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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (3): 569-572.

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硼掺杂金刚石薄膜研究

魏俊俊;贺琦;高旭辉;郭会斌;石绍渊;吕反修;唐伟忠;陈广超   

  1. 北京科技大学材料学院,北京,100083;北京大学环境资源工程学院,100871
  • 出版日期:2007-06-15 发布日期:2021-01-20

Study of Boron-doped Diamond Film

WEI Jun-jun;HE Qi;GAO Xu-hui;GUO Hui-bin;SHI Shao-yuan;LU Fan-xiu;TAGN Wei-zhong;CHEN Guang-chao   

  • Online:2007-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 硼掺杂是改善金刚石薄膜电阻率的有效手段,被认为是将金刚石薄膜用于制备电化学电极的途径.本文通过CVD法在单晶硅片上制得掺硼金刚石薄膜(BDD),并采用四点探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对之进行检测,发现随着硼掺入量的增加,薄膜电阻率逐渐降低,重掺杂时可达2.0×10-3Ω·cm.同时金刚石薄膜的固有质量出现恶化,表现为金刚石晶粒的碎化以及拉曼观察到的薄膜内应力的增加和非金刚石峰的出现.对薄膜电极进行电化学测量发现BDD电极在酸性溶液中具有非常宽的电位窗口和高的阳极极化电位,且背景电流极低.

关键词: CVD;金刚石薄膜;掺硼;电位窗

中图分类号: