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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (3): 414-418.

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气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H 薄膜特性影响的研究

张晓丹;朱锋;赵颖;侯国付;魏长春;孙建;张德坤;任慧志;薛俊明;耿新华;熊绍珍   

  1. 南开大学光电子所,天津,300071
  • 出版日期:2004-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028202,G2000028203);教育部科学技术研究项目(02167);国家高技术研究发展计划(863计划)(2002303261)

A Study on the Influence of Deposition Pressure on the Properties of the μc-Si:H Films Fabricated by VHF-PECVD

  • Online:2004-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积;氢化微晶硅薄膜;傅立叶变换红外光谱;X射线衍射;微区喇曼光谱

中图分类号: