助项目;上海市教委"曙光计划"(02SG19);国家青年教师科研项目(01QN18)

Theoretical Study on Defects of Nb5+∶PbWO4 Crystal

Online:2003-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量,并运用过渡态方法计算了其激发能.通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布,发现与VO相关的F+心是晶体掺Nb的主要补偿机制.(NbO3+F+)2-缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低.计算结果表明VO有关的F+的存在是有效消除晶体中350nm吸收的主要原因.而F+→W5d轨道的跃迁能量为2.8eV,对应晶体中420nm吸收.

中图分类号:

O731

刘峰松;顾牡;姚明珍;梁玲. 掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(3): 218-223.

[1]	兰飞飞, 刘莎莎, 房诗舒, 王英民, 程红娟. 金刚石基GaN界面热阻控制研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(6): 913-921.
[2]	周振翔, 陈宁, 李丹, 石爽爽, 倪代秦, 陈建荣, 黄存新, 李荣臻, 魏华阳. 物理气相传输法合成AlN单晶性能表征[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(12): 2196-2202.
[3]	石自彬;李和新;龙勇;丁雨憧. 大尺寸Y方向钽酸镓镧压电晶体生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1044-1047.
[4]	蔡莉莉;冯翠菊. Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(1): 108-112.
[5]	姜威;刘廷禹;孙颖;孙羽. LaBr3晶体本征点缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(8): 2074-2078.
[6]	徐青松;方云团;周骏. 基于旋磁材料一维光子晶体单向传输[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 1131-1137.
[7]	刘航;介万奇;徐亚东;杨睿. In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1023-1028.
[8]	孙保民;曹为华;郭永红;王阳. 火焰热解法生长定向碳纳米管[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1773-1778.
[9]	舒海生;董立强;李世丹;刘伟;林航. 布拉格型声子晶体弦的横向振动带隙研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1918-1923.
[10]	冯孝燕;王琤;赵波;徐芳华;高杰. 交变磁场中硅熔液的电磁力有限元分析[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(8): 1702-1706.
[11]	黄育红;介万奇;徐凌燕;骆娟宁. ZnS(Se,Te)的电子、弹性和光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(6): 1046-1053.
[12]	翟小林;王英龙;丁学成;邓泽超;褚立志;傅广生. 混合环境气体配比对纳米硅晶粒角度分布的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 670-674.
[13]	张小超;樊彩梅;丁永波;梁镇海;韩培德. Al-N共掺杂ZnO的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(6): 1518-1523.
[14]	应杏娟;张兴德;郝志武. 第一性原理研究氧化锌晶体的电子结构和光学性质[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(4): 784-788.
[15]	刘峰松;顾牡;张睿. 钨酸铋钠晶体电子结构的理论模拟[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(1): 7-11.

掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究

Theoretical Study on Defects of Nb5+∶PbWO4 Crystal

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