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人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (3): 247-251.

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Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤性能的研究

周玉祥;周德瑞;徐朝鹏;王锐   

  1. 哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学光电信息中心,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学应用化学??哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学光电信息中心,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学电子科学与技术系,哈尔滨,150001
  • 出版日期:2003-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(863 2001AA31304);国家重点基础研究发展计划(973计划)(973 G19990330);黑龙江省科学技术计划(A01-03)

Study on Photodamage Resistance Ability of LiNbO3 Crystals Co-doped with Zn and In Ions

  • Online:2003-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 在LiNbO3中掺进ZnO和In2O3以Czochralski技术生长Zn∶In∶LiNbO3晶体.采用光斑畸变法测试Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力.Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高二个数量级.测试晶体的红外光谱,Zn∶In∶LiNbO3晶体吸收峰的位置相对LiNbO3晶体发生紫移,且随着Zn2+和In3+浓度增加紫移程度增加.晶体的倍频性能(相位匹配温度和倍频转换效率)研究表明:Zn∶In∶LiNbO3晶体相位匹配温度在室温附近.并研究了Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤机理和OH-吸收峰紫移的机理.

关键词: Zn∶In∶LiNbO3晶体;光损伤;倍频性能

中图分类号: