反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器生长GaN的化学反应数值模拟

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (2): 338-343.

反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器生长GaN的化学反应数值模拟

徐谦;左然

江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013

出版日期:2007-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60376006)

Numerical Simulation on GaN Growth in Reverse-flow Showerhead MOCVD Reactors

XU Qian;ZUO Ran

Online:2007-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型,将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器,进行三维数值模拟.得出反应器内流速、温度和TMGa浓度分布,以及GaN的生长速率分布.将此计算结果与传统的反应器情况进行对比,发现在相同参数情况下,两种反应器的衬底上方温度分布都比较均匀,近衬底处温度梯度较大,高温区域被压制在离衬底较近的区域,流线均比较平滑,在衬底上方没有明显的旋涡;新型反应器内反应气体在近衬底处的浓度均匀性以及GaN在基片表面的沉积均匀性都优于传统反应器,但沉积速率小于后者,大约只有后者的1/2.

中图分类号:

TN304

徐谦;左然. 反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器生长GaN的化学反应数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(2): 338-343.

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