
人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (3): 584-588.
李微;孙云;敖建平;何青;刘芳芳;李凤岩
出版日期:2007-06-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:LI Wei;SUN Yun;AO Jian-ping;HE Qing;LIU Fang-fang;LI Feng-yan
Online:2007-06-15
Published:2021-01-20
摘要: 中频溅射制备ZnO薄膜可改善射频磁控溅射方式中沉积速率过慢的缺点.对于多层薄膜的制备,对向靶的设计可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤.本文采用这项技术制备厚度约为50nm的ZnO薄膜,通过调整工作压强、溅射功率、氧氩比等工艺条件,制备出均匀致密,结晶质量高,电阻率在102~103Ω·cm之间,可见光区透过率达到90;的ZnO薄膜.将其应用到CIGS太阳电池中发现,具有50nm厚度的ZnO层的CIGS太阳电池的性能较无ZnO层的太阳电池都有了很大提高.
中图分类号:
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