LBO晶体超光滑表面抛光机理

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 18-21.

LBO晶体超光滑表面抛光机理

李军;朱镛;陈创天

中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院理化技术研究所北京人工晶体研究发展中心,北京,100080

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA311120);中国科学院知识创新工程项目(KJCXZ-XW-W09)

Mechanism of Super Smooth Surface Polishing for LBO Crystal

LI Jun;ZHU Yong;CHEN Chuang-tian

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理.在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系.LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液与晶体表面的活泼原子层发生化学反应形成过渡的软质层,软质层在磨料和抛光盘的作用下很容易被无损伤的去除.酸性条件下,随抛光液pH值的减小抛光材料的去除率增大;抛光液pH值为4时,获得最好的表面粗糙度.

中图分类号:

O786

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