人工晶体学报

董捷;刘喆;徐现刚;胡晓波;李娟;王丽;李现祥;王继扬

2004, 33(3): 283-287.

摘要 ( 64 )

PDF (179KB) ( 112 )

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升华法生长大直径碳化硅(SiC)单晶一直是近年来国内外研究的重点,本文对Si-C系中的Si,Si2,Si3,C,C2,C3,C4,C5,SiC,Si2C,SiC2等气相物种的热力学平衡过程进行了研究,发现SiC生长体系中的主要物种为Si,Si2C,SiC2.生长初期Si的分压较高,从而SiC生长为富硅生长模式.对外加气体进行研究发现,氩气为最好的外加气体,它既可以有效地抑制Si物质流传输,又可以减缓扩散系数随温度升高而递减的趋势.建立了简单一维传输模型,对三个主要物种的动力学输运过程进行了研究,计算得到了两个温度梯度下的主要物种的物质流密度.

6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界

韩荣江;王继扬;胡小波;徐现刚;董捷;李现祥;蒋民华

2004, 33(3): 288-291.

摘要 ( 39 )

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利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对6H-SiC(0001)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究.实验发现,在透射偏光显微镜下,微管通常呈现为蝴蝶形,这是由于微管周围存在着应力场,且应力分布不均匀,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的.从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在2c到10c之间.从晶片00012衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出,晶片的中间大部分区域质量很好,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄,一般为35"左右.在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽,有些区域还会出现衍射峰的分裂,这说明外围区域有嵌镶块结构存在.

掺钕钇铝石榴石陶瓷的制备与性能

张旭东;刘宏;王继扬;何文;徐国纲

2004, 33(3): 292-295.

摘要 ( 30 )

PDF (155KB) ( 35 )

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以Al2O3、Y2O3、Nd2P3为起始原料,用固相合成方法在1500℃、2h条件下合成了掺钕钇铝石榴石(1.1at.;Nd:YAG)粉料.研究表明,在固相反应过程中,首先形成中间相Y4Al2O9(YAM)、YAlO3(YAP)而最终形成单相Y3Al5O12(YAG).将上述粉料经等静压成型并在低真空状态下于1750℃烧结3h,获得呈半透明状态的Nd:YAG陶瓷,其相对密度达到98.68;,显微结构均匀,荧光性能与0.9at; Nd:YAG单晶材料相近.

立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究

李玲;郝霄鹏;于乃森;徐现刚;崔德良;蒋民华

2004, 33(3): 296-300.

摘要 ( 24 )

PDF (184KB) ( 25 )

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低温(280℃)条件下,通过二甲苯中AlCl3和NaN3的反应制备出了AlN纳米微粒.700℃退火48h后,得到了纯的立方相AlN纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,验证了立方相AlN纳米晶的生成.经XRD和TEM分析,纳米晶的平均粒度约为3nm.色质联(GC-MS)检测结果显示,由于AlN纳米颗粒对二甲苯的催化作用,使二甲苯发生聚合和杂化环反应,得到了二联苯、萘、蒽、三甲基咔唑及咔唑胺等多环芳烃.作为对比实验,分别研究了NaN3和AlCl3对二甲苯的催化性能,发现没有多环芳烃的生成.

In:Er:LiNbO3晶体生长及光损伤性能研究

许士文;徐悟生;李宣东;徐玉恒

2004, 33(3): 301-304.

摘要 ( 23 )

PDF (145KB) ( 37 )

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在LiNbO3晶体中掺入In2O3和Er2O3,利用提拉法生长了In:Er:LiNbO3晶体,获得了In和Er在晶体中的分凝系数.通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力,确定In:Er:LiNbO3晶体中In的掺杂阈值浓度为～3mol;,In(3mol;):Er:LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3提高3个数量级以上.研究了In的掺入使Er:LiNbO3晶体的吸收边移动和抗光损伤能力提高的机理.

等径控制系统的改进及在光学级铌酸锂生长中的应用

孙军;孔勇发;李兵;张玲;刘士国;黄自恒;瓮松峰;舒永春;许京军

2004, 33(3): 305-309.

摘要 ( 34 )

PDF (165KB) ( 27 )

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分析了提拉法晶体生长过程中影响滞后变化的因素,采用传统PID调节器和计算机辅助控制相结合的办法,解决了铌酸锂晶体生长过程中的精确等径控制问题,并在大直径铌酸锂晶体生长应用中取得了满意的效果.生长的76mm直径的铌酸锂晶体,生长条纹问题得到很大改善,光学均匀性提高了一个量级以上.

氮化铝晶体的生长惯习面和晶体形态

傅仁利;赵宇龙;周和平

2004, 33(3): 310-315.

摘要 ( 46 )

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本文采用氧化铝碳热还原方法制备出了多种形态的氮化铝单晶(晶须).通过透射电子显微镜电子衍射和X射线单晶衍射分析,确定了氮化铝单晶常见的生长惯习面,并分析和讨论了氮化铝晶须形态与氮化铝晶体结构与生长惯习面的关系.具有规则六棱柱锥形的AlN晶须的生长取向为[0001]晶向,而叶片状和四方截面形状的AlN晶须则大多沿〈21-1-3-〉晶向进行生长,细小的薄片状AlN晶须则多以{101-0}面和{101-1}面为生长面.

碳化物价电子结构及其界面电子密度分析

孙家涛;范润华;刘冰;陈云;尹衍升

2004, 33(3): 316-319.

摘要 ( 17 )

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运用固体与分子经验电子理论计算了六种过渡金属碳化物(MC)的价电子结构及其部分低指数晶面的电子密度.计算结果表明:MC最强键为最近邻M-C键,相邻(111)面间以最强键结合,滑移困难.通过对NiAl和MC的不同晶面的共价电子密度的分析发现:(110)NiAl和(100)MC在一级近似范围内基本上保持连续;采取适当的制备工艺,使复合材料中存在尽可能多的(110)NiAl∥(100)MC,有可能使这种复合材料具有更优异的力学性能.

成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响

赵丽丽;高峰;赵鸣;张昌松;李光耀;田长生

2004, 33(3): 320-323.

摘要 ( 16 )

PDF (136KB) ( 21 )

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采用添加PbO的TGG方法定向生长PMNT多晶体,研究了素坯成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响规律.结果表明,成型压力直接影响PMNT多晶体的取向生长速度和取向程度.随着成型压力逐渐增大,PMNT多晶体的取向生长速度呈先增加后减小的趋势.低于临界成型压力(在本文实验条件下,临界成型压力为600MPa)时,随成型压力增大,PMNT多晶体的取向生长速度越来越快;高于临界成型压力时,随成型压力增大,PMNT多晶体的取向生长速度越来越慢,但是多晶体的取向程度却越来越好.

液相合成硒化镉(CdSe)热力学研究

何知宇;赵北君;朱世富;王瑞林;陈松林;李艺星;罗政纯;任锐

2004, 33(3): 324-327.

摘要 ( 32 )

PDF (142KB) ( 31 )

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本文报道了对硒化镉(CdSe)合成反应的反应焓变,反应熵变,Gibbs自由能以及配料的化学计量的分析计算,从热力学角度论证了在中温(～650℃)下直接液相合成高纯CdSe的可能性.按照理论分析结果选择技术参量进行了CdSe液相合成实验,并采用X射线粉末衍射谱法对合成产物进行了分析,结果证实了热力学分析的正确性.

水热法合成氮化硼晶体过程中的关键影响因素

于美燕;李凯;郝霄鹏;赖泽峰;王琪珑;崔得良

2004, 33(3): 328-331.

摘要 ( 20 )

PDF (196KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

在水热条件下成功合成了氮化硼晶体,为了优化实验条件,本文对实验过程中的影响因素进行了研究,包括反应温度、反应原料的种类、配比以及反应时间.通过对XRD和TEM测试结果的分析可以知道,当反应原料摩尔配比N2H4·H2O:H3BO3:NaN3:NH4Cl为1:1:3:1时,在400℃下反应48h是水热法制备氮化硼晶体的最佳实验条件.

同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷

胡小波;徐现刚;李现祥;董捷;韩荣江;王丽;李娟;王继扬;田玉莲;黄万霞;朱佩平

2004, 33(3): 332-334.

摘要 ( 19 )

PDF (116KB) ( 39 )

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采用同步辐射单色光形貌术观察了6H-SiC单晶中的微管缺陷,发现晶片中Burgers矢量为1c的螺位错具有较高的密度.此外,还观察到对应较大Burgers矢量的微管.基于微管附近的应变场,并根据衍射几何,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径,计算结果与实验观察符合较好.

6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌

韩荣江;王继扬;胡小波;董捷;李现祥;李娟;王丽;徐现刚;蒋民华

2004, 33(3): 335-338.

摘要 ( 31 )

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利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H-SiC单晶(0001)Si-面的生长形貌,应用台阶仪测定了生长台阶高度.实验发现,6H-SiC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合现象.在单晶中间部分,生长台阶稀疏,台面较宽,约80μm左右,台阶高度较小,约20～50nm,比较宽的台面上存在小生长螺旋.外围单晶区域,生长台阶比较密集,其台阶高度较大,约300～700nm,台面宽度较小,约2～5μm.生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响,在微管的附近出现弯曲.

具有准同型相界(MPB)组成的化合物(Sr1-x Bax)2NaNb5O15的晶体生长及性质研究

仪修杰;陈焕矗;程振祥;韩建儒;曹文武;翟剑庞;杨长红;姜付义

2004, 33(3): 339-342.

摘要 ( 18 )

PDF (149KB) ( 25 )

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用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB)存在于x=0.45～0.50之间;SBNN晶体是不一致熔融的化合物,在晶体成长过程中,Sr2+的分凝系数比Ba2+的大,因此具有高浓度Ba2+的SBNN晶体很难生长.晶体的居里温度是243℃,在此温度下的相变是弥散的,随频率的增加,介电常数降低.

硒化镉多晶原料的提纯

李艺星;赵北君;朱世富;王瑞林;陈松林;何知宇;罗正纯;任锐

2004, 33(3): 343-345.

摘要 ( 20 )

PDF (139KB) ( 18 )

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采用改进的垂直无籽晶气相法生长大尺寸高质量的CdSe单晶体要求原料的纯度高.本文根据差热(DTA)和热失重(TG)测试结果,设计出连续抽空区域升华提纯CdSe原料的新方法,用该方法提纯的原料生长出大尺寸、高质量的CdSe单晶体.等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明,新方法对CdSe的提纯是有效的,纯化后的原料可以生长出大尺寸高质量的CdSe单晶体.

Nd3+:Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长及吸收光谱

丁嘉瑄;武安华;周娟;徐家跃;范世(马豈)

2004, 33(3): 346-349.

摘要 ( 22 )

PDF (146KB) ( 29 )

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采用坩埚下降法生长了Nd3+掺杂浓度分别为15;、8;和2.5;原子分数的Sr3Ga2Ge4O14晶体,所得晶体最大尺寸为φ26mm×15mm.Nd3+掺杂Sr3Ga2Ge4O14晶体的特征吸收峰波长为806nm,与Nd3+离子在YAG中的特征吸收峰相比,向短波方向发生了微小的偏离.这是Sr3Ga2Ge4O14晶格中Ga3+和Ge4+的统计分布所致.Nd3+:SGG晶体的这些特性将有助于泵浦效率的提高和泵浦阈值的降低,因此Nd3+:SGG晶体有望成为一种新型的LD泵浦固体激光材料.

锗酸铅(Pb5Ge3O11)铁电单晶的生长与缺陷研究

吴宪君;徐家跃;金蔚青

2004, 33(3): 350-353.

摘要 ( 22 )

PDF (154KB) ( 26 )

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采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅(Pb5Ce3O11)单晶.所用Pt坩埚尺寸为φ25mm × 200mm和φ10mm×60mi,炉温控制在高于熔点50～80℃,固液界面温度梯度小于25℃/cm,生长速率小于0.5mm/h.所得晶体呈浅棕色,最大尺寸达φ25mm×60mm.采用光学显微镜(OM)及电子探针(EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷(气泡、包裹体等),讨论了产生这些缺陷的原因,提出了控制及减少此类缺陷的方法.

中温SOFC La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ固体电解质的电性能研究

张乃庆;孙克宁;吴宁宁;周德瑞

2004, 33(3): 354-357.

摘要 ( 17 )

PDF (162KB) ( 19 )

相关文章 | 计量指标

采用固相反应法制备了La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ(LSGM)固体电解质,XRD测试表明,经1500℃煅烧24h后得到LSGM单相结构,采用交流阻抗测试技术对La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ的电性能进行了研究,结果表明La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ低温区电导率主要取决于晶界电导;而在高温区电导率主要取决于晶粒电导.低温下导电率激活能较高为1.09eV,高温的激活能较低为0.8eV.

基于散射单元的声子晶体振动带隙研究

温激鸿;刘耀宗;郁殿龙;王刚;赵宏刚

2004, 33(3): 358-362.

摘要 ( 19 )

PDF (169KB) ( 27 )

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硬质芯体及其包覆层构成的复合结构称为散射单元,散射单元按照特定的排列方式可以构成声子晶体.文章采用有限元方法分别计算了立方散射单元构成的一维声子晶体及简单立方结构三维声子晶体的振动特性,结果表明,两种声子晶体的振动带隙有较好的一致性,因此,对三维声子晶体振动带隙的研究可以简化为对一维声子晶体振动带隙的研究.叠加层数、芯体材料对一维声子晶体振动带隙的影响在文中进行了讨论.最后,声子晶体的振动特性测试结果验证了文中的结论.

Nd:LuVO4晶体的生长及其性能研究

赵守仁;张怀金;胡小波;孔海宽;刘均海;徐现刚;王继扬;蒋民华

2004, 33(3): 363-366.

摘要 ( 21 )

PDF (166KB) ( 29 )

相关文章 | 计量指标

采用提拉(Czochralski)法生长了Nd:LuVO4晶体.利用液相反应法,以V2O5和NH4OH生成NH4VO3,Nd2O3、Lu2O3和HNO3生成Nd(NO3)3和Lu(NO3)3反应制备多晶料;所生长Nd0.01Lu0.99VO4晶体为16×20×21 mm3,质量超过40g.以X射线荧光分析仪测得其生长中各主要元素的分凝系数.其中Nd3+约为0.91,V3+和Lu3+接近1.还测定了其介电常数ε11=27.2,ε33=33.9(30℃,1kHz),以同步辐射X射线白光形貌术观察了其内部质量.

Er3+,Yb3+:YAl3(BO3)4晶体的光谱性质研究

李静;王继扬;张怀金;苏静;谭浩;宋峰

2004, 33(3): 367-370.

摘要 ( 32 )

PDF (163KB) ( 38 )

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采用助熔剂法生长了Er3+,Yb3+共掺的YAl3(BO3)4晶体,测量了晶体的室温吸收谱.由此吸收谱,根据JuddOfelt理论计算了Er3+在Er3+,Yb3+:YAl3(BO3)4晶体中的强度参数、自发辐射几率、积分发射截面等参数.强度参数为Ω2=2.44×10-20cm2、Ω4=2.00×10-20cm2、Ω6=6.10×10-20cm2.研究了晶体的荧光特性,并在976nm激光泵浦下得到了上转换绿色荧光.

单壁碳纳米管储氢行为的模拟计算研究

郭连权;马常祥;王帅;李辛

2004, 33(3): 371-375.

摘要 ( 41 )

PDF (214KB) ( 26 )

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利用碳纳米管储氢已经成为了纳米科技领域中的一项研究热点.为了认识碳纳米管的动态储氢过程,本文借助于分子动力学方法,对单壁碳纳米管的储氢行为进行了模拟计算,其结果生动逼真,并得出了储氢的如下结论:被吸附的氢分子主要出现在管内和管外的边缘附近;管内氢分子的分布出现分层现象,且管径越小,则靠近管壁的氢分子分层现象越明显;在管内外靠近管壁处的氢分子与管壁有一定的空隙.这为进一步研究碳纳米管的储氢机理和储氢容量等问题提供了必要的依据.

Tm:YAG晶体的生长及吸收特性

宋平新;赵志伟;徐晓东;姜本学;邓佩珍;徐军

2004, 33(3): 376-379.

摘要 ( 24 )

PDF (164KB) ( 28 )

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采用提拉法生长出三种掺Tm3+浓度的Tm:YAG晶体.运用ICP-AEs测定Tm3+离子在Tm:YAG晶体中的分凝系数约为1.室温下测定了Tm:YAG晶体在190～900nm之间的吸收光谱及1000～4500cm-1范围内退火前后的红外吸收谱.测试结果表明,退火后3365cm-1处OH-1离子的吸收峰完全消失.说明在空气气氛下对Tm:YAG晶体进行退火处理改善了晶体的性能.

水热法α-Al2O3自发结晶和形态控制

董国义;葛世艳;韦志仁;窦军红;张华伟;王立明;李志强

2004, 33(3): 380-383.

摘要 ( 26 )

PDF (184KB) ( 25 )

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本文研究了高温高压水热法合成α-Al2O3晶体的形态特征.在水热条件下,α-Al2O3的晶体形态和合成温度、矿化剂浓度有密切关系.当KOH浓度和温度较低时(如0.1M KOH,390℃),显露c{0001}、a{11-20}、r{01-12}、n{11-23}晶面.随着矿化剂浓度和温度的提高,晶体r{01-12}和n}11-23}面的显露面积越来越小,直到完全消失(如2MKOH,400℃),晶体只显露底面c{0001}、和柱面a{11-20},呈六棱柱形.

二维配位聚合物[Cd(C8H7NO2)2]n 的水热合成与晶体结构

余迎新;张少??宋海斌

2004, 33(3): 384-387.

摘要 ( 29 )

PDF (168KB) ( 35 )

相关文章 | 计量指标

在中温水热条件下,利用醋酸镉和3-(3-吡啶基)丙烯酸反应,合成了一种新型的二维配位聚合物[Cd(C8H7NO2)2]n.对其进行了元素分析、红外光谱表征和X射线单晶衍射测定.该配位聚合物属三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数为:a=0.5031(2)nm,b=0.8109(3)nm,c=0.9531(4)nm,α=69.411(6)°,β=80.554(6)°,γ=76.020(7)°,V=0.3519(2)nm3,Z=1,dc=1.929g/cm3,μ=1.575 mm-1,F(000)=202,R1=0.0313,wR2=0.0641.

水热法合成掺Mn橙色刚玉晶体

董国义;张华伟;韦志仁;李志强;葛世艳;窦军红;王立明

2004, 33(3): 388-390.

摘要 ( 26 )

PDF (136KB) ( 32 )

相关文章 | 计量指标

本文采用水热法,在430℃、40MPa的压力下合成出了纯α-Al2O3晶体.在同样的条件下,通过掺入Mn(NO3)2合成了掺Mn橙红色刚玉晶体.掺入Mn(NO3)2时,合成产物有两种晶体,一种是无色刚玉晶体,体积较小,为六棱柱状,直径30～40μm,高为30～40μm.另一种晶体为橙红色掺Mn刚玉晶体,其外形轮廓近乎球形,晶体表面有十分粗糙的生长阶梯,台阶高度为2～5μm,晶体高200～300μm,直径200～300μm.

新型有机非线性光学晶体-L-苹果酸脲晶体生长的初步探讨

徐玲玲;胡永红;江昌明;韩冬

2004, 33(3): 391-394.

摘要 ( 20 )

PDF (165KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

本文初步探讨了新型非线性光学晶体-L-苹果酸脲的晶体生长,研究结果表明,L-苹果酸脲晶体在甲醇、乙醇和水三种介质中的溶解度温度系数均较大,同温度下L-苹果酸脲晶体在水中的溶解度最大,无水甲醇次之,无水乙醇中最小.L-苹果酸脲晶体在无水甲醇中的成核自由能比在无水乙醇中的低得多,因此在无水甲醇中易于成核,晶核数多,晶体尺寸小,而在无水乙醇介质中,虽然成核相对比较困难一些,但有利于制备大的单晶,且发现低温有利于大晶体的生长.因此宜选择无水乙醇为晶体生长介质.L-苹果酸脲晶体在介质中以非均匀成核方式在试管壁成核长大,晶体呈棱柱状,生长过程中呈现台阶生长的特征.

二维互穿配位聚合物[Co3(2,6-nda)3(4,4'-bpy)1.5]n的合成和晶体结构

周秋香;张少峰;宋海斌;岳琳;王延吉

2004, 33(3): 395-398.

摘要 ( 33 )

PDF (209KB) ( 18 )

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在中温水热反应条件下,以CoCl2·6H2O、2,6-萘二羧酸(2,6-pda)和4,4'-bpy为原料,合成了一种二维互穿配位聚合物[Co3(2,6-nda)3(4,4'-bpy)1.5]n晶体,对其进行了元素分析、红外光谱表征、TGA-GTA分析和X射线单晶衍射测定.该配位聚合物属单斜晶系,C2/m空间群,晶胞参数为a=1.7285(11)nm,b=1.9965(13)nm,c=1.3994(9)nm,α=90°,β=95.822(11)°,γ=90°,V=4.804(5)nmm3,Z=4,dc=1.457g/cm3,μ=1.089mm-1,F(000)=2136,R1=0.0594,wR2=0.1605.结果显示形成一个二维互穿的网络结构.

3m点群晶体纵向压电性能的研究

王越;蒋毅坚

2004, 33(3): 399-402.

摘要 ( 31 )

PDF (155KB) ( 34 )

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本文详细地介绍了通过坐标变换研究晶体压电性能随空间变化的方法.在以前的工作基础上,对LiNbO3、LiTaO3和PZT60/40等3m点群晶体纵向压电系数d33及机电耦合系数k33在空间分布的共同规律进行了归纳总结,发现它们在空间中的分布具有明显的各向异性,并存在着一些特殊方向,沿这些方向,晶体的压电性能有较大幅度的提高.在此基础上,本文还根据不同文献中报道,对另一著名的3m点群晶体β-BaB2O4的压电系数数据进行了比较和分析.

纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3单晶的吸收谱和透过谱研究

曾雄辉;赵广军;杭寅;张连翰;王静雅;徐军

2004, 33(3): 403-406.

摘要 ( 27 )

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本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3和Ce3+:LaAlO3晶体.沿生长方向即α轴方向切割、抛光后得到实验样品.测试了氢气退火前后纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3从190nm到2500nm的吸收谱和透过谱.测试结果表明:纯LaAlO3晶体在196～220nm处出现宽带吸收,氢气退火后此一波段的吸收系数明显降低;未退火的Ce:LaAlO3晶体在196～209nm,246nm,314nm出现明显的吸收波段,氢气退火后其吸收谱发生显著变化,在198,206,214,246和314nm处出现对应于Ce3+的4f-5d的跃迁吸收;Ce:LaAlO3晶体较之纯LaAlO3晶体在红外区的透过率要高;氢气退火后,Ce:LaAlO3晶体和纯LaAlO3晶体在红外区的透过率下降.

碳酸盐共沉淀法制备Er:YAG透明激光陶瓷粉体

刘景和;朴贤卿;卢利平;关效贤;万玉春

2004, 33(3): 407-410.

摘要 ( 26 )

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本文用碳酸盐共沉淀法制备出性能良好的透明Er:YAG陶瓷粉体,并应用DTA-TG、XRD、SEM、红外光谱等测试手段分析其粉体结构和形貌.结果表明在1000℃煅烧过程中,失重约45;,所得到的Er:YAG粉末结晶性能良好,粒度在150～200nm之间.而且经烧结后的陶瓷断面气孔率低,多晶晶粒尺寸在1～2μn之间.1700℃烧结后得到透光度良好的陶瓷体.

陶瓷α-Al2O3晶粒度的测定技术分析

高建阳;王志;贾显鹏;赵秀芳;王立家

2004, 33(3): 411-413.

摘要 ( 21 )

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本文介绍了电子显微镜、X射线衍射、氮吸附小比表面法、红外光谱结构分析、研磨法等用于陶瓷氧化铝晶粒度测定的情况,通过对比,指出了电子显微镜能够真实地反映微观世界,是多种分析方法的基础.

气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H 薄膜特性影响的研究

张晓丹;朱锋;赵颖;侯国付;魏长春;孙建;张德坤;任慧志;薛俊明;耿新华;熊绍珍

2004, 33(3): 414-418.

摘要 ( 17 )

PDF (163KB) ( 28 )

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本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料.

绒面ZnO透明导电薄膜

朱锋;薛玉明;孙建;赵颖;耿新华

2004, 33(3): 419-421.

摘要 ( 26 )

PDF (183KB) ( 17 )

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采用孪生ZnO(Al2O3:2;)对靶直流磁控溅射制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜(迁移率为5.56 cm2/V·s,载流子浓度为4.57×1020cm-3,电阻率为2.46×10-3Ω·cm,可见光范围(380～800nm)平均透过率大于85;).用酸腐蚀的方法,可以获得绒面效果,而反应气压对绒面效果没有影响,薄膜的电学特性没有变化,绒面对光散射作用增强,导致相对于平面ZnO薄膜的透过率要低一些(可见光范围平均透过率大于80;).

TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响

宋贵宏;郑静地;刘越;孙超

2004, 33(3): 422-427.

摘要 ( 16 )

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利用电弧离子镀,在不锈钢和SiCP增强2024铝基复合材料基底上沉积TiAlN薄膜.结果表明:TiAlN膜层直接沉积在不锈钢基底上,膜层呈[111]择优取向;然而,TiAlN膜层沉积在不锈钢基底的TiAl过渡层上,膜层呈[220]方向择优取向;并且随着过渡层从零开始增厚,TiAlN膜层的织构系数T(111)逐渐减小,而T(200)逐渐增大,但膜层一直以[220]方向择优取向,内应力的存在可能是膜层产生[220]方向择优取向的原因.在复合材料基底TiAl过渡层上沉积,随着负脉冲偏压的增加,TiAlN膜层的择优取向由[111]向[200]转变.在不锈钢基底上,没有TiAl过渡层时,膜层表面相对光滑,大颗粒较少;有了TiAl过渡层,表面大颗粒较多;TiAl过渡层不同沉积时间对膜层表面影响不大,颗粒尺寸相差无几.没有TiAl过渡层时,膜层结合强度很差,有了TiAl过渡层,结合强度明显增加,但结合强度的大小随过渡层沉积时间(厚度)变化.

电气石微粒的自迁移研究

丁燕;梁金生;冯艳文;孟军平;王静;冀志江

2004, 33(3): 428-431.

摘要 ( 23 )

PDF (155KB) ( 25 )

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用扫描电子显微分析手段研究电气石微粒的运动行为、影响因素,为评价电气石自发电极性提供新方法.结果表明,在SEM下用二次电子(SE)电子束轰击电气石微粒,电气石微粒产生自迁移现象,迁移距离与自发极化强度、微粒粒径、极性轴方向等因素密切相关.提出通过测量自迁移距离评价电气石电极性强弱的新方法.

线形同轴耦合式微波等离子体CVD法制备金刚石薄膜

杨志威;陈立民;耿春雷;唐伟忠;吕反修;苗晋琦;赵中琴

2004, 33(3): 432-435.

摘要 ( 25 )

PDF (160KB) ( 32 )

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线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置是一种利用微波天线产生轴向分布的等离子体柱的新型微波等离子体CVD装置.由于它产生的等离子体是沿微波天线分布的,因而可避免石英管式、石英钟罩式以及不锈钢谐振腔式微波等离子体CVD装置中等离子体的分布容易受到金属工件位置干扰的缺点.本文将首先讨论线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置的工作原理,其后介绍利用此装置进行的金刚石薄膜沉积实验的初步结果.实验结果表明,利用线形同轴耦合式微波等离子体CVD装置,可在金属衬底上沉积出质量较好的金刚石薄膜.

CVD金刚石厚膜的机械抛光及其残余应力的分析

徐锋;左敦稳;王珉;黎向锋;卢文壮;彭文武

2004, 33(3): 436-440.

摘要 ( 38 )

PDF (173KB) ( 27 )

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较粗糙的表面是影响金刚石厚膜广泛使用的因素之一.本文对CVD金刚石厚膜进行了机械抛光的正交实验研究.实验结果表明,影响抛光效率的因素依次为抛光盘的磨粒、转速、正压力和抛光面积.采用较大粒度的磨盘,适当增加转速和压力有利于提高抛光的效率.此外用XRD方法对机械抛光前后的膜的残余应力进行了测定和对比分析,结果表明,经过机械抛光,残余拉应力明显减小.

蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究

王银珍;周圣明;徐军

2004, 33(3): 441-447.

摘要 ( 32 )

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相关文章 | 计量指标

介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,概述了化学机械抛光原理和设备,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素,阐述了CMP的主要发展趋势:能定量确定最佳CMP工艺,系统地研究CMP工艺过程参数,建立完善的CMP理论模型,满足不同的工艺要求和应用领域,有效降低成本,提高产量.

论直拉单晶炉技术平台的逻辑演进

许扬;赵一谦;李剑侠;郑伟民;田炜;丁积军

2004, 33(3): 448-454.

摘要 ( 26 )

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要求不断增大晶棒直径、不断提高晶体质量的晶圆市场,推动我国直拉单晶炉产品系列出现过三代更替,与此对应,产品赖以存在的技术平台也经历了三个阶段的演进.第四代产品研发需要在以往技术积累基础上,在炉室材料、炉体结构、焊接工艺、机械传动和电气控制、计算机智能控制、磁场发生装置和热场材料等方面进行新一轮技术创新.

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