人工晶体学报

《人工晶体学报》参考文献书写规则

2007, 36(3): 1.

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2007年拟将推出《人工晶体学报》英文版专辑

2007, 36(3): 2.

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BaY2F8晶体生长基元与结晶机理的探讨

张守超;阮永丰;李广慧;李文润

2007, 36(3): 485-489.

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本文通过对BaY2F8晶体结构的分析,从晶体的生长基元为负离子配位多面体理论出发,对自然冷却条件下BaY2F8晶体自发结晶习性进行了研究,提出了以Ba2+为中心的近八配位十二面体和以Y3+为中心的近八配位十二面体是晶体生长的基元.并根据自发结晶的BaY2F8的XRD,说明了BaY2F8晶体的{200}、{130}、{021}、{330}、{-111}、{111}、{221}、{002}等面族比较发育的原因.本文证实了仲维卓的负离子配位多面体理论对BaY2F8晶体生长的适用性,并对探索新的BaY2F8单晶生长方法有参考作用.

直径210mm氟化钙晶体的生长

沈永宏;王琦;闫冬梅;关树海;段安锋

2007, 36(3): 490-493.

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采用Bridgman-Stockbarger法生长出直径为210mm的氟化钙晶体.透过率在紫外200nm处接近80;,红外透过率良好,可使用到9μm.通过对原有生长设备的改进,采用更为先进的温控设备和合理的温场控制条件,使生长区温场径向梯度小于0.5℃/mm,轴向生长温度梯度2～3℃/mm.整个生长过程分为:升温化料、熔体均一化、下降坩埚生长和初步退火过程,初退火温度为950℃,退火降温速率为15℃/h.

富铅配料合成PbI2多晶及其熔体分层研究

朱兴华;赵北君;朱世富;金应荣;向安平;魏昭荣

2007, 36(3): 494-497.

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富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象.对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线微区分析(EDX)结果表明:富余的Pb沉积于石英安瓿的底部,与合成的单相PbI2多晶材料分离.根据富Pb配料的范围,结合文献的实验数据,可以确定在Pb-I相图中存在一个新的液相分层区域L2+L3,该区域对PbI2多晶合成和晶体生长具有指导作用.以合成的单相PbI2多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出了尺寸为φ15mm×30mm、外观完整、呈桔红色的PbI2晶体.

Nd:YAG/Cr4+:YAG键合棒的制作与激光性能

汤海涛;李兵

2007, 36(3): 498-500.

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采用直接键合的方法将Nd:YAG激光棒与Cr4+:YAG调Q元件结合在一起,对Nd:YAG棒和Cr4+:YAG在键合前后的激光性能进行了实验比较.结果表明,键合技术能够有效地提高输出能量,压窄脉宽.

pH值对KDP晶体位错结构的影响

钟德高;滕冰;张国辉;李晓兵;鲁晓东;王东娟;王庆国

2007, 36(3): 501-506.

摘要 ( 5 )

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在一定的过饱和度下,分别用点状和片状籽晶在不同pH值溶液中生长出了KDP晶体.利用化学腐蚀法对KDP晶体的不同晶面进行了腐蚀,得到了清晰的位错蚀坑.应用光学显微镜对位错蚀坑的分布特点和密度做了观察分析,发现很多位错蚀坑成线状排布.pH值对KDP晶体位错密度有较大影响,低pH值条件下生长出的晶体位错密度较大.测试了KDP晶体样本的透过率,结果表明位错密度对KDP晶体的透过率没有明显的影响.

红外非线性晶体ZnGeP2的生长及品质研究

吴海信;倪友保;耿磊;毛明生;王振友;程干超;杨琳

2007, 36(3): 507-511.

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采用高温元素反应法直接合成ZnGeP2多晶料,用竖式Bridgman法生长出ZnGeP2单晶,晶体棒毛坯尺寸达φ15×70mm3.对多晶料和单晶体进行了X射线粉末衍射(XRD)、低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测;对晶体切片进行退火处理,使得在2μm吸收系数降到α＝0.10cm-1;加工出一块5×6×6.5mm3的晶体倍频元件,在一台射频激励CO2激光器上实现了从9.24μm到4.26μm的倍频.

稀土Tm3+/Yb3+共掺杂氟氧化物上转换可见发光

孙凯霞;郝志武;林维秋;梁红

2007, 36(3): 512-514.

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制备了稀土Tm3+/Yb3+共掺杂氟氧化物上转换发光材料(60TeO2-10AlF3-10PbF2-10NaF-2Tm2O3-8Yb2O3),在980nm红外光泵浦激发下,测量了样品的吸收谱、上转换荧光发射谱和上转换发光强度与激光泵浦功率的对数关系.观察到峰值为477nm蓝光和651nm红光可见发射,分别是稀土Tm3+的激发态1G4→3H6,1G4→3F4跃迁;在806nm附近,观察到较强的红外发射(3H4→3H6),分析了稀土Tm3+/Yb3+共掺杂氟氧化物上转换可见发射机制,证实了稀土Tm3+上转换发射是在稀土Yb3+的敏化作用下,通过能量传递(ET)和激发态吸收(ESA),实现了激发态1G4向基态3H6、激发态3F4跃迁的三光子吸收过程和激发态3H4→3H6的双光子吸收过程.

M-VI光催化晶体材料降解性能评价研究与应用

刘杰民;范慧俐;梅一飞;张锦霞;赵鹏

2007, 36(3): 515-519.

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本文通过设计和研制评价M-VI光催化晶体材料降解性能所用试验舱,对实际应用于甲醛和挥发性有机化合物等室内空气污染物的评价规范进行了详尽的探讨,综合考虑到试验舱的设计、本底的扣除,试样的装填等因素,评价结果重复性较好,对于光催化材料评价的进一步规范化和标准化具有借鉴意义.

大尺寸掺钕和掺铥铝酸钇晶体的生长和退火技术

莫小刚;王永国;朱建慧;徐学珍;何占斌;桂尤喜;王克强

2007, 36(3): 520-525.

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通过分析铝酸钇(YAP)晶体产生孪晶、开裂、色心和弥散性散射的原因,探讨了克服这些缺陷和问题的技术途径.采用提拉法生长了b轴方向的掺钕和掺铥铝酸钇(Nd:YAP和Tm:YAP)晶体,通过温场系统、生长工艺参数和切割工艺的优化,克服了晶体开裂的问题,晶体直径达到46mm;通过真空退火工艺,既显著减轻了紫外和可见区的色心吸收,又减小了晶体的应力,有助于克服晶体在加工过程中的开裂问题.晶体生长实验和晶体的显微观察表明:YAP晶体中的弥散状散射很可能同熔体中组分的均匀性有关,通过增大晶体的直径,增强强迫对流有助于减轻晶体中的弥散状散射.高质量b轴Nd:YAP和a轴Tm:YAP晶体已分别实现二极管泵浦大于140W的1.079μm和大于10W的1.99μm激光输出.

红外飞秒激光诱导Ce3+掺杂闪烁晶体的上转换发光研究

汪晨;杨旅云;董永军;徐军;陈丹平;邱建荣

2007, 36(3): 526-530.

摘要 ( 10 )

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本文研究了红外飞秒激光照射下Ce3+ 掺杂的YAP和LSO两种闪烁晶体的上转换发光现象.实验发现在飞秒激光泵浦下,这两种晶体的荧光均来自于Ce3+离子的5d-4f跃迁.荧光强度与泵浦光功率之间的依赖关系揭示了Ce3+:YAP和Ce3+:LSO晶体的上转换过程皆由三光子吸收过程所主导.分析表明,Ce3+:YAP和Ce3+:LSO晶体中的三光子吸收是三光子同时吸收.

兆巴高压下c向蓝宝石的冲击辐射研究

张岱宇;郝高宇;张明建;刘福生

2007, 36(3): 531-535.

摘要 ( 10 )

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采用三层夹心靶结构,利用铜箔与抛光蓝宝石之间良好的接触条件,使用辐射式高温计在1.30～1.72 兆巴压力范围内观测到c向蓝宝石的强冲击辐射.在1.30和1.72兆巴的冲击压力下,得到蓝宝石在0.633μm 波长处的不透明系数为1.7cm-1和5.0cm-1.实验显示蓝宝石的冲击辐射随着冲击压力的增加而急剧增强.

多余碳源的析出形式与宝石级金刚石单晶生长

臧传义;马红安;黄国锋;贾晓鹏

2007, 36(3): 536-539.

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温度梯度法生长宝石级金刚石单晶过程中,当籽晶无法完全吸收由高温端扩散下来的碳源时,多余碳源的不同析出形式(再结晶石墨或者自发核)对晶体生长速度有明显的影响.当大量多余碳源以再结晶石墨形式析出时,和以金刚石自发核形式析出不同,晶体的生长速度受到较为明显的抑制作用.例如,以NiMnCo触媒为例,随着合成温度的提高,当多余碳源不再以金刚石自发核形式析出,而是以大量片状再结晶石墨形式围绕在晶体周围时,晶体的生长速度从相对低温时的约3.0mg/h降到较高温度时的1.0mg/h;此外,随着合成压力由5.5GPa降到5.2GPa,晶体生长速度由3.0mg/h降到1.0mg/h,多余碳源析出形式也由金刚石自发核变化为再结晶石墨.

ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究

唐斌;邓宏;张强;税正伟;陈建勇;赵春兰

2007, 36(3): 540-544.

摘要 ( 8 )

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运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.

RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究

蔡宏琨;张德贤;何青;赵飞;陶科;席强;孙云

2007, 36(3): 545-549.

摘要 ( 10 )

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采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究.改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的.根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大.

浅电子陷阱掺杂AgCl微晶的光作用特性研究

代秀红;李晓苇;董国义;张荣香;张继县;李红莲;韩理;傅广生

2007, 36(3): 550-553.

摘要 ( 8 )

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利用微波吸收介电谱检测技术,同步检测均匀掺杂K4Fe(CN)6盐的立方体AgCl微晶在室温条件下的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱.对比未掺杂样品发现,掺杂引入的浅电子陷阱使样品中的自由光电子衰减时间延长了338ns,衰减过程中出现一个明显的一级指数快衰减区;较高浓度掺杂情况下,测量了光作用产物对光电子衰减的影响,分析表明,光作用产物是具有深电子陷阱作用的银簇.光作用产物的出现,使得晶体中发生了浅电子陷阱到深电子陷阱效应的转变,可见掺杂使得晶体内部结构和光作用特性发生了变化.

不同形状散射体的二维固/气声子晶体带隙结构

胡家光;张晋;郭俊梅;张茜

2007, 36(3): 554-558.

摘要 ( 8 )

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用平面波法计算了截面形状分别为圆、椭圆和正四棱形的铝合金柱体在空气中按正方格子排列形成二维声子晶体的带隙结构.结果表明:截面形状不同的散射体会产生不同的带隙结构;三种体系的声子晶体都只有在填充率F大于一定数值时才会出现完全带隙,并且第一完全带隙宽度都随着F的增大而单调增加,当F达到最大时,增加到极值;在F《0.5时,正四棱柱/空气体系声子晶体最有利于产生宽带隙,而当F》0.5时,圆柱体/空气体系声子晶体带隙最宽.

CVD法制备微螺旋炭纤维的研究

毕辉;寇开昌;张教强;陈碧波

2007, 36(3): 559-564.

摘要 ( 7 )

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以乙炔为碳源,Ni粉为催化剂,含硫化合物噻吩为助催化剂,通过化学气相沉积法(CVD)制得了微螺旋炭纤维.利用扫描电子显微镜(SEM)考察了微螺旋纤维的微观形貌,发现所得的纤维几乎为双螺旋,同时通过对影响微螺旋炭纤维生长因素研究,发现有利于微螺旋炭纤维生长的最佳反应条件:反应温度为750℃,噻吩温度为30℃,H2/C2H2=3,反应时间为2h,石墨棒竖直起来放置.

常压化学气相输运法合成Zn1-xCoxO晶体

蔡淑珍;李志强;徐丽云;郑一博;韦志仁

2007, 36(3): 565-568.

摘要 ( 8 )

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本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体.电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较SiO2 晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{0001-}和正极面c{0001},晶体表面光滑.在石英基片上得到的Zn1-xCoxO晶体生长的棱面较模糊,基片的部分晶体非定向密集生长,连续形成薄膜结构.X衍射证实晶体为ZnO纤锌矿结构.X光能谱﹙EDS﹚测量表明 ZnO 晶体有钴离子的存在,且浓度随原料中的Co2O3:ZnO的比值增大而增加 .

硼掺杂金刚石薄膜研究

魏俊俊;贺琦;高旭辉;郭会斌;石绍渊;吕反修;唐伟忠;陈广超

2007, 36(3): 569-572.

摘要 ( 14 )

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硼掺杂是改善金刚石薄膜电阻率的有效手段,被认为是将金刚石薄膜用于制备电化学电极的途径.本文通过CVD法在单晶硅片上制得掺硼金刚石薄膜(BDD),并采用四点探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对之进行检测,发现随着硼掺入量的增加,薄膜电阻率逐渐降低,重掺杂时可达2.0×10-3Ω·cm.同时金刚石薄膜的固有质量出现恶化,表现为金刚石晶粒的碎化以及拉曼观察到的薄膜内应力的增加和非金刚石峰的出现.对薄膜电极进行电化学测量发现BDD电极在酸性溶液中具有非常宽的电位窗口和高的阳极极化电位,且背景电流极低.

采用片状铁基触媒借鉴粉末工艺合成金刚石

李和胜;宫建红;王美;李木森

2007, 36(3): 573-577.

摘要 ( 6 )

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以单质金属粉为原料,采用粉末冶金方法制备了片状铁基触媒,并借鉴目前金刚石工业中最为常用的粉末触媒组装方式及合成工艺在高温高压下进行了金刚石合成试验.试验获得了粒径为300～500μm,具有六-八面体外形,形态完整,质量较高的立方金刚石单晶.检测发现,其主要性能指标均超过机械行业标准《人造金刚石技术条件》(JB/T7989-1997)对锯片级金刚石的技术要求,评级可在SMD30以上.同时,还具有较小的磁性和优于一般金刚石的热稳定性.试验验证了采用单质金属粉合成优质金刚石的可能性,有望进一步简化触媒制备工艺,降低金刚石的生产成本.

硅锗合金Seebeck系数影响因素的研究

索开南;张维连;赵嘉鹏;周子鹏

2007, 36(3): 578-583.

摘要 ( 7 )

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作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300～1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化.并对组分相同导电类型不同、晶向不同以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,Seebeck系数的绝对值大小一般在200～600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,表现出了明显的各向异性.此外,材料本身的电阻率除了作为一个热电参数影响最优值外,其大小还对Seebeck系数的绝对值有影响,即掺杂济浓度对Seebeck系数的影响.

中频对向靶磁控溅射制备超薄ZnO薄膜及其在太阳电池中的应用

李微;孙云;敖建平;何青;刘芳芳;李凤岩

2007, 36(3): 584-588.

摘要 ( 9 )

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中频溅射制备ZnO薄膜可改善射频磁控溅射方式中沉积速率过慢的缺点.对于多层薄膜的制备,对向靶的设计可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤.本文采用这项技术制备厚度约为50nm的ZnO薄膜,通过调整工作压强、溅射功率、氧氩比等工艺条件,制备出均匀致密,结晶质量高,电阻率在102～103Ω·cm之间,可见光区透过率达到90;的ZnO薄膜.将其应用到CIGS太阳电池中发现,具有50nm厚度的ZnO层的CIGS太阳电池的性能较无ZnO层的太阳电池都有了很大提高.

高介电常数CaCu3Ti4O12陶瓷粉体的合成与烧结

刘蓓蓓;王传彬;沈强;张联盟

2007, 36(3): 589-591.

摘要 ( 8 )

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采用固相合成及常压烧结的方法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电常数陶瓷材料,采用XRD、SEM、LCR等测试手段对合成与烧结过程以及介电性能进行了研究.结果表明,在温度高于1000℃时,CaCO3、CuO和TiO2可完全反应生成CCTO;温度高于1150℃时,CCTO分解.CCTO合成粉体的适宜烧结温度为1100℃,烧结试样结晶完整,结构致密,1kHz频率下相对介电常数达1.5×104,介电损耗0.27.

ZrB2/ZrO2复合粉体的放电等离子烧结行为

宋建荣;刘蓓蓓;李俊国;宋杰光;沈强;张联盟

2007, 36(3): 592-595.

摘要 ( 13 )

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以高纯ZrB2粉末和ZrOCl2为原料,应用沉淀法制备了ZrO2包覆ZrB2复合粉体,并通过放电等离子烧结技术(SPS)得到高致密度的ZrB2/ZrO2复合材料.采用TEM、SEM、XRD对粉体及其烧结体进行测试,并对纯ZrB2粉体与包覆式复合粉体的烧结行为进行分析.研究结果表眀:利用沉淀法可以形成包裹结构;包覆式复合粉体的烧结性能大大优于纯ZrB2粉体,在1950℃的烧结温度下,保温10min,得到相对致密度97.8;的ZrB2/ZrO2复合材料.

压电纤维复合材料的静电场分析

刘永刚;沈星;赵东标;裘进浩

2007, 36(3): 596-600.

摘要 ( 10 )

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采用有限元法分析了外电压作用于压电纤维复合材料时的静电场分布,讨论了静电场对元件极化和作动性能的影响,研究了电极区聚合物的介电常数和厚度尺寸,及其IDE宽度和周期对压电纤维复合材料静电场的影响,研究结果表明:增加电极区聚合物的导电性,压电纤维复合材料静电场可以得到显著提高,最大可以提高54倍;减小电极区聚合物的厚度,同样可以显著提高静电场,最大可以提高55倍.IDE参数对电场的均匀性区域大小和电场强度大小影响也比较大.

支撑沸石分子筛膜的研究进展

杨赞中;许珂敬;田贵山

2007, 36(3): 601-607.

摘要 ( 14 )

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支撑沸石分子筛膜具有优良的择形分离与催化性能,且具有耐高温、抗化学侵蚀性强及机械强度高等特点,在膜分离和膜反应中的应用前景广阔;此类无机膜还可作为原子簇和超分子化合物的纳米组装基体,在制备具有特殊功能的光学和电化学材料等方面具有潜在的重要用途.本文综合评述了支撑分子筛膜的研究进展,阐述了支撑分子筛膜的水热合成方法(包括原位合成法和晶种法)及定向生长机理,讨论了最具开发潜力的A型和MFI型支撑沸石膜的合成条件及其与膜结构的关系,提出了需要进一步解决的问题和今后的主要研究方向.

热处理对Ni0.7Zn0.3O薄膜结构及缺陷荧光特性的影响

林方婷;李娜;马学鸣;石旺舟

2007, 36(3): 608-611.

摘要 ( 8 )

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采用脉冲激光沉积法在Si(100)衬底上制备了Ni0.7Zn0.3O薄膜,通过热处理改变薄膜的缺陷状态,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光谱仪表征薄膜的晶体结构、表面形貌和缺陷发光特性.结果表明:沉积态薄膜为立方结构的Ni0.7Zn0.3O单相,且沿着(200)面高度取向生长.经过热处理后,薄膜形成ZnO和Ni0.7Zn0.3O两相共存的镶嵌结构.样品具有非常丰富的室温荧光光谱,其发光峰主要来自Ni0.7Zn0.3O的缺陷能级跃迁,多缺陷能级导致了多发光峰的荧光光谱.热处理引起薄膜中缺陷的种类和浓度发生变化,严重影响其发光特性.

晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO4晶体生长研究

唐慧丽;董永军;徐军;赵志伟;吴锋;邹军;周国清

2007, 36(3): 612-616.

摘要 ( 17 )

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采用提拉法成功生长了氮化镓和氧化锌基外延薄膜晶格匹配的ScAlMgO4单晶衬底材料,晶体呈透明白色,尺寸为30mm×59mm,表面部分沿解理面有裂纹.粉末X射线衍射(XRD)分析表明经1400℃固相反应烧结的原料基本合成了ScAlMgO4多晶相.初步的偏光显微镜观察、晶体的粉末XRD表征、透过光谱和双晶摇摆测试表明晶体具有较好的光学性质和结晶质量.研究表明晶体本身的层状结构、较大的温度梯度和热应力的不均匀性是生长过程中引起晶体开裂的几个主要原因.

Al2O3-ZrO2-YAG复相粉末的低温合成研究

邵刚勤;周芙蓉;段兴龙;史晓亮;封铁柱

2007, 36(3): 617-620.

摘要 ( 31 )

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用低温原位合成技术制备了Al2O3-ZrO2-YAG复相粉末,在1100℃,5h热处理后,Al-Zr-Y-O体系中的主相为ZrO2四方相,其余为无定形相,表明ZrO2抑制了Al2O3和YAG晶粒的生长,同时Al2O3和YAG抑制了ZrO2从四方相向单斜相的转变.在1580℃,1h热处理后,Al-Zr-Y-O体系中的复相组成为(115+90x)Al2O3+54(Y2O3)x·ZrO2+(32-36x)YAG,其中0 ≤x＜0.88(mol).

新型碳纳米管材料吸附剂性能研究

刘杰民;范慧俐;李琳;宁占武;赵鹏

2007, 36(3): 621-626.

摘要 ( 26 )

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本文研究了碳纳米晶体材料-多壁碳纳米管作为新型挥发性有机化合物采样吸附剂的性能和效果.实验结果表明,碳纳米管比表面积较大,对VOCs回收率高,有更强的吸附能力;本底低,干扰少,再生性能良好,可重复使用,不易老化;机械强度好,化学惰性,更能耐高温且有较长的寿命;采样管采集VOCs时对低碳数的化合物,采样稳定性好;具有较大的穿透容量,用于富集不同浓度不同体积的大气样品,能够有效防止采样过程中发生穿透现象,所以碳纳米管作为大气中挥发性有机化合物采样吸附剂具有巨大潜力.

水热法制备Sm2O3微晶薄膜

黄艳;黄剑锋;曹丽云;陈东旭;吴建鹏

2007, 36(3): 627-630.

摘要 ( 8 )

PDF (589KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

以氯化钐为起始原料,采用水热法在玻璃基板和Si(100)基板上制备了Sm2O3薄膜,研究了水热反应温度对薄膜晶相、显微结构和光学性能的影响.采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外-可见自记式分光光度计等对薄膜的相组成、显微结构和光学性能进行了表征.结果表明:Sm2O3薄膜在玻璃基板和Si(100)基板上均表现出一定的定向生长的特征;Sm2O3薄膜对紫外线有强烈的吸收作用;随着反应温度从170℃ 升高到 185℃,薄膜的结晶性变好,对紫外和可见光的吸收性均增强;薄膜禁带宽度由2.88eV增加到2.95eV.

Zn2+掺杂对TiO2相变温度和晶粒尺寸的影响

金丽娜;史志铭;闫龙

2007, 36(3): 631-633.

摘要 ( 15 )

PDF (568KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

采用溶胶-凝胶法制备了不同含量Zn2+掺杂的氧化钛粉体,利用TG-DTA、XRD测试技术检测了锌离子掺杂对锐钛矿和金红石相变及其晶体尺度的影响.试验结果表明,锌离子的掺入抑制了锐钛矿和金红石的相变,使相变温度提高,而且显著阻碍晶体的生长,从而获得纳米晶体.

ZnO纳米线的水热法生长

赵文刚;马忠权;裴广庆;杨文继;徐飞;王德明;赵占霞

2007, 36(3): 634-637.

摘要 ( 9 )

PDF (1002KB) ( 29 )

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本文采用两步湿化学法在玻璃衬底上制备了ZnO纳米线.首先,利用Sol-gel方法在载玻片上制备含有ZnO纳米颗粒的薄膜作为"种子"衬底.然后,利用水热法在"种子"衬底上生长了高度取向的ZnO纳米线.并对"种子"衬底和随后生长的ZnO纳米线进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子形貌图(SEM)和原子力显微镜(AFM)等分析.结果表明"种子"衬底为大范围内纳米颗粒均匀一致的ZnO 薄膜.通过水热法制备的ZnO纳米线的直径在50～80nm,平均直径为60nm,长度大约为2μm.该ZnO纳米线除了具有很强的紫外发光(399nm)外,还在蓝光(469nm)和绿光(569nm)波段有较弱的光致发光现象.

纳米Al粉热反应特性的研究

卢红霞;曾昭桓;侯铁翠;张锐

2007, 36(3): 638-641.

摘要 ( 7 )

PDF (845KB) ( 28 )

相关文章 | 计量指标

利用热重/差式量热扫描法(TG / DSC)和XPS和对纳米Al粉和普通微米级Al粉在不同载气环境(空气、Ar或O2)下进行热力学分析,着重对两种Al粉在空气环境下,不同温度下的氧化特性进行了分析对比.结果表明,纳米Al粉表现出与微米Al粉不同的反应活性和氧化特性,空气中纳米Al粉在550℃以下纳米Al未见明显氧化现象;微米铝粉在空气中1000℃以下不会出现明显氧化.

不同表面活性剂对纳米ZnO/ZrO2的制备和脱硫性能的影响

顾华志;汪慧峰;汪厚植;汪姣

2007, 36(3): 642-645.

摘要 ( 14 )

PDF (705KB) ( 37 )

相关文章 | 计量指标

研究不同表面活性剂对采用共沉淀-真空冷冻干燥法制备的ZnO/ZrO2纳米催化剂的结构和物相变化的影响,并在模拟烟气中利用气相色谱仪进行脱除SO2性能的测定.结果表明,表面活性剂的引入可以降低纳米ZrO2的平均晶粒度.与吐温80、PEG-400和PVA相比,柠檬酸铵和DBS抑制晶核生长的能力更大,从而纳米ZrO2的平均晶粒尺寸更小,脱硫率更高;由于PEG-400具有络合正离子的能力,可防止纳米活性组分的团聚和长大,其催化吸收SO2的性能最好.

高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究

杨根;张丽伟;卢景霄;谷锦华;陈永生;文书堂;汪昌州;王子健

2007, 36(3): 646-649.

摘要 ( 8 )

PDF (470KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构.发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低.

溶剂热法合成CoS2纳米粉体

王明旭;岳光辉;耿中荣;渠冬梅;闫鹏勋

2007, 36(3): 650-652.

摘要 ( 10 )

PDF (702KB) ( 38 )

相关文章 | 计量指标

本文采用溶剂热法,以CoCl2·6H2O 、Na2S·9H2O为原料,乙二醇和无水乙醇为溶剂,在180 ℃恒温下制备出CoS2纳米粉体.用XRD和SEM、TEM对其组成、粒径大小、表面形貌进行表征,用VSM对其铁磁性进行测量.结果表明, 制得的CoS2为粒度均匀、粒径分布在10～50nm之间的球形铁磁性纳米材料.

水热合成钛酸盐纳米管的晶型结构及光催化活性

王竹梅;李月明;朱棉霞;廖润华;江向平;张玉平

2007, 36(3): 653-657.

摘要 ( 8 )

PDF (797KB) ( 36 )

相关文章 | 计量指标

以锐钛矿相为主的氧化钛粉体为原料,在强碱条件下采用水热合成法制备出外径约10nm的钛酸盐纳米管.采用TEM、XRD和EDS对产物进行表征,并对其热稳定性、光催化活性进行测试,研究结果表明:制得的纳米管的结晶程度很低,主要成分为钛酸钠,含少量锐钛矿二氧化钛;煅烧温度对钛酸盐纳米管的晶型结构和光催化活性有显著影响.未煅烧及400℃煅烧的纳米管光催化活性较低, 500℃煅烧后具有较高的光催化活性,但煅烧温度高于600℃后,由于锐钛矿晶体减少,纳米管的光催化活性降低.

纳米ZrO2(CaO)复合粉体的制备研究

王焕英;张萍;周晓霞;吕海燕;张兆志;殷春英;陈萍;武戈

2007, 36(3): 658-661.

摘要 ( 13 )

PDF (579KB) ( 28 )

相关文章 | 计量指标

采用化学沉淀法合成了ZrO2(CaO)复合粉体,并讨论了反应条件对样品的影响,通过DTA、XRD、分光光度计等手段对产品进行了表征,结果表明:采用合适的合成条件可以得到粒度分布均匀、粒径约35.2nm的ZrO2(CaO)复合粉体,采用合适的CaCl2/ZrOCl2·8H2O的量比可以得到ZrO2(CaO)的完全固溶体.

微波辐射沉淀法制备碳纳米管负载均分散Fe2O3

杨燕;李晓东;杨荣杰

2007, 36(3): 662-667.

摘要 ( 6 )

PDF (1268KB) ( 36 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了微波辐射沉淀法制备碳纳米管负载Fe2O3粒子.实验表明,采用微波辐射并加入十二烷基苯磺酸钠作为表面活性剂,可在较短时间内,制备出碳纳米管负载均分散的Fe2O3粒子,并对一系列影响因素进行了理论分析.

PLZT纳米薄膜的制备及其特性研究

宿杰;余大书;郭云峰;何聚;王立群

2007, 36(3): 668-671.

摘要 ( 7 )

PDF (708KB) ( 32 )

相关文章 | 计量指标

经溶胶-凝胶法制备出PLZT纳米多层膜,采用热重-差热、X射线衍射、拉曼光谱、SEM等对目标产物进行性能和微结构分析.结果表明:在 700℃下保温30min,得到粒径约为50～70nm钙钛矿结构的PLZT纳米薄膜,随Zr含量增大粒径变小,且由三方相向四方相转变.

放电等离子烧结硼-碳系陶瓷

章嵩;杨蕊;沈强;王传彬;张联盟

2007, 36(3): 672-674.

摘要 ( 6 )

PDF (426KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

采用高纯硼粉和碳粉放电等离子烧结工艺(Spark Plasma Sintering technique)烧结了三种不同化学计量比的硼-碳系陶瓷,分别为:B3.5C, B4.0C和B4.5C.用X 射线衍射分析了烧结体的物相.结果表明:原始粉末在1300～1600℃合成富硼碳化硼陶瓷(B4C1-x),致密化过程则发生在1700℃～1900℃.用放电等离子烧结成功地在1900℃获得了相对致密度大于95;的碳化硼陶瓷.

高强度铝质瓷连接材料及工艺的研究

任强;何选盟;朱振峰

2007, 36(3): 675-678.

摘要 ( 9 )

PDF (733KB) ( 32 )

相关文章 | 计量指标

采用熔融-水淬法制备CaO-Al2O3-SiO2系玻璃熔块,作为高强度铝质瓷的连接材料.应用DTA、XRD及SEM等手段研究了连接材料在加热过程中的物理化学变化,以及二次烧成工艺对连接材料组成、结构和性能的影响.结果表明,合理的二次烧成工艺能够使连接层转变成为结构致密、热膨胀系数与母体材料相适应的微晶玻璃,其主晶相为直径2～3μm、长度5～10μm的β-CaSiO3微晶,连接体平均抗弯强度可达120 MPa,超过母体材料抗弯强度的85;.

TiO2介孔材料的制备及其结构表征

孙竹青;周豪慎;谢毅;陈明清

2007, 36(3): 679-682.

摘要 ( 7 )

PDF (752KB) ( 35 )

相关文章 | 计量指标

以三嵌段高分子表面活性剂EO20PO70EO20(P123)为模板剂,异丙醇钛(TTIP)为无机母体源,采用溶胶-凝胶法制得稳定透明的TiO2凝胶,经煅烧后得到了TiO2介孔材料.分别用X射线衍射(XRD)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、N2吸附-脱附和紫外-可见分光光度计对TiO2介孔材料的结构、形貌、比表面积、孔径以及光催化活性进行了表征.所得结果表明:通过调整P123与TTIP的配比,在400℃下煅烧可得到局部结晶有序、比表面积大、催化活性高的TiO2介孔材料.

水热LSS法制备La(OH)3 纳米晶

黄剑锋;夏昌奎;曹丽云;吴建鹏;贺海燕

2007, 36(3): 683-686.

摘要 ( 12 )

PDF (666KB) ( 37 )

相关文章 | 计量指标

采用基于在水热合成的过程中发生于液相、固相和溶液相界面处的相扩散和分离机制的液相(Liquid)-固相(Solid)-溶液相(Solution)(LSS)法成功地制备出具有规则形状的La(OH)3纳米晶,主要研究了水热反应釜填充比、水热反应温度等工艺因素对La(OH)3纳米晶的晶粒尺寸及相组成的影响.采用X射线衍射仪、纳米粒度分析仪和透射电子显微镜对所制备的La(OH)3纳米晶进行表征.结果表明:所制备的La(OH)3由直径约为10～40nm的纳米晶组成,晶粒尺寸分布均匀;随着水热反应温度从120℃增加到220℃,La(OH)3纳米晶结晶程度提高,晶粒的平均尺寸从14nm增加到40nm;在60～80;范围内,水热反应釜填充比对La(OH)3纳米晶的粒度影响不大.

稀土强化Al2O3/Ti(C,N)陶瓷材料的热震与高温氧化行为研究

许崇海;尚明;方斌

2007, 36(3): 687-691.

摘要 ( 7 )

PDF (1155KB) ( 34 )

相关文章 | 计量指标

以稀土强化Al2O3/30vol;Ti(C,N)/0.5vol;Y2O3陶瓷材料为基础,进行了材料的热震与高温氧化行为研究,并采用SEM、XRD进行微观结构特征和物相分析.结果发现,该材料具有良好的抗热震性能与抗氧化性能.微观结构观察发现,热震损伤的主要形态是晶粒脱落、不同形状纵横交错的微观与宏观裂纹.约在900℃时材料开始发生轻微氧化,速度较慢,而在1200℃时氧化加剧.所形成的氧化产物TiO2,可以在材料表面形成氧化膜,阻止材料进一步的氧化.

CaO-MgO-Al2O3-SiO2-P2O5-(F)微晶玻璃的析晶及特征

王玥;田清波;岳雪涛;王修慧;高宏

2007, 36(3): 692-695.

摘要 ( 9 )

PDF (682KB) ( 39 )

相关文章 | 计量指标

采用熔融法制备了不同P2O5及F含量的CaO-MgO-Al2O3-SiO2-P2O5-(F)基础玻璃试样,研究了CaO-MgO- Al2O3-SiO2-P2O5-(F)系微晶玻璃的析晶及特征.结果表明:在CaO-MgO-Al2O3-SiO2-8.0wt;P2O5玻璃中,表面析晶和内部析晶同时存在,析出晶体主要为钙长石(CaAl2Si2O8)相、硅灰石(CaSiO3)和α-磷酸钙(Ca3(PO4)2).玻璃中P2O5含量的提高抑制玻璃的表面析晶,同时促进了玻璃的整体析晶和α-磷酸钙晶体析出.同时添加P2O5和F的玻璃试样以整体析晶为主,析出晶体为块状氟磷灰石和粒状钙长石相.

高性能Si-α-SiC-β-SiC复合涂层的研究

张玉涛;黄剑锋;曾燮榕;熊信柏;邓飞;曹丽云;吴建鹏

2007, 36(3): 696-698.

摘要 ( 6 )

PDF (547KB) ( 19 )

相关文章 | 计量指标

以硅粉、石墨粉为包埋原料及MgO、Al2O3和B2O3等为促渗剂,采用二次固渗工艺在C/C复合材料表面制备了Si-α-SiC-β-SiC复合涂层.并采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对复合涂层进行了表征.结果表明:一次固渗后的涂层为Si-β-SiC涂层, 两次固渗后可以获得致密的Si-α-SiC-β-SiC复合涂层,涂层厚约300μm,具有致密的表面和断面结构,没有开裂和孔隙等缺陷.氧化性能测试表明:在1500℃的静态空气气氛下氧化200h后,Si-α-SiC-β-SiC复合涂层能对C/C复合材料进行有效保护,涂层试样的失重仅为4.42×10-4g·cm-2.

(Ti1-xAlx)N硬质涂层的研究进展

张飞;闫鹏勋;陈江涛;苗彬彬;李冠斌;王君

2007, 36(3): 699-704.

摘要 ( 12 )

PDF (1071KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

TiAlN作为一种三元复合纳米涂层材料,具有非常好的性能.该涂层克服了TiN涂层所存在的一些缺陷,其硬度远远高于TiN涂层,最高可达47GPa, 并且具有很好的热稳定性,在700℃高温下仍很稳定,而TiN涂层在500℃时就已被氧化.TiAlN涂层还具有抗磨损,摩擦系数小,热膨胀系数及热传导系数低等特性,这些特性与涂层中Al含量的多少有关,Al含量的改变会导致涂层微观结构的改变,从而使其性能发生变化.氮分压和基底温度对TiAlN涂层的性质有着极其重要影响.本文结合国内外对TiAlN涂层的最新研究进展,对TiAlN涂层的应用,制备方法,结构,抗氧化性及硬度作了简要论述.

水杨醛及其衍生物席夫碱配合物制备、性能研究现状

金黎霞;刘峥;夏金虹

2007, 36(3): 705-710.

摘要 ( 16 )

PDF (1320KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

本文综述了水杨醛及其衍生物席夫碱配合物的合成方法及影响因素,阐述了它的生物活性、现场配位标记、放射性金属核素的潜力、杀菌活性,对超氧离子的抑制作用,催化活性等各方面性能,及其在分析化学和应用化学中的应用.

两面顶模具结构的研究进展

王鹏;王强;蔡冬梅

2007, 36(3): 711-716.

摘要 ( 11 )

PDF (1089KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

本文简要介绍了两面顶装置在合成高档金刚石工艺中的优势,以及两面顶模具技术在欧、美、日和中国的发展历程及研究进展情况,给出了各类两面顶模具的结构示意图及模具相关技术的有限元研究,对今后两面顶模具的结构设计与力学分析提供了依据.通过对比不同两面顶模具的结构形式,对压缸的几何参数进行了系统的分类和汇总.简要分析了我国人造金刚石行业的发展现状.

3英寸6H-SiC单晶的生长

王英民;宁丽娜;陈秀芳;彭燕;高玉强;胡小波;徐现刚;蒋民华

2007, 36(3): 717-718.

摘要 ( 15 )

PDF (403KB) ( 38 )

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