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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (6): 1211-1214.
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何知宇;赵北君;朱世富;叶林森;钟雨航;王立苗;杨慧光;曾体贤
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RSS出版日期:2007-12-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:HE Zhi-yu;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;YE Lin-sheng;ZHONG Yu-hang;WANG Li-miao;YANG Hui-guang;ZENG Ti-xian
Online:2007-12-15
Published:2021-01-20
摘要： 将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SHIMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法.
中图分类号:
何知宇;赵北君;朱世富;叶林森;钟雨航;王立苗;杨慧光;曾体贤. CdSe晶片的红外透过率研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(6): 1211-1214.
HE Zhi-yu;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;YE Lin-sheng;ZHONG Yu-hang;WANG Li-miao;YANG Hui-guang;ZENG Ti-xian. Study on IR Transmittance of CdSe Wafer[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(6): 1211-1214.
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