PVT法生长大直径6H-SiC晶体感应加热对系统的影响

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 180-183.

PVT法生长大直径6H-SiC晶体感应加热对系统的影响

张群社;陈治明;李留臣;蒲红斌;封先锋

西安理工大学电子工程系,西安,710048

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省重大项目(2004K07-G9);西安理工大学校科研和教改项目

Effects of Different Height and Space of a Multi-turn Inductive Coil on Temperature Distribution in the Large-size 6H-SiC Growth System

ZHANG Qun-she;CHEN Zhi-ming;LI Liu-chen;PU Hong-bin;FENG Xian-feng

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及晶体生长温度场的影响;分析比较了线圈不同高度和匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化.结果表明:在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,改善晶体的质量,同时又有较高的生长速率.

中图分类号:

张群社;陈治明;李留臣;蒲红斌;封先锋. PVT法生长大直径6H-SiC晶体感应加热对系统的影响[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 180-183.

ZHANG Qun-she;CHEN Zhi-ming;LI Liu-chen;PU Hong-bin;FENG Xian-feng. Effects of Different Height and Space of a Multi-turn Inductive Coil on Temperature Distribution in the Large-size 6H-SiC Growth System[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(1): 180-183.

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