3英寸6H-SiC单晶的生长

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (3): 717-718.

• • 上一篇

3英寸6H-SiC单晶的生长

王英民;宁丽娜;陈秀芳;彭燕;高玉强;胡小波;徐现刚;蒋民华

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2007-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03A145);国家自然科学基金(50472068);山东省重大科技专项计划(2006GG1103046)

Growth of 3 inch 6H-SiC Single Crystal

WANG Ying-min;NING Li-na;CHEN Xiu-fang;PENG Yan;GAO Yu-qiang;HU Xiao-bo;XU Xian-gang;JIANG Min-hua

Online:2007-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

王英民;宁丽娜;陈秀芳;彭燕;高玉强;胡小波;徐现刚;蒋民华. 3英寸6H-SiC单晶的生长[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(3): 717-718.

WANG Ying-min;NING Li-na;CHEN Xiu-fang;PENG Yan;GAO Yu-qiang;HU Xiao-bo;XU Xian-gang;JIANG Min-hua. Growth of 3 inch 6H-SiC Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(3): 717-718.

3英寸6H-SiC单晶的生长

Growth of 3 inch 6H-SiC Single Crystal

PDF (PC)

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 0

编辑推荐

Metrics

本文评价