提拉法Ti:LiAlO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (6): 1249-1252.

提拉法Ti:LiAlO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究

黄涛华;周圣明;邹军;周健华;林辉;王军

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2007-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市浦江计划(05PJl4100);中国科学院"百人计划"

Study on the Growth,Defects and N2 Annealing of Ti:LiAlO2 Crystal

HUANG Tao-hua;ZHOU Sheng-ming;ZOU Jun;ZHOU Jian-hua;LIN hui;WANG Jun

Online:2007-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1;原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌.结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;Nz退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMs)达到最低值.

中图分类号:

O781

黄涛华;周圣明;邹军;周健华;林辉;王军. 提拉法Ti:LiAlO2晶体的生长、缺陷及N2退火研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(6): 1249-1252.

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