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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (6): 1293-1296.

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Cd0.80Zn0.20Te晶体的生长及性能研究

方军;赵北君;朱世富;何知宇;高德友;张冬敏;程曦;王智贤   

  1. 四川大学材料学院,成都,610064
  • 出版日期:2007-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(60276030);高等学校博士学科点专项科研项目(20020610023)

Study on the Crystal Growth and Properties of Cd0.80 Zn0.20 Te

FANG Jun;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;HE Zhi-yu;GAO De-you;ZHANG Dong-min;CHENG Xi;WANG Zhi-xian   

  • Online:2007-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 用本实验室合成的Cd0.80Zn0.20Te多晶料为原料,采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Cd0.80Zn0.20Te晶锭.使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析,生长晶体的X射线衍射峰尖锐,摇摆谱对称,表明晶锭的结晶性能较好;用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱,测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小,均匀性较好,电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体;晶体的蚀坑密度在103~104cm-2之间,比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级.

关键词: 碲锌镉;晶体生长;XRD;红外光谱;蚀坑密度

中图分类号: