含NiTi阻挡层的硅基(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3铁电电容器异质结

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 157-160.

含NiTi阻挡层的硅基(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3铁电电容器异质结

刘保亭;闫小兵;程春生;李锋;马良;赵庆勋;闫正

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50572021);人事部留学回国人员科技活动择优基金(G05-06);河北省自然科学基金(E2005000130);教育部留学回国人员科研启动基金(2005-546);河北省科技攻关项目(04213579);河北大学校科研和校改项目(B0406030)

(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3 Capacitor Heterostructure Integrated on Si with NiTi Barrier Layer

LIU Bao-ting;YAN Xiao-bing;CHENG Chun-sheng;LI Feng;MA Liang;ZHAO Qing-xun;YAN Zheng

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si (100)衬底上构造了(La0.5Sr0.5)CoO3/ Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结,研究了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的结构和物理性能.实验发现LSCO/PZT/LSCO铁电电容器具有良好的电学性能,在417kV/cm的驱动场强下,PZT铁电电容器具有较低的矫顽场强(125kV/cm)和较高的剩余极化强度(19.0μC/cm2),良好电容-电压特性(C-V)和保持特性,铁电电容器经过1010次反转后,极化强度没有明显下降,表明了非晶NiTi薄膜可以用作高密度硅基铁电存储器的扩散阻挡层.

中图分类号:

O484

刘保亭;闫小兵;程春生;李锋;马良;赵庆勋;闫正. 含NiTi阻挡层的硅基(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3铁电电容器异质结[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 157-160.

LIU Bao-ting;YAN Xiao-bing;CHENG Chun-sheng;LI Feng;MA Liang;ZHAO Qing-xun;YAN Zheng. (La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3 Capacitor Heterostructure Integrated on Si with NiTi Barrier Layer[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(1): 157-160.

[1]	许万里, 甘云海, 李悦文, 李彬, 郑有炓, 张荣, 修向前. 高均匀性6英寸GaN厚膜的高速率HVPE生长研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 11-16.
[2]	马超, 熊春艳, 徐源来, 赵培. 沉积温度对MOCVD法制备固体氧化物燃料电池GDC阻挡层性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2197-2204.
[3]	杨涛, 陈彩明, 黄瑜佳, 吴少平, 徐华蕊, 汪坤喆, 朱归胜. ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1150-1159.
[4]	徐玉琦, 李晴雯, 钟敏. 化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 841-847.
[5]	初学峰, 黄林茂, 张祺, 谢意含, 胡小军. 铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(5): 848-854.
[6]	张庆文, 单东明, 张虎, 丁然. 溶液空间限域法制备有机-无机杂化卤化铅钙钛矿单晶薄膜及其器件应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 572-584.
[7]	郭钰, 刘春俊, 张新河, 沈鹏远, 张博, 娄艳芳, 彭同华, 杨建. 碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 210-217.
[8]	彭倩文, 吉祥. 退火温度对BCZT外延薄膜电学性能的影响及其导电机制分析[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(1): 82-89.
[9]	詹廷吾, 贾伟, 董海亮, 李天保, 贾志刚, 许并社. 多孔GaN薄膜的制备与光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1599-1608.
[10]	南博洋, 洪瑞金, 陶春先, 王琦, 林辉, 韩朝霞, 张大伟. 基于金属锡掺杂浓度变化的光学性能可调谐ITO薄膜制备研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1617-1623.
[11]	陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944.
[12]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[13]	汪正鹏, 张崇德, 孙新雨, 胡天澄, 崔梅, 张贻俊, 巩贺贺, 任芳芳, 顾书林, 张荣, 叶建东. 切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1007-1015.
[14]	李秉欣, 丁元丰, 芦红. 单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1025-1035.
[15]	林泽丰, 孙伟轩, 刘天想, 涂思佳, 倪壮, 柏欣博, 赵展艺, 张济全, 陈赋聪, 胡卫, 冯中沛, 袁洁, 金魁. 脉冲激光沉积技术制备超导薄膜的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 1036-1051.