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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (2): 373-376.

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X光电子能谱研究氧离子束辅助PLD共淀积ZnO薄膜

吴正龙;李庚伟   

  1. 北京师范大学分析测试中心,北京,100875;中国地质大学材料科学与工程学院,北京,100083
  • 出版日期:2007-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(715-001-0162);中国地质大学(北京)校科研和教改项目(200524)

Study of X-ray Electron Spectroscopy on ZnO Film Deposited by PLD with Assisted Oxygen Ion Beam

WU Zheng-long;LI Geng-wei   

  • Online:2007-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 在ZnO的XPS分析中,ZnLMM俄歇峰能很好地指认氧化锌淀积膜中Zn的价态,结合O1s光电子峰的分析,可表征ZnO中缺氧程度.通过XPS的对比实验,表明采用氧(O)离子辅助PLD共淀积ZnO薄膜,能明显改善淀积ZnO膜的缺氧问题,降低薄膜层中的孔隙率,提高淀积ZnO薄膜质量.XPS深度剖析结果还表明采用O离子辅助PLD共淀积后膜层中Zn的氧化组分和孔隙率随深度变化平缓.

关键词: X光电子能谱;俄歇电子能谱;氧化锌;氧离子束辅助PLD共淀积

中图分类号: