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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (3): 350-353.

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锗酸铅(Pb5Ge3O11)铁电单晶的生长与缺陷研究

吴宪君;徐家跃;金蔚青   

  1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
  • 出版日期:2004-06-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Defects Study of Ferroelectric Lead Germanate Single Crystal

  • Online:2004-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅(Pb5Ce3O11)单晶.所用Pt坩埚尺寸为φ25mm × 200mm和φ10mm×60mi,炉温控制在高于熔点50~80℃,固液界面温度梯度小于25℃/cm,生长速率小于0.5mm/h.所得晶体呈浅棕色,最大尺寸达φ25mm×60mm.采用光学显微镜(OM)及电子探针(EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷(气泡、包裹体等),讨论了产生这些缺陷的原因,提出了控制及减少此类缺陷的方法.

关键词: 锗酸铅单晶;坩埚下降法;晶体生长;缺陷

中图分类号: