沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 14-17.

沿[1-100]方向升华法生长6H-SiC单晶

姜守振;李娟;陈秀芳;王英民;宁丽娜;胡小波;徐现刚;王继杨;蒋民华

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东省半导体照明工程关键技术资助项目;教育部跨世纪优秀人才培养计划

Sublimation Growth of 6H-SiC Single Crystal along [1-100] Direction

JIANG Shou-zhen;LI Juan;CHEN Xiu-fang;WANG Ying-min;NING Li-na;HU Xiao-bo;XU Xian-gang;WANG Ji-yang;JIANG Min-hua

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用升华法沿着垂直于c轴方向的[1-100]方向生长6H-SiC单晶.利用光学显微镜对晶体表面及腐蚀后的晶片进行观察,发现沿[1-100]方向生长出的单晶与传统方法沿[0001]方向生长单晶有很多的不同之处,多型对于籽晶的继承性非常强,但是在生长过程中多型夹杂不会发生,该方法生长的晶体中没有发现螺位错(微管)缺陷.

中图分类号:

O771
O782

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