人工晶体学报

何知宇;赵北君;朱世富;叶林森;钟雨航;王立苗;杨慧光;曾体贤

2007, 36(6): 1211-1214.

摘要 ( 26 )

PDF (273KB) ( 28 )

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将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SHIMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法.

水热合成氮化硼过程中二次氮源加入温度对物相的影响

李凯;廉刚;姜海辉;赵显;王琪珑;崔得良;陶绪堂

2007, 36(6): 1215-1219.

摘要 ( 27 )

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立方氮化硼是一种具有很高应用价值的超硬材料,但目前合成立方氮化硼需要十分苛刻的条件,严重限制了它的应用范围.为了在温和条件下合成立方氮化硼,我们提出了水热选相原位合成方法,并对主要的影响因素进行了研究.本文中,我们探讨了水热合成立方氮化硼过程中,二次氮源的加入温度对产物中物相种类及其含量的影响.结果表明:随着二次氮源加入温度的升高,样品中立方氮化硼的含量逐渐增加,当该温度达到300℃时,可以得到单相立方氮化硼.比较反常的是,当二次氮源的加入温度为260℃时,立方氮化硼的含量却反常地减少.为了解释这个现象,我们提出了一个物相转变势垒的初步模型,并对有关实验现象进行了初步分析.

Cd0.8 Mn0.2 Te晶体生长及结晶质量评价

杨波;介万奇;张继军;白旭旭

2007, 36(6): 1220-1224.

摘要 ( 16 )

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采用垂直布里奇曼法生长了尺寸为φ30 mm×120 mm的Cd0.8Mn0.2Te晶锭.采用X射线粉末衍射及X射线双晶摇摆曲线分析了晶体的结构与结晶质量,结果显示所生长的晶体为单一立方闪锌矿结构,半峰宽为47.2aresec,结晶质量良好.采用化学腐蚀方法显示了晶体中的多种缺陷,包括位错,Te夹杂和孪晶.采用光学显微镜,扫描电镜和X射线能谱仪对缺陷形态和分布进行了研究.结果表明,晶体中位错密度在105～106cm-2之间.晶体局部存在Te夹杂相,尺寸为l～5μm.晶体中孪晶主要以共格孪晶存在.并提出了缺陷形成的原因和减少缺陷的方法.

[Mn(H2O)6][Bi(edta)2.2H2O的合成与晶体结构

蒋琪英;沈娟;杨定明;钟国清

2007, 36(6): 1225-1229.

摘要 ( 21 )

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以MnCO3与多胺羧酸铋反应,合成了含铋多金属配合物[Mn(H2O)6][Bi(edta)]2.2H2O,通过元素分析和红外光谱对配合物的组成和结构进行了表征.用热重-差热手段研究了配合物的热分解过程,用x射线单晶衍射法测定了其晶体结构.[Mn(H2O)6][Bi(edta)]2·2H2O属单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数:a=2.37013(4)nm,b=0.87111(2)nm,c=1.61082(3)nm,β=97.273(1).,Z=4,Mr=1193.46,V=3.299.01(11)nm3,Dc=2.403g.cm-3,μ=11.123mm-1,F(000)=2284,R1=:0.0210,wR2=0.0567.大量分子间氢键将整个连接起来形成无限3-D结构.

二价阳离子掺入KDP晶体能力的研究

张文彬;郑国宗;苏根博;庄欣欣;李征东

2007, 36(6): 1230-1234.

摘要 ( 16 )

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本文旨在寻找影响杂质阳离子进入KDP晶体能力的因素,我们使用分析纯的KH2PO4和超纯水(电阻率≥18.2MΩ·cm)为原料,分别加入BaCl2·2H2O,CuCl2·2H2O和MgCl2·6H2O,通过降温方式快速生长出KDP晶体.结果表明,cu2+及Mg2+在晶体中的含量基本保持不变,不随其在生长溶液中量的增大而增大,cu2+在晶体中的含量大于Mg2+在晶体中的含量;不同的是,Ba2+在晶体中的含量随着其在生长溶液中量增大而增大.从实验结果我们推断出离子半径和离子水合热是影响二价杂质阳离子在水溶液晶体生长过程中进入KDP晶体能力的重要因素.

CLBO晶体表面化学腐蚀和开裂机理的研究

张帆;袁欣;沈德忠;沈光球;王晓青

2007, 36(6): 1235-1239.

摘要 ( 54 )

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硼酸锂铯(CLBO)是一种性能优良的紫外倍频晶体,但在室温大气环境中使用时晶体容易开裂,影响了它的实际应用.本文用水(或/和)甘油作为腐蚀剂,对不同取向的CLBO晶体表面进行了腐蚀,对比了表面的腐蚀图案;通过纯甘油和纯水的腐蚀剂作用对比,并结合CLBO晶体晶胞内原子的排列情况,揭示了CLBO晶体开裂的微观机理:水分子从(100)或者(010)面上的结构通道进入CLBO晶体,与Cs、Li和B原子反应,生成Cs2B10O16·8H2O、α-Li4B2O5和H3BO3,打开了CLBO晶体的键链,从而引起晶体的开裂;最后展示了CLBO晶体由于水的侵蚀而开裂的全过程.

Fe3+对KDP晶体光学质量的影响

孙洵;张艳珍;徐明霞;孙绍涛;季来林;王正平;李恪宇;程秀凤;许心光

2007, 36(6): 1240-1244.

摘要 ( 22 )

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金属离子Fe3+对KDP晶体的生长和光学性质有明显影响.本文在前期研究的基础上[1]系统考察了该杂质离子对KDP晶体光学质量的影响.实验结果表明,三价金属离子Fe3+会降低KDP晶体的透光率,同时对晶体均匀性和光损伤阈值也有明显影响.光损伤阈值降低的主要原因在于杂质诱发缺陷导致的电子崩电离、多光子电离(尤其是双光子电离)等过程的发生.

BGO晶体生长固液边界层结构的微区研究

张霞;万松明;殷绍唐;尤静林;陈辉;赵思杰;张庆礼

2007, 36(6): 1245-1248.

摘要 ( 31 )

PDF (243KB) ( 39 )

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研究了BGO晶体固/液边界层及其两侧晶体和熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体生长固/液边界层以及边界层两侧晶体和熔体的结构特征.结果显示,桥氧键Bi-O-Ge和O-Bi-O在晶体和边界层中都存在,而在熔体中消失.说明[GeO4]和[BiO6]结构基团在晶体及边界层中都存在,边界层中的结构已接近晶体结构;但在熔体中[GeO4]结构基团和Bi3+却是两种独立的存在,长程有序的晶体结构消失.并首次报道了BGO晶体固/液边界层的厚度约为50μm.

提拉法Ti:LiAlO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究

黄涛华;周圣明;邹军;周健华;林辉;王军

2007, 36(6): 1249-1252.

摘要 ( 34 )

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本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1;原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌.结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;Nz退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMs)达到最低值.

硫酸盐对KDP晶体完整性的影响

孙洵;牟晓明;徐明霞;王波;刘冰;许心光

2007, 36(6): 1253-1256.

摘要 ( 27 )

PDF (229KB) ( 26 )

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本文利用高分辨X射线衍射技术,在"点籽晶"陕速生长法基础上,研究了掺杂K2SO4对KDP晶体锥面及柱面扇形结构完整性的影响.结果表明,在5×10-5的掺杂条件下,K2SO4对KDP晶体不同扇形区域的影响略有不同,其原因主要在于[SO42-]与KDP晶体各扇形相互作用不同有关.

5英寸Nd:GGG激光晶体的生长

贾志泰;陶绪堂;董春明;张健;蒋民华

2007, 36(6): 1257-1260.

摘要 ( 40 )

PDF (256KB) ( 43 )

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本文介绍采用提拉法,运用上称重自等径技术(ADC)生长5inch的掺钕钆镓石榴石(Nd:GGG)晶体.通过调整生长工艺参数,优化温场结构,我们成功生长了5inch的Nd:GGG晶体.晶体外观完整,无宏观缺陷,有望作为激光工作物质用于强固体热容激光器中.此外,我们对晶体的外形和生长界面作了讨论.

蓝宝石晶体热性能的各向异性对SAPMAC法晶体生长的影响

许承海;杜善义;孟松鹤;韩杰才;汪桂根;左洪波;张明福

2007, 36(6): 1261-1265.

摘要 ( 28 )

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采用有限元法对冷心放肩微量提拉法蓝宝石晶体生长过程中晶体内的温度、应力分布进行了模拟计算,结合实验结果讨论了蓝宝石晶体热性能的各向异性对晶体生长的影响.研究结果表明,对于冷心放肩微量提拉蓝宝石晶体生长系统,较大的轴向热导率有利于提高晶体的生长速率和界面稳定性,而稍大的径向热导率则有利于保持微凸的生长界面.晶体内的热应力受径向热膨胀系数的影响显著,随着径向热膨胀系数的增大而增大,最大热应力总是出现在籽晶与新生晶体的界面区域.在实验中选α轴为结晶取向,成功生长出了直径达230mm、高质量蓝宝石晶体.

Ce:KNSBN光折变联合变换相关的研究

刘宏利;邵磊;蒋诚志;黄福祥;贺顺忠;王肇圻

2007, 36(6): 1266-1269.

摘要 ( 20 )

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本文研究了Ce:KNSBN光折变联合变换相关,以Ce:KNSBN光折变晶体作为平方律转换器件,用波长为514.5nm的Ar+离子激光做写入光,在系统的傅里叶变换平面上放置光折变晶体记录输入靶物和参考物的联合变换功率谱,用632.8nm的He-Ne激光作为读出光,读出联合变换功率谱,输入到计算机进行处理,进而实现相关识别.实验研究了基于光折变晶体的传统联合变换相关器(PCJTC)和二元联合变换相关器(PBJTC)的识别能力.结果表明,PCJTC有着一定的相关识别能力,可实现靶物和参考物的相关识别,而采用了联合变换功率谱二值化后的PBJTC,其一级相关峰值较强而尖锐,中心直流零级峰相对减弱,并且有更大的相关信噪比,因此其相关识别能力也得到了一定的提高.

纳米铁/氧化铝复合粉体的机械力化学合成及其抗氧化性

郭相坤;范润华;邹立壮

2007, 36(6): 1270-1273.

摘要 ( 21 )

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金属Fe纳米粒子,易氧化和团聚,将其嵌入陶瓷基体中,可解决这个问题.本文以Al和Fe3O4为反应物,采用机械力化学法合成了纳米铁/氧化铝复合粉体.利用X射线衍射(XRD),结合透射电镜(TEM)分析了复合粉体的物相组成及纳米Fe的粒径.运用示差扫描量热法(DSC)、热重(TG)研究了在氩气和空气不同气氛、室温和高温不同温度下复合粉体的热稳定性.结果表明:复合粉体具有蛋糕-果仁形态,纳米Fe的粒径在20～80nm之间;复合粉体具有良好的抗氧化性.

PET上沉积Al掺杂ZnO薄膜的光电特性研究

杨贵源;周雄图;马学鸣;石旺舟

2007, 36(6): 1274-1278.

摘要 ( 21 )

PDF (309KB) ( 29 )

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采用脉冲激光沉积技术(PLD),室温下在柔性衬底PET上制备了高度c轴择优取向的Al掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明,不同Al掺杂浓度的样品均呈现单一的ZnO相.荧光光谱和透射光谱分析显示,低温低氧压下制备的Al掺杂ZnO薄膜在紫光区域有很强的荧光发射,在可见光区域具有较高的透射率;并且可以通过Al掺杂浓度调节薄膜紫色发光强度和薄膜带隙.薄膜的电阻率随着Al掺杂浓度的增加先降低后增加,在掺杂浓度为3;原子分数时达到最小值.

退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响

郑海务;孙利杰;张杨;张伟风;顾玉宗;傅竹西

2007, 36(6): 1279-1282.

摘要 ( 20 )

PDF (264KB) ( 33 )

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采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构.研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响.发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于可见光发射.随着退火温度的提高,紫外峰强度减弱直至消失,而绿光发射强度先增加而后降低.对退火温度引起ZnO薄膜发光性质改变的机制进行了探讨.

用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极

薛俊明;孙建;任慧志;刘云周;段苓伟;周祯华;张德坤;赵颖;耿新华

2007, 36(6): 1283-1287.

摘要 ( 23 )

PDF (264KB) ( 31 )

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本文首先在低温(140℃)和低功率下采用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO:A1透明导电膜.然后在单结(glass/SnO2/pin/)或双结(glass/SnO2/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70～lOOnm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发法沉积Al电极.实验获得了较好的n+/ZnO界面,实现了ZnO/Al背电极的增反作用,使电池的短路电流增加1～3mA/cm2,光电转化效率提高1～3;(绝对效率),小面积电池效率达到9.5;.

PEG对A1203陶瓷凝胶注模成型坯体表面起皮的抑制研究

张玉军;张兰;何洪泉;龚红宇

2007, 36(6): 1288-1292.

摘要 ( 22 )

PDF (347KB) ( 37 )

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采用凝胶注模工艺制备Al2O3,陶瓷过程中,在单体和交联剂的预混溶液中加入适量的聚乙二醇(PEG),能有效克服单体聚合的氧阻聚问题,从而消除陶瓷坯体的表面起皮现象.本文研究了PEG的用量对氧化铝粉体的分散特性、浆料的粘度以及坯体表面形态等影响,并初步讨论了PEG对凝胶化过程中氧阻聚效应的抑制作用.

Cd0.80Zn0.20Te晶体的生长及性能研究

方军;赵北君;朱世富;何知宇;高德友;张冬敏;程曦;王智贤

2007, 36(6): 1293-1296.

摘要 ( 27 )

PDF (245KB) ( 36 )

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用本实验室合成的Cd0.80Zn0.20Te多晶料为原料,采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Cd0.80Zn0.20Te晶锭.使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析,生长晶体的X射线衍射峰尖锐,摇摆谱对称,表明晶锭的结晶性能较好;用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱,测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小,均匀性较好,电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体;晶体的蚀坑密度在103～104cm-2之间,比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级.

用化学溶液方法在Ni-5at;W基底上制备La2Zr2O7过渡层的研究

何东;索红莉;赵跃;刘敏;张迎肖;叶帅;马灵姬;周美玲

2007, 36(6): 1297-1300.

摘要 ( 25 )

PDF (327KB) ( 23 )

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La2zr2O7(LZO)过渡层以其独特的物理化学性质越来越受到人们的关注.本文以乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆为前驱盐,丙酸为溶剂配置前驱液,用化学溶液方法(CSD)在具有立方织构的Ni-5at;W基底上制备了LZO过渡层薄膜.研究了前驱液成分、性质以及退火温度对LZO成相以及取向的影响.用常规XRD和X射线四环衍射仪分析了LZO薄膜的相成分和织构.结果显示,在1050℃下退火可以获得强立方织构的LZO薄膜,其中(222)峰的Phi扫描半高宽值为8.95;(400)峰的chi扫描半高宽值为6.8用高分辨扫描电子显微镜(FE-SEM)观察到LZO薄膜表面均匀致密,没有裂纹和空洞.

TiCl3水热合成纯金红相和锐钛相TiO2纳米晶体

韦志仁;罗小平;付三玲;李哲;胡志鹏;高平;王伟伟;董国义

2007, 36(6): 1301-1304.

摘要 ( 21 )

PDF (328KB) ( 26 )

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本文采用水热法,以TiCl3为前驱物,在180℃反应24h,合成了金红相纳米TiO2棒状晶体,晶体直径为50～100nm,长度为100～200nm.当添加10mol/L NaCl作矿化剂时,晶体长度达到600～800nm.当溶液中添加KF浓度为0.05mol/L时,生成物仍为金红相,晶体直径约为50nm,长度约为100nm.当溶液中添加KF浓度为0.7mol/L时,生成纯锐钛相纳米TiO2,晶体颗粒均匀,呈四方形,边长100nm左右.当KF浓度为1mol/L时,生成物仍为锐钛相,但晶体边长降为50nm左右.实验结果表明氟离子对锐钛相的形成有很强的诱导作用.

甲酸根桥联双核配合物的合成和晶体结构

钱保华;马卫兴;李善忠;许兴友;陆路德;杨绪杰;汪信

2007, 36(6): 1305-1308.

摘要 ( 16 )

PDF (291KB) ( 44 )

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以氧化锌、甲酸为原料合成甲酸锌,再与三(2-氨基乙基)胺及四氟硼酸钠在甲醇介质中反应,合成得到了新颖双核锌配合物{[Zn2(tren)2(HCO2)](BF4)3},用IR和1H-NMR等手段对该化合物的结构进行了表征,测得其晶体结构为单斜晶系,空间点群为Cc,晶体学参数为:a=0.85382(17)am,b=1.4503(2)am,c=2.3785(3)am,α=90.00,β=94.441(5),γ=90.00,V=2.9364(8)nm3;Dc=1.646g/cm3;Z=4;F(000)=1476;μ=1.737nm-1.

Er3+:NaY(Wo.9Moo.1O4)2晶体的生长及光谱性能

许丽梅;陈建中

2007, 36(6): 1309-1313.

摘要 ( 24 )

PDF (293KB) ( 32 )

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采用提拉法(CZ法),生长出质量良好的Er3+:NaY(W0.9Mo0.1O4)2晶体.通过X射线粉末衍射,红外光谱分析,并与NaY(WO4)2相比较,得到Er3+:NaY(W0.9Mo0.1O4)2晶体的结构与NYW类似,仍为四方晶系的白钨矿结构,I4(1)/α空间群.测定了晶体的实际组成,得到晶体中各元素均按理论值进行掺杂,计算了掺杂离子的分凝系数约为1.15.在光谱性质上,测试了晶体的吸收光谱,及晶体在50～1000cm-1波数范围内的拉曼光谱,并计算了各吸收峰的半峰宽及吸收系数A.

超声速红外长波光学整流罩设计技术研究

张义广;冯志高;杨军;殷志祥;余书平;周军

2007, 36(6): 1314-1318.

摘要 ( 28 )

PDF (354KB) ( 35 )

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红外光学整流罩的性能直接影响超声速飞行器的成像质量和探测性能.本文提出了一种基于硫化锌材料的整流罩设计方法,详细讨论了材料选择、外形尺寸、厚度、镀膜、与壳体连接方式等问题,分析了试验验证对整流罩设计的重要性.

晶体形态一些基本概念的实际意义分析

赵珊茸;刘嵘;杨明玲;王文魁

2007, 36(6): 1319-1323.

摘要 ( 21 )

PDF (304KB) ( 30 )

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本文对晶体学中关于晶体形态一些古老的基本概念(单形的正形与负形、左形与右形、一般形与特殊形)进行了深入思考,并从实际晶体形态上发育这些单形的角度,分析了它们的本质区别与内在含义:单形的正形与负形是属于同一几何单形、同一对称型(点群)的两个结晶单形,它们可以相聚;单形的左形与右形也是属于同一几何单形、同一对称型(点群)的两个结晶单形,但它们却具有不同的内部结构,所以它们不能够相聚;单形的一般形与特殊形只有结晶单形意义,无几何单形意义.这些认识阐明了过去我们多年来并没有足够重视的一些理论与实际问题,这有助于晶体形态对称理论的发展,也有助于晶体学教学思路的明确.

稀土离子掺杂钨酸铅晶体中的间隙氧

黄彦林;王锡钢;肖国先

2007, 36(6): 1324-1329.

摘要 ( 24 )

PDF (356KB) ( 24 )

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本实验使用激光选择激发和发射技术,对Eu3+掺杂(0.01;原子分数)的钨酸铅晶体进行了发光表征和研究,对原生态的PbWO4:Eu3+0.01;原子分数晶体,在空气气氛中分别进行了不同温度下的退火处理.在不同退火的样品中,Eu3+离子的5Do→7Fo激发光谱、5Do→FJ(J=1,2,3,4)发射光谱、发光衰减及其荧光寿命具有不同的特征.Eu3+离子的7Fo和5Do态都是单态,不会发生分裂,对应于7Fo→5Do激发跃迁的数目,就是Eu3+离子在晶格中的晶体学位置.实验证实了在Eu3+掺杂钨酸铅晶体之中,主要的电荷补偿机制是来自[(Eupb3+).-V"Pb-(Eupb3+).],在低温空气条件下退火产生间隙氧,产生新的电荷补偿[(Eupb3+).-O"i-(Eupb3+).].

真空蒸发法制备ZnSe薄膜的X射线光电子能谱研究

余晓艳;马鸿文

2007, 36(6): 1330-1333.

摘要 ( 19 )

PDF (188KB) ( 28 )

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本文用真空蒸发法制备了CIS太阳能电池中做缓冲材料的ZnSe薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)对制备薄膜的表面化学状态及沉积质量进行了研究,并用氩离子溅射进行剥蚀,逐层分析薄膜的化合态随深度的变化关系.XPS分析表明,ZnSe薄膜含有Zn、Se、O、C等元素,其中O、C为样品置于空气中所致,含量随剥蚀深度的加大而逐渐降低.Zn的光电子峰为Zn2p1/2和Zn2p3/2,Zn2p3/2的电子结合能为1021.90eV,对应着Zn2+的化合态,表明薄膜中zn以形式电荷为Zn2+的化合态形式存在;Se的光电子峰为Se3d,其电子结合能为54.30eV,对应着Se2-的化合态,表明薄膜中Se以形式电荷Se2-的化合态形式存在.分别经过1min、3min、7min、11min的剥蚀后,Zn和Se的光电子峰几乎没有改变,表明沉积的ZnSe薄膜表面和内部化学状态稳定一致.

一种新的三维网状硼钒酸盐K4[(VO)12O6B18O38(OH)4].6(H3O)·17H2O的水热合成和晶体结构

王怀宁;黄尊行;蔡珠玉;陈家鸿

2007, 36(6): 1334-1338.

摘要 ( 19 )

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以V2O5,H3BO3,KSCN,NH2 CH2 CH2 NHCH2 CH2 OH,CuCl·H2O和H2O为原料,按物质的量比1:5:2:2:2:500在180℃条件下晶化,得到黑色块状晶体K4[(VO)12O6B18O38(OH)4]·6(H3O)·17H2O.单晶结构分析结果表明该化合物属正交晶系,Pbca空间群,晶胞参数a=1.9193(4)am,b=1.8415(4)am,c=1.9231(4)nm,V=6.797(2)nm3,Z=4,R=0.0564,WR2=0.1649.该化合物的结构主要由阴离子簇[(VO)12O6B18O38(OH)4]10-构成.该阴离子簇由B18O38(OH)4十八元环夹在两个以共边方式交替相连形成的V6O18簇中间,通过共用氧原子形成三明治式结构新颖的硼-钒-氧阴离子簇,结构中阴离子簇通过与K离子形成的静电引力以及分子间的大量氢键相互连接,形成三维网状结构.价态计算结果表明,结构中n(VⅣ):n(Vv)=8:4.

聚乙二醇用于注凝成型ZrO2坯体干燥研究

王金锋;高雅春;谢志鹏;孙加林

2007, 36(6): 1339-1342.

摘要 ( 28 )

PDF (250KB) ( 27 )

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研究了注凝成型ZrO2坯体在聚乙二醇(PEG)溶液中的干燥过程,结果证明,随着PEG溶液浓度的增加,坯体脱水速度加快,平衡时残余水分降低;坯体固相含量越低,在PEG溶液中的脱水速度越快,干燥时间越短;随坯体尺寸增加,脱永速度降低,平衡时残余水分增高;注凝成型ZrO2坯体先在PEG溶液中脱水至平衡状态,再放置到空气中干燥,可以避免变形、开裂等缺陷的产生.

溶胶-凝胶法制备(Ba,Sr,Ca)TiO3薄膜及其介电调谐性能分析

秦伟;吴文彪;朱伟诚;程晋荣;孟中岩

2007, 36(6): 1343-1346.

摘要 ( 21 )

PDF (258KB) ( 29 )

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本文采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了(Ba0.6Sr0.4)1-xCaxTiO3(BSCT)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)薄膜.XRD及SEM结果表明表明,薄膜结晶良好,形成单一的钙钛矿结构,没有明显的裂缝.薄膜厚度大约为500nm.从介电常数和直流偏压电场的关系曲线上并没有滞后现象,这说明BSCT薄膜处于顺电相.随着x的增加,薄膜的介电常数、介电损耗和调谐率都有所下降,而优值有所提高.J-V特性表明Ca的加入显著降低了薄膜的漏电流.

合成工艺对2SrO·3A12O3:EW2+,Df3+磷光粉性能的影响

邱春丽;金应荣;赵欣

2007, 36(6): 1347-1350.

摘要 ( 25 )

PDF (221KB) ( 23 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了B2O3的摩尔含量和合成温度两个因素对名义组成为2SrO.3A12O3:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料性能的影响,实验表明,当B2O3加入量较少且合成温度适当时,可以观察到一个新物相的X射线衍射峰,此时EU2+的发射峰在460nm附近;当B2O3加入量较多或合成温度较高时,合成样品的主要物相是Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,此时Eu2+的发射主峰在490hm附近.当合成温度为1250℃,B2O3加入量为15;摩尔分数时,样品的发光亮度较高,仪器可测的余辉时间达16h以上,肉眼可见的余辉时间达到24h,具有一定的实用价值.

水热法合成微米级棒状SnO2

董国义;胡志鹏;李哲;罗小平;高平;王伟伟;韦志仁

2007, 36(6): 1351-1354.

摘要 ( 18 )

PDF (328KB) ( 22 )

相关文章 | 计量指标

本文采用水热法,以SnCl4·5H2O和ZnO为前驱物,6mol/L KOH作矿化剂,低温180℃反应12h,高温430℃反应24h,合成了微米级棒状SnO2.测量了合成材料的X射线衍射谱(XRD),利用透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)对晶体的形貌进行了表征.实验结果表明,在低温180℃时首先合成了ZnSnO3,提高温度到430℃,利用ZnSnO3高温分解的特性提供了SnO2晶体生长的溶质条件,使SnO2晶体持续生长,合成了微米级SnO2,晶体直径可达0.3～0.5μm,长度约为3～1Oμm.通过在酸性溶液中浸泡生成物,可以获得纯SnO2晶体.

定向排列纳米碳管

戴剑锋;芦玲;王青;李维学

2007, 36(6): 1355-1358.

摘要 ( 23 )

PDF (233KB) ( 29 )

相关文章 | 计量指标

本文提出在层流场中定向排列纳米碳管的技术,并理论计算了在层流场中、电场中、强磁场中重新定向排列的机理,用机械拉伸法将CNT均匀分散并定向排列在PMMA中,得到各向异性且力学性能和电学性能都很好的CNTs/PMMA复合材料.此实验结果证明机械拉伸法与层流场中定向排列纳米碳管的理论机理相符.

聚乙二醇分散Ca0.6Mg0.4Zr4(PO4)6纳米粉的制备

张小珍;周健儿;赵学国;汪永清;胡飞

2007, 36(6): 1359-1362.

摘要 ( 25 )

PDF (354KB) ( 19 )

相关文章 | 计量指标

以聚乙二醇(PEG4000)作分散剂,采用溶胶-凝胶法制备了Ca0.6Mg0.4Zr4(PO4)6(C0.6M0.4ZP)纳米粉.TG-DSC和XRD分析表明,凝胶经900℃热处理即可获得单相的C0.6M0.4ZP纳米粉.SEM和纳米粒度分析表明,未加入分散剂PEG试样,晶粒发生严重的团聚现象,平均粒径达到138nm,而加入PEG后,颗粒之间的团聚显著减轻,2.0;质量分数PEG分散后试样颗粒平均粒径仅为55nm.

缓冲层ZnPc对有机电致发光器件特性的影响

杨辉;王振交;席曦;艾凡凡;乔琦;季静佳;李果华

2007, 36(6): 1363-1367.

摘要 ( 22 )

PDF (356KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了酞菁锌(ZnPc)薄膜的表面形貌及ZnPc薄膜作为缓冲层对有机电致发光器件(OLEDs)光电特性的影响.对比两组样品的AFM图像,ZnPc薄膜相比于ITO薄膜,其表面的岛面积较大,薄膜表面更连续平整,基本上覆盖了ITO膜表面针孔,减少了表面的缺陷.另外,ZnPc薄膜的岛分布均匀有序.使用ZnPc作为缓冲层的器件性能明显好于未使用ZnPc修饰的器件,在7.42V的驱动电压下的最大发光亮度达到1.428kcd/m2,在4.3V电压驱动下时,最大光功率效率为1.411m/W;而未使用缓冲层的器件在8V的驱动电压下达到最大发光亮度达到1.212kcd/m2,在5.5V电压驱动下时,最大光功率效率为0.931m/W.

p/i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅太阳电池性能的影响

薛俊明;韩建超;张德坤;孙建;任慧志;管智贇;赵颖;耿新华

2007, 36(6): 1368-1371.

摘要 ( 33 )

PDF (260KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了pin型非晶硅(a-Si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响.研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有所增加,当沉积时间增加到约60s时,电池的初始效率达最大值,而后随着沉积时间的继续增加,电池效率下降.而在太阳电池的稳定性方面,当缓冲层沉积时间小于50s时,随着沉积时间的增加,电池衰退率增大;大于50s后,电池的衰退率又随沉积时间的增大而减小.

圣戈班斥资亿元在沪建立研发中心

2007, 36(6): 1371.

摘要 ( 11 )

PDF (95KB) ( 21 )

相关文章 | 计量指标

热丝法低温制备多晶硅薄膜微结构的研究

王丽春;张贵锋;侯晓多;姜辛

2007, 36(6): 1372-1376.

摘要 ( 20 )

PDF (356KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜.利用XRD、拉曼光谱和原子力显微镜(AFM)研究了灯丝与衬底间距(5～10mm),灯丝温度(1800～1400℃)和衬底温度(320～205℃)对薄膜晶体取向、晶化率、晶粒尺寸以及形貌的影响规律.结果表明,随着热丝与衬底间距增加,多晶硅薄膜的晶化率和晶粒尺寸明显减小;随热丝温度的降低,薄膜的晶化率都出现了大致相同的规律:先不断增大后突然大幅减小.

Ni(IO3)2·2H2O晶体的局部结构、吸收谱和漫反射光谱的研究

陈太红;肖顺文;陈元莉;余飞;曾体贤

2007, 36(6): 1377-1381.

摘要 ( 21 )

PDF (280KB) ( 28 )

相关文章 | 计量指标

采用半自洽场(semi-SCF)d轨道模型和点电荷模型,利用完全对角化方法,建立了D4h对称晶体场中晶体的局部结构与光谱之间的定量关系,统一解释了Ni(IO3)2·2H2O晶体的局部结构、吸收光谱和漫反射光谱的实验值,预测了Ni(IO3)2·2H2O晶体的光谱精细结构和电子顺磁共振(EPR)谱(零场分裂D和顺磁g因子).所得理论结果与实验值符合得很好.

高铝陶瓷显微结构及制备工艺对金属化层性能影响的研究

石棋;郭志猛;郝俊杰;罗凌虹

2007, 36(6): 1382-1385.

摘要 ( 22 )

PDF (309KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

通过配方及烧成工艺的改变,得到两种不同显微结构的高铝陶瓷材料,其一为晶粒大小均匀,边界清晰,晶粒堆砌结构;其二为晶粒大小不一,晶粒边界不清,甚至晶粒被包裹在玻璃相中,形成玻璃相堆积结构.测定了材料的抗折强度、体积电阻率、抗击穿强度、比重、金属化层抗张强度和气密性.分析了两种显微结构的成因及不同微观结构对陶瓷材料性能和金属化层性能的影响.实验证明:采用微粉氧化铝配料,利于获得金属化性能优良的细晶结构的高铝陶瓷材料;用粗粉氧化铝配料,并加人复合的添加剂,也可以获得细小晶粒堆砌结构的高铝陶瓷材料,这类结构高铝陶瓷材料的金属化层性能好.

水系流延技术制备95氧化铝陶瓷基片的研究

罗凌虹;江伟辉;顾幸勇;程亮;杨鲁生

2007, 36(6): 1386-1389.

摘要 ( 40 )

PDF (287KB) ( 28 )

相关文章 | 计量指标

本论文采用水系流延技术制备了95氧化铝陶瓷基片,主要对浆料中各种添加剂的作用作了系统研究.分散剂通过与无机粉料的吸附,提供双重稳定效应使浆料具有较好的分散性,实验中分散剂PAA(聚丙烯酸)最佳的用量为0.5wt;.粘结剂PVA(聚乙烯醇)最佳用量为4.5wt;.塑化剂PEG(聚乙二醇)的加入可以降低粘结剂的玻化温度,提高坯片柔韧性.塑化剂与粘结剂的用量比值(R)在1～1.2之间为宜.最终获得了具有一定强度、韧性、表面光滑的坯片,烧结出密度为3.785g/cm395氧化铝陶瓷基片.

β-环糊精为模板控制合成球状羟基磷灰石

邱超凡;肖秀峰;刘芳;朱丹琛;刘榕芳

2007, 36(6): 1390-1394.

摘要 ( 18 )

PDF (417KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

以ca(NO3)2·4H2O和(NH4)3PO4·3H2O为反应物,β-环糊精(β-CD)为模板,成功地合成了直径为2.0～3.0μm的球状羟基磷灰石(HA).用X射线粉末衍射分析(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和电导率测定等手段对所制得的样品进行了表征,结果表明β-CD的浓度很大程度地影响了HA的形貌.在1.0～1.5;β-CD为模板的条件下可以合成直径为3.Oμm左右的HA.β-环糊精与HA之间存在着相互作用促使了球状HA的生成,并讨论了这种作用的可能机理.

液相沉淀法制备硅酸镥粉体的研究

蒋成勇;陈红兵;肖化平

2007, 36(6): 1395-1398.

摘要 ( 28 )

PDF (381KB) ( 36 )

相关文章 | 计量指标

将氯化镥溶液滴加至硅酸钠溶液中制备出的沉淀,经过滤、陈化及烘干后对其进行XRD成分及SEM显微形貌的分析,结果表明粉体除少量杂质外,其主要成分都是由硅酸镥构成,而经烘干研磨后的粉体颗粒呈球形,将采用液相沉淀法与固体混合焙烧法所制备出的两种粉体进行了对比发现,采用前者可以不经高温煅烧就可以得到较纯硅酸镥,而后者在较高温度下煅烧后仍有大量原料残余,而且从颗粒尺寸、粉体形状以及烧结性能上来液相法制备出的粉体看都优于固相法.

PEG对沉淀法制备纳米MgO形貌的影响

王维;乔学亮;邱小林;陈建国;李海军

2007, 36(6): 1399-1402.

摘要 ( 55 )

PDF (269KB) ( 29 )

相关文章 | 计量指标

以PEG为分散剂,采用化学沉淀法制备了不同形貌的纳米MgO.用XRD和TEM分析了所制备粉体的物相组成和形貌特征,探讨了PEG对MsO形貌的影响并提出了可能的形成机理.结果表明:在Mg(OH)2成核数少时,PEG优先吸附在Mg(OH)2的(001)晶面上,抑制了此面的生长,形成了片状形貌;随着成核数的增加,PEG选择性吸附作用削弱,而采用最有效的密集包覆晶核,抑制了晶体生长,形成了"网络"状形貌.

助熔剂坩埚下降法生长近化学计量比Co:LiNbO3晶体

张嗣春;夏海平;王金浩;张约品

2007, 36(6): 1403-1407.

摘要 ( 30 )

PDF (326KB) ( 35 )

相关文章 | 计量指标

以K2O为助熔剂,在较大的温度梯度(90～100℃/cm)条件下进行引种和晶体生长,应用坩埚下降法成功地生长出了初始CO2+掺杂浓度为0.5mol;的近化学计量比的铌酸锂晶体.测定了该晶体的红外光谱与吸收光谱,与同成份的LiNbO3晶体相比,其紫外吸收边向短波方向移动,OH-红外吸收峰的位置发生变化.观测到520,549,612nm三个分裂的尖吸收峰以及1400nm左右为发光中心的吸收带.从吸收特性可以判断,Co离子在铌酸锂晶体中呈现+2价.比较上部与下部晶体的吸收强度,可以推测出沿着晶体生长方向Co2+离子浓度逐渐降低,Co2+离子在晶体中有效的分凝系数大于1.

新型蓝绿色稀土荧光粉SrZnO2:pr3+的发光性能

贺香红;周健;毕承路;李卫华

2007, 36(6): 1408-1411.

摘要 ( 22 )

PDF (308KB) ( 22 )

相关文章 | 计量指标

运用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了SrZnO2:Pr3+和SrZnO2:pr3+,M+(M=Li,Na,K)系列新型蓝绿色稀土荧光粉.用X射线粉末衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等手段研究了样品的物相结构和光致发光性能.SrZnO2:Pr3+荧光体的激发光谱是一个主峰位于262nm处的宽带谱.其发射主峰位于490nm附近,样品在紫外光照射下发出蓝绿色荧光.SrZnO2:pr3+荧光体的猝灭浓度为0.1mo1;.在该荧光体中共掺碱金属离子Li+,Na+,K+,能增大样品的激发和发射强度.

软X射线分光晶体琥珀酸氢十四酯的合成及结晶习性研究

王桂美;高绍康;陈伟煌;林树坤

2007, 36(6): 1412-1415.

摘要 ( 24 )

PDF (294KB) ( 35 )

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本文合成了软X射线分光晶体琥珀酸氢十四酯(THS).通过红外光谱、差示量热扫描等手段对所合成样品进行表征和鉴定.对THS在苯、甲苯、二甲苯、异丙醇等溶剂中的自发成核和结晶形态进行了研究,结果表明THS在苯、甲苯和二甲苯中表现出良好的结晶习性.采用平衡法测定了THS在苯、甲苯和二甲苯中的溶解度曲线.综合考虑结晶习性和溶解度情况,可选择甲苯作为晶体生长的溶剂进行单晶生长实验.

ZnO本征半导体的点缺陷机制分析

贺永宁;武明堂;朱长纯

2007, 36(6): 1416-1421.

摘要 ( 20 )

PDF (358KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

本文根据Kroger的氧化物点缺陷拟化学平衡方法对ZnO半导体中主要点缺陷的高温热平衡浓度进行了分析和计算,在此基础上依据快速冷却条件下的缺陷"冻结"特征,揭示了室温下ZnO半导体中的亚稳态缺陷状态和载流子分布特征,从而合理揭示了ZnO晶体中点缺陷态和导电机制的依赖关系.

STM、AFM、SEM和TEM对溶液中纳米微粒形貌和粒度分布的检测

万牡华;欧阳健明

2007, 36(6): 1422-1430.

摘要 ( 22 )

PDF (852KB) ( 36 )

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纳米材料因其独特的光、电、磁、力、催化和吸附等性能而被广泛应用.纳米微粒的检测是纳米材料和纳米科技发展的重要保证.本文综述了采用扫描隧道显微镜(STM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等现代显微镜技术检测溶液中纳米微粒形貌和粒度分布研究进展,并比较了这些方法的差异.

合成镁橄榄石的矿物学研究

范建良;郭守国;史凌云;刘学良

2007, 36(6): 1431-1434.

摘要 ( 25 )

PDF (236KB) ( 31 )

相关文章 | 计量指标

人工合成的镁橄榄石具有优越的物理化学性能,使其在诸多领域得到应用,其中蓝紫色合成镁橄榄石被用作坦桑石的替代品进入珠宝市场,引起了珠宝行内外的广泛关注.本文通过X射线荧光光谱的定量分析和紫外-可见光吸收光谱的颜色成因分析,得出人工合成的蓝紫色镁橄榄石的主要成分为MgO和SiO2,并添加了致色金属元素钴和钒,组份相对简单,蓝紫色调的产生与钴离子有关;对合成橄榄石、天然橄榄石和坦桑石进行拉曼光谱(785nm)的定性分析,得到合成镁橄榄石与天然橄榄石都具有特征Si-O伸缩振动引起的拉曼位移820cm-1、853cm-1和961cm-1,而坦桑石中存在特征Si-O伸缩振动引起的拉曼位移866cm-1、923cm-1和1148cm-1,可有效鉴定该三种矿物.

多孔硅层的剥离及反射率研究

陈庆东;张宇翔;郭敏;王俊平;高哲;李红菊

2007, 36(6): 1435-1439.

摘要 ( 13 )

PDF (334KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

通过改变电化学腐蚀电流密度的大小成功剥离了多孔硅层,并分析了多孔硅层的剥离机理,测量了多孔硅层的反射率曲线.结果表明:影响多孔硅层剥离的主要因素是多孔硅的形成临界电流密度,当电化学腐蚀的电流密度增大到100mA/cm2时,已经大于多孔硅的临界形成电流,从而发生了硅片表面的电化学抛光,并且多孔硅层对从近紫外到近红外的整个波段反射率都较低.

A3BGa3Si2O14(A=Ca,Sr;B=Nb,Ta)晶体研究进展

石绪忠;袁多荣;郭世义;段秀兰

2007, 36(6): 1440-1445.

摘要 ( 23 )

PDF (414KB) ( 37 )

相关文章 | 计量指标

介绍了一类性能优异、结构有序的新型材料--A3BGa3Si2O14(A=Ca,Sr;B=Nb,Ta)单晶,总结了其研究进展,并对该类晶体的生长、结构、热学、光学和压电性能进行了描述.

不同晶形纳米碳酸钙的制备及其表面改性研究进展

王焕英

2007, 36(6): 1446-1449.

摘要 ( 26 )

PDF (291KB) ( 31 )

相关文章 | 计量指标

本文综述了不同晶形纳米碳酸钙的制备方法、纳米碳酸钙表面改性技术的研究现状以及表面改性方法,分析了目前纳米碳酸钙制备及表面改性技术存在的问题,并对其发展前景作了展望.

锶铁氧体凝胶注模成形技术研究

石棋;郭志猛;郝俊杰

2007, 36(6): 1450-1454.

摘要 ( 23 )

PDF (301KB) ( 29 )

相关文章 | 计量指标

锶铁氧体是重要的永磁材料,但锶铁氧体粉体很难制备高固相含量、低粘度的浆料.本实验通过对锶铁氧体粉进行预还原处理,制备出适用于凝胶注模成形的浆料,并进行了在磁场中及不在磁场中的凝胶注模成形.分析了还原处理工艺对锶铁氧体组成的影响,研究了预还原锶铁氧体浆料的流变特性及其磁场凝胶注模成形对材料性能的影响.结果显示:通过预还原处理,可以制备出固相体积分数达46vo1;的预还原锶铁氧体低粘度浆料;预还原锶铁氧体浆料的磁场凝胶注模成型,不能使锶铁氧体材料的晶粒一致取向.

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2007, 36(6): 1478.

摘要 ( 8 )

PDF (76KB) ( 13 )

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