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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (3): 316-319.

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碳化物价电子结构及其界面电子密度分析

孙家涛;范润华;刘冰;陈云;尹衍升   

  1. 山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室,济南,250061
  • 出版日期:2004-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50242008)

Analysis of Valence Electron Structure and Interface Electron Density of Carbide

  • Online:2004-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 运用固体与分子经验电子理论计算了六种过渡金属碳化物(MC)的价电子结构及其部分低指数晶面的电子密度.计算结果表明:MC最强键为最近邻M-C键,相邻(111)面间以最强键结合,滑移困难.通过对NiAl和MC的不同晶面的共价电子密度的分析发现:(110)NiAl和(100)MC在一级近似范围内基本上保持连续;采取适当的制备工艺,使复合材料中存在尽可能多的(110)NiAl∥(100)MC,有可能使这种复合材料具有更优异的力学性能.

关键词: 界面;碳化物;价电子结构;金属间化合物

中图分类号: