类石墨氮化碳薄膜的电化学沉积

人工晶体学报 ›› 2003, Vol. 32 ›› Issue (3): 252-256.

类石墨氮化碳薄膜的电化学沉积

李超;曹传宝;朱鹤孙;吕强;张加涛;项顼

北京理工大学材料科学研究中心,北京,100081;郑州轻工业学院化学工程系,郑州,450002;北京理工大学材料科学研究中心,北京,100081

出版日期:2003-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(20171007);高等学校博士学科点专项科研项目(1999000718)

Electrodeposition of Graphite-like Carbon Nitride Thin Films

Online:2003-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用1:1.5的三聚氯氰和三聚氰胺的饱和乙腈溶液为沉积液,在Si(100)衬底上室温常压下电化学沉积了CNx薄膜.用X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶转换红外光谱(FTIR)、X射线衍射图谱(XRD)对沉积的CNx薄膜进行了测试和分析.XRD的衍射峰的结构数据与文献计算的类石墨相氮化碳的结构数据较为吻合.XPS结果表明沉积的薄膜中主要元素为C、N,且N/C=0.81,C1s和N1s的结合能谱中287.84eV的碳和400.00eV的氮是样品中碳氮的主体,以C3N3杂环的形式存在.FTIR光谱中在800cm-1、1310cm-1和1610cm-1的吸收峰也表明薄膜中存在C3N3环,和XPS能谱的分析结果一致.Teter和Hemley预言的g-C3N4在结构形式上和三聚氰胺的完美脱胺缩聚物是一样的,红外光谱和X射线光电子能谱表明在样品中存在三嗪环(C3N3),支持XRD的实验结果.这说明CNx薄膜中有类石墨相的C3N4晶体存在.

中图分类号:

O484

李超;曹传宝;朱鹤孙;吕强;张加涛;项顼. 类石墨氮化碳薄膜的电化学沉积[J]. 人工晶体学报, 2003, 32(3): 252-256.

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