ZnO薄膜结构缺陷与发光性能研究(二)

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 175-179.

ZnO薄膜结构缺陷与发光性能研究(二)

肖宗湖;张萌;马红霞

南昌大学材料科学与工程学院,南昌,330047;中材人工晶体研究院,北京,100018

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部高校骨干教师资助计划(GG-430-11902-1010)

Investigation on Defects and Luminescence Properties of ZnO Thin Film (Ⅱ)

XIAO Zong-hu;ZHANG Meng;MA Hong-xia

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在ZnO发光材料中存在的各种结构缺陷是制约ZnO发光性能的一个关键因素.本文在查阅文献的基础上,总结了ZnO薄膜材料中可能存在的缺陷类型,并就位错及界面的性质及其对发光性能影响的研究现状做了重点评述.位错作为非辐射复合中心大大降低了半导体器件的发光效率及使用寿命.ZnO颗粒晶界附近的电子耗尽区使绿光发射减弱甚至消失.ZnO薄膜表面的V型缺陷作为光学通道,使近带边发射穿过ZnO层时不被空间激子层吸收,而异质结、超晶格、量子阱中的界面对ZnO的发光性能则具有更重要的影响.

中图分类号:

O484

肖宗湖;张萌;马红霞. ZnO薄膜结构缺陷与发光性能研究(二)[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 175-179.

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