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人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (3): 224-227.

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合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

刘振刚;于美燕;白玉俊;郝霄鹏;王琪珑;于乃森;崔得良   

  1. 山东大学化学与化工学院,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 出版日期:2003-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(90101016,90206043);国家高技术研究发展计划(863计划);教育部高校骨干教师资助计划;山东省科技攻关项目

Key Factors in Preparation of GaP Nanocrystals

  • Online:2003-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85;)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

关键词: 磷化镓;纳米晶;纳米棒;X射线衍射;关键因素

中图分类号: