PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 97-101.

PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究

马康;王海燕;吴芳;卢景霄;郜小勇;陈永生

郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006GB202601)

Study on the Microcrystalline Silicon Films by PECVD at Low Temperature

MA Kang;WANG Hai-yan;WU Fang;LU Jing-xiao;GAO Xiao-yong;CHEN Yong-sheng

Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差,并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨.

中图分类号:

O484

马康;王海燕;吴芳;卢景霄;郜小勇;陈永生. PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(1): 97-101.

MA Kang;WANG Hai-yan;WU Fang;LU Jing-xiao;GAO Xiao-yong;CHEN Yong-sheng. Study on the Microcrystalline Silicon Films by PECVD at Low Temperature[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(1): 97-101.

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