加速坩埚旋转下降技术生长LiInS2晶体

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 8-13.

加速坩埚旋转下降技术生长LiInS2晶体

王善朋;陶绪堂;董春明;焦正波;蒋民华

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50590403;50325311);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2004CB619002)

Growth of LiInS2 Single Crystal by the Accelerated Crucible Rotation Technique

WANG Shan-peng;TAO Xu-tang;DONG Chun-ming;JIAO Zheng-bo;JIANG Min-hua

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本论文采用新的合成方法-高压釜法,利用高纯单质Li(3N)、 In(4N)、 S(sublimed)为原料,在1120℃下合成了单相、致密的LiInS2多晶料,并对其做了XRD表征.对传统的Bridgman-Stockbarger生长技术进行了改进,实现了加速坩埚旋转下降技术(ACRT),从而获得了较大尺寸的红外非线性光学晶体LiInS2,并对晶体的结构进行了表征.

中图分类号:

O782

王善朋;陶绪堂;董春明;焦正波;蒋民华. 加速坩埚旋转下降技术生长LiInS2晶体[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 8-13.

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