硅薄膜晶化机制的光学分析

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (2): 344-347.

硅薄膜晶化机制的光学分析

张丽伟;周伶俐;李瑞;卢景霄;李红菊;王红娟;谷锦华;杨仕娥

郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,新乡,453000;新乡师范高等专科学校,新乡,453000;河南工业大学,郑州,450001;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

出版日期:2007-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家基础研究国家重点基础研究发展规划(973计划)(2006CB202601)

Optical Analysis of Crystalline Mechanics of Silicon Thin Film Annealed by RTP

ZHANG Li-wei;ZHOU Ling-li;LI Rui;LU Jing-xiao;LI Hong-ju;WANG Hong-juan;GU Jin-hua;YANG Shi-e

Online:2007-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用拉曼光谱和分光光度计等测试手段,对快速光热过程(RTP)和常规炉过程(CFP)退火后的硅薄膜结构性能和光学性能进行了研究.用Avrami-Mehl-Johnson和Monte Carlo晶体生长模型和黑体辐射理论分析得出,RTP法退火温度低、速度快的原因,是RTP中不仅存在"光量子效应",而且还存在"光热相长效应".由光学带隙的计算得知,RTP退火法可使带隙约为1.7eV的非晶硅薄膜变为带隙约为1.28eV的微晶硅薄膜,说明RTP退火达到了较好的结晶效果.

中图分类号:

TN304

张丽伟;周伶俐;李瑞;卢景霄;李红菊;王红娟;谷锦华;杨仕娥. 硅薄膜晶化机制的光学分析[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(2): 344-347.

ZHANG Li-wei;ZHOU Ling-li;LI Rui;LU Jing-xiao;LI Hong-ju;WANG Hong-juan;GU Jin-hua;YANG Shi-e. Optical Analysis of Crystalline Mechanics of Silicon Thin Film Annealed by RTP[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(2): 344-347.

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