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2008年 第37卷 第1期
刊出日期：2008-02-15

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2008, 37(1):  1. 

摘要 ( 9 )   PDF (67KB) ( 14 )  

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可主动控制的被动调Q激光器的研究

段玉生;霍玉晶;何书芳

2008, 37(1):  5-10. 

摘要 ( 37 )   PDF (389KB) ( 21 )  

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可主动控制的被动调Q激光器(Controllable Passively Q-switched Lasers, CPQL)是一种新型脉冲激光器,它兼具主动调Q与被动调Q的优点.CPQL激光器由置于调Q激光器腔内的饱和吸收体和控制LD组成,控制LD用来控制饱和吸收体的漂白程度.CPQL激光器的输出特性,包括脉冲能量、脉冲宽度、脉冲的产生时刻以及频率,可以通过控制LD来控制.本文给出了CPQL的原理与实验结果,,与被动调Q激光器相比,可主动控制的被动调Q激光器的性能更高,将在很多领域中有重要的应用.

生长温度对KDP晶体光学性质影响的研究

叶李旺;李征东;苏根博;庄欣欣;郑国宗

2008, 37(1):  11-14. 

摘要 ( 28 )   PDF (250KB) ( 20 )  

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用降温法在不同的温度下快速生长KDP晶体,并测量其透过光谱、光学均匀性、金属杂质含量和光散射性能.结果表明随着生长温度的提高,KDP晶体的紫外光吸收和光散射点密度明显降低,但均匀性和杂质金属离子含量并无明显变化.

提拉法生长晶体的自等径控制

于永贵;姚淑华;徐民;王旭平;张怀金;王继扬

2008, 37(1):  15-19. 

摘要 ( 27 )   PDF (336KB) ( 33 )  

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采用JPG技术有限公司所开发的自等径控制程序,利用上称重法实现了晶体生长的自等径控制(ADC).通过对生长曲线PID的具体分析及其他晶体生长相关参数的设置,以铌酸锂晶体为对象,成功实现了按预设程序进行的晶体生长自等径控制.

电极耦接变化对分子器件电子输运特性影响的研究

王利光;陈蕾;李勇;郭良;田上胜规;塚田捷

2008, 37(1):  20-24. 

摘要 ( 23 )   PDF (268KB) ( 21 )  

相关文章 | 计量指标

利用基于Green函数的 Tight-binding 理论,对phenalenyl构成的单分子器件电极耦接点变化情况下的电子输运特性进行了研究.通过理论计算,得出了分子与原子线电极间接点变化对电子输运的影响.结果显示电子通过phenalenyl分子器件的概率随着分子与电极的耦合点的变化而改变.当耦接点改变时,不仅电子通过phenalenyl分子的概率变化,而且无源正负能量开关器件的特征也发生变化.所得结果还揭示出在应用phenalenyl分子器件时,只需改变电极耦接,就可以获得具有不同电子学特性的分子器件.

AgGaS2单晶生长石英安瓿镀碳工艺研究

雷勇波;赵北君;朱世富;陈宝军;谭波;吴小娟;黄毅

2008, 37(1):  25-28. 

摘要 ( 34 )   PDF (244KB) ( 31 )  

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研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、厚度、碳膜与石英管内壁结合力的影响,发现在气体流量为30～40ml/min, 镀碳温度为1040～1060℃,镀碳时间为30～40min,冷却时间为10～12h的条件下,可获得均匀、致密且结合牢固的碳膜层.用此工艺镀碳的石英安瓿生长出的AgGaS2晶体表面光洁,完整性好,缺陷较少.

铜掺杂类金刚石纳米点阵列的制备及场发射性能研究

崇二敏;李晓春;李春;闫鹏勋;张鹏举;刘洋;范晓彦

2008, 37(1):  29-32. 

摘要 ( 27 )   PDF (253KB) ( 30 )  

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利用磁过滤等离子体结合氧化铝模板(AA0)技术在室温下制备了具有优异场发射性能的铜掺杂类金刚石(DLC)纳米点阵列.微观分析表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列分布均匀,密度高达109cm-2;利用X射线光电子能谱对制备的铜掺杂类金刚石纳米点阵列进行结构分析,测得铜的掺杂量为3.6;且sp3键含量高达60;;通过对铜掺杂类金刚石纳米点阵列的场发射性能测试,试验结果表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列开启电场和阈值电场分别为0.08V/μm,0.42V/μm,并且在电场值为0.67V/μm时,发射电流密度高达95mA/cm2,场发射性能明显优于无掺杂类金刚石纳米点阵列.

掺铒近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱性质

高磊;王继扬;刘宏;姚淑华;吴剑波;秦小勇

2008, 37(1):  33-36. 

摘要 ( 28 )   PDF (257KB) ( 21 )  

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利用提拉法,在富锂熔体中生长了质量良好的掺铒近化学计量比铌酸锂单晶,生长的晶体尺寸为35×25mm,测量了晶体的室温吸收谱,并根据Judd-Ofelt理论,拟合出晶体场唯象强度参数:Ω2＝5.37×10-20cm2,Ω4＝2.98×10-20cm2,Ω6＝1.92×10-20cm2.计算了各能级的跃迁辐射几率AJ,J',振子强度PJ,J',辐射寿命τ,荧光分支比βJ'等,并根据这些光学参量讨论了该晶体的部分性能和应用前景.

CVD金刚石钝头体飞行温度场仿真研究

韩荣耀;左敦稳;李多生;徐锋

2008, 37(1):  37-42. 

摘要 ( 27 )   PDF (435KB) ( 19 )  

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建立了CVD金刚石厚膜钝头体在飞行条件下的温度场有限元仿真模型,得出了钝头体头罩内壁的传热条件以及飞行马赫数等对温度场的影响.将流场全局最高温度值的仿真结果与计算流体力学中滞止温度理论公式的计算结果进行了对比,结果表明两者的一致性很好,证实了所建立仿真模型的正确性.研究发现,随着马赫数的增加,温度场中最大温度值也随之增大;在马赫数大于1时,会产生明显的弓形激波,且激波的锥角随马赫数增加而减小,这与理论结果相一致;当马赫数为3.5时,即使在头罩内壁绝热条件下,温度场中最高温度值也在1000K以下,表明CVD金刚石厚膜可以满足Ma=3.5的实际飞行要求.

DPPC与MMA混合单层LB膜缺陷结构的AFM研究

许小晶;邓穗平;郑辉;蔡继业;欧阳健明

2008, 37(1):  43-48. 

摘要 ( 20 )   PDF (406KB) ( 28 )  

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采用原子力显微镜(AFM)研究了转移到疏水石英基片上的二棕榈酰磷酯酰胆碱(DPPC)与不同浓度聚合物单体分子甲基丙烯酸甲酯(MMA)的混合物所形成的单层LB膜及其缺陷的微结构,研究了沉积压对缺陷的影响.当MMA的摩尔比为33;(即MMA∶DPPC＝1∶2),沉积压为5.0mN/m时,生成直径约3～4μm的圆形液态凝聚相(LC)畴区,LC畴区主要为DPPC与MMA的混合物,同时还分布着一些由聚合的MMA分子(即聚合物PMMA)形成的"小岛";当沉积压增加至15.0mN/m时,LC畴区中主要为聚合物PMMA的聚集体.当MMA的摩尔比增加至50;后,LC畴区中聚合物PMMA含量增加.畴区产生的主要原因是由于不同MMA含量和沉积压使DPPC和MMA及其聚合物PMMA产生不同程度的相分离所致.MMA/DPPC混合LB膜中这种圆形的畴区缺陷可以诱导形成圆形的一水草酸钙晶体沉积图形.

铁镍触媒合成的金刚石中包裹体的探讨

郑友进;马红安;周林;秦杰明;贾晓鹏

2008, 37(1):  49-51. 

摘要 ( 24 )   PDF (178KB) ( 30 )  

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在FeNi+C体系中合成了具有六面体、六八面体、八面体形状的金刚石单晶,晶形完整,包裹体较少.其中,六面体和八面体金刚石内部的包裹体呈辐射状分布,主要分布在从晶体几何中心到顶角的连线上;六八面体内部没有包裹体呈辐射状分布的情况.我们认为,FeNi+C体系合成金刚石,其包裹体的形成在一定程度上源于不同晶向的生长速度差异,当晶体沿某晶向生长速度过快时,杂质元素不能完全及时地排除,在降温时形成了包裹体.Mossbauer测试结果表明金刚石中包裹体的主要成分为Fe3C和FeNi合金.

AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究

万书权;朱世富;赵北君;黄毅;朱伟林;徐承福;何知宇;陈宝军;赵国栋

2008, 37(1):  52-55. 

摘要 ( 25 )   PDF (240KB) ( 29 )  

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采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备.采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217;.采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理.退火处理后晶体的红外透过率有明显改善.在4000cm-1～7000cm-1范围内红外透过率由原先低于25;改进到高于40;;在750cm-1～4000cm-1范围的红外透过率由原先低于45;改善到超过50;,在2000cm-1 ～750cm-1区域甚至高达60;.结果表明:采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备.

电场辅助电化学法沉积ZnO纳米线

常鹏;刘肃;陈容波;唐莹;韩根亮

2008, 37(1):  56-59. 

摘要 ( 44 )   PDF (229KB) ( 27 )  

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采用电场辅助电化学沉积的方法成功的在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)测试结果表明,制备的纳米线是单晶ZnO纳米线,形貌均匀,直径大约为60nm,并且择优于(101)晶面.我们对生长过程中所加辅助电场的作用给出了初步的解释.

LHPG法生长单晶光纤中熔区生长界面对消除气泡的影响

沈剑威;王迅;沈永行

2008, 37(1):  60-64. 

摘要 ( 27 )   PDF (329KB) ( 32 )  

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采用激光加热基座法(LHPG法)生长的单晶光纤一般具有较好的表面光学质量,但单晶光纤在生长过程中常产生包裹气泡.该类气泡的存在将严重劣化光纤的性能.由于其产生原因复杂,多年来一直没有有效的消除方法.本文采用LHPG法生长Nd3+:YAG单晶光纤,深入分析了熔区生长界面对消除气泡的影响.实验结果表明,相比于其它熔区,凹形熔区稳定性能较好,是最佳的熔区形状,采用此熔区生长出的单晶光纤没有气泡,具有极好的光学品质.

Ce:KNSBN晶体中调制光耦合研究

李盼来;郭庆林;邓泽超;王志军;张金平;梁宝来

2008, 37(1):  65-69. 

摘要 ( 25 )   PDF (301KB) ( 24 )  

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采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,在入射光调制下,研究了调制频率对Ce:KNSBN晶体两波耦合有效增益(G)的影响,结果显示G随调制频率的增大先增大后减小,但入射光波长不同时,G最大值对应的调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,G最大值为20.2,对应的调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,G最大值为15.1,对应的调制频率为175Hz.同时研究了入射光参量对增益改善(Gm/Gf)及最佳调制频率的影响,结果显示不同入射光参量下增益改善及最佳调制频率不同,入射光波长为632.8nm时,增益改善最大为1.92,对应的最佳调制频率为100Hz;入射光波长为532nm时,增益改善最大为1.50,对应的最佳调制频率为150Hz.采用运动光栅理论对实验结果进行了解释.

HfO2薄膜反应磁控溅射沉积工艺的研究

贺琦;王宏斌;张树玉;吕反修;杨海;苏小平

2008, 37(1):  70-75. 

摘要 ( 21 )   PDF (355KB) ( 23 )  

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采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响.对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用X射线衍射仪(GIXRD)、红外波谱仪(FT-IR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)表征了退火前后HfO2薄膜的显微结构、组织组成及红外透过性能.采用胶带测试测定了HfO2薄膜的附着性能.本研究得到了优化的沉积工艺参数.

衬底温度对电子辅助增强化学气相沉积金刚石膜的影响

王志军;李红莲;董丽芳;李盼来;尚勇

2008, 37(1):  76-82. 

摘要 ( 42 )   PDF (388KB) ( 29 )  

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本工作采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对以CH4/H2为源气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石薄膜的气相动力学过程进行了模拟.提出了衬底温度的空间梯度变化模型,研究了衬底温度对EACVD气相过程中的电子群行为以及H2和CH4分解过程的影响.结果表明:电子平均温度随着衬底温度的升高而升高;当气压较低时,分解得到的成膜关键粒子H、CH3数量随衬底温度的增大而减少;而当气压较高时,H、CH3数目随衬底温度的增大而增大;衬底温度主要改变了衬底表面附近的化学反应动力学过程,从而对薄膜质量产生了决定性的影响.

碳化硅/炭黑水基凝胶注模浆料性能的研究

聂丽芳;张玉军;龚红宇;魏红康

2008, 37(1):  83-87. 

摘要 ( 35 )   PDF (274KB) ( 32 )  

相关文章 | 计量指标

研究了碳化硅/炭黑凝胶注模成型中低粘度、高固含量浆料的制备工艺,分析讨论了碳化硅颗粒级配、分散剂、pH值以及有机单体含量对浆料流变性能的影响,成功地制备出固相体积分数为60;,表观粘度为680mPa·s的碳化硅/炭黑稳定浆料.

射频磁控溅射工艺制备二氧化钒薄膜

唐振方;赵健;卫红;张正法

2008, 37(1):  88-92. 

摘要 ( 22 )   PDF (304KB) ( 33 )  

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以V2O5陶瓷烧结靶材及射频磁控溅射工艺制备V2O5薄膜,再经氩气气氛退火处理得到VO2薄膜.采用扫描电子显微镜观察不同制备条件下薄膜表面微观形貌特征,拉曼光谱和X射线光电子能谱用来分析确定退火前后薄膜的物相结构及化合价态.结果表明,溅射4h、450℃退火2h制备的薄膜结晶形态良好,VO2纯度高于94;原子分数.

水平磁场下硅熔体的有效粘度

徐岳生;张雯;王海云;刘彩池;石义情

2008, 37(1):  93-96. 

摘要 ( 25 )   PDF (218KB) ( 20 )  

相关文章 | 计量指标

用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁感应强度,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的磁粘度(有效粘度).在温度一定时,粘度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系.熔硅温度升高,磁场影响加剧,抛物线更加陡峭.1510～1590℃温度区间内,粘度有异常变化.

PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究

马康;王海燕;吴芳;卢景霄;郜小勇;陈永生

2008, 37(1):  97-101. 

摘要 ( 35 )   PDF (288KB) ( 30 )  

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实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比的增大,薄膜的晶化率得到提高;但进一步提高沉积温度、射频功率反而会使薄膜晶化效果变差,并对晶化硅薄膜低温生长的机理进行了初步的探讨.

半导体硅熔体电导率的间接测量

徐岳生;刘彩池;王海云;张雯;石义情

2008, 37(1):  102-103. 

摘要 ( 62 )   PDF (148KB) ( 18 )  

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本文通过在磁场下测定硅熔体的粘度,根据ηeff=(μBb)2σ关系式,间接计算出硅熔体的电导率.其结果与用其他方法测试的数值吻合.用电子导电、离子导电的变化,解释了硅熔体在1420～1690℃范围电导率的变化,研究结果对指导大直径硅单晶生长具有实际意义.

抗"灰迹"KTP晶体光学性能研究

苏榕冰;陈昱;陈黎娜;陈金凤;曾文荣;庄健

2008, 37(1):  104-108. 

摘要 ( 83 )   PDF (268KB) ( 23 )  

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用改进的熔盐顶部籽晶法生长了KTiOPO4(KTP)晶体并对该晶体进行了抗"灰迹"性能测试.测试表明,在功率密度为120kW/cm2的1064nm激光和10kW/cm2的532nm激光共同照射1000s后, 晶体在633nm处的吸收依然维持在1.05×10-4/cm左右,表明该晶体比普通KTP晶体具有更高的抗 "灰迹"性能.透过率测试表明,用本方法生长的KTP晶体在波长短于500nm的区域比普通KTP晶体有更高的透过率.通过实验测定,得出该晶体在室温下1064nm倍频Ⅱ类相位匹配角θ=90°时φ=24.40°.

粉末法合成人造金刚石技术的研究与应用

周连科

2008, 37(1):  109-113. 

摘要 ( 76 )   PDF (256KB) ( 38 )  

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目前,工业人造金刚石的合成是在高温高压条件下通过触媒作用将碳元素的排序由石墨结构转变成金刚石结构.传统的片状合成技术成本高,转化率低,已逐步被先进的粉末合成技术取代.粉末合成技术解决了原材料的研制、粉末柱的制备、合成结构及合成工艺的确定等关键技术问题.随着粉末合成技术的推广应用,我国人造金刚石得到快速发展,生产成本大幅降低,金刚石产量及质量大幅提高.

过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展

王爱华;张丽伟;张兵临;姚宁

2008, 37(1):  114-123. 

摘要 ( 48 )   PDF (637KB) ( 28 )  

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ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-metal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道.本文对不同方法和不同条件制备的过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了综述.

Cu-32Mn-8Ti预合金粉末与金刚石颗粒的界面反应

赵宁;袁洁;南俊马;徐可为

2008, 37(1):  124-128. 

摘要 ( 59 )   PDF (313KB) ( 22 )  

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采用自制Cu-32Mn-8Ti预合金粉末为粘合剂,在低真空钎焊条件下制备了金刚石复合材料.利用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪等研究预合金粉末与金刚石颗粒界面反应.结果表明,在试验条件下,胎体中的Ti原子向金刚石表面扩散,形成约为3～5μm的扩散层,并与金刚石颗粒表面的C发生化学反应生成TiC,呈非连续层片状分布于金刚石颗粒表面,实现了金刚石颗粒与金属的化学键结合.

Ni-W-纳米Al2O3复合涂层沉积特性的研究

朱邦同;吴玉程;李云;舒霞;王莉萍;黄新民

2008, 37(1):  129-133. 

摘要 ( 55 )   PDF (319KB) ( 25 )  

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采用复合电镀的方法制备出Ni-W-纳米Al2O3复合涂层,研究了Al2O3添加量、温度和超声波分散等沉积条件对复合涂层沉积特性如沉积速率、Al2O3复合量和显微硬度的影响.结果表明,随着纳米Al2O3添加量的增加,复合涂层的沉积速率、Al2O3复合量和显微硬度不断增加,但当Al2O3添加量达到15g/L时沉积速度开始下降,Al2O3添加量达到17.5g/L时硬度开始下降;适宜的镀液温度大约为80℃,超声波分散时间大约为1h.

Nd:LuVO4晶体的红外、拉曼光谱和热学特性

吕英波;夏海瑞;冉栋刚;赵守仁;张怀金;王继杨

2008, 37(1):  134-140. 

摘要 ( 43 )   PDF (368KB) ( 29 )  

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利用商群对称分析法分析了Nd:LuVO4晶体的晶格振动模分类,测量了Nd:LuVO4晶体的红外光谱和拉曼光谱,从测定的谱线中指认了该晶体的振动模,理论与实验符合良好.测量了Nd:LuVO4晶体的热膨胀系数,a向、b向和c向的热膨胀系数分别为 1.7×10-7/K 、1.5×10-7/K和9.1×10-7/K.测量了比热,其值约为0.48J/g·K.测量了热传导率,其值沿<100>方向为6.2W/m·K,沿<001>方向为7.9W/m·K.这些参数显示该晶体是一种热学性能优良的激光晶体.

新型铝硅酸盐磷光体的结构及性能研究

翟永清;杨国忠;刘红梅;王德龙;刘保生

2008, 37(1):  141-146. 

摘要 ( 30 )   PDF (383KB) ( 28 )  

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以凝胶燃烧法在相对较低温度下合成了长石型的蓝白色长余辉材料Sr0.94Al2Si2O8:Eu2+0.02,Dy3+0.04,并用X射线粉末衍射(XRD)、荧光分光光度计(FL)以及扫描电子显微镜(SEM)等技术对样品的物相结构、光谱性质、微观形貌及粒度等进行了分析表征.结果发现:尿素用量、点火温度、还原温度及时间、冷却方式等工艺条件均直接影响样品的晶体结构,进而影响其发光性质.长余辉性能最佳时产物属于六方晶系及单斜晶系的混晶;其激发峰是位于290～400nm处的宽带峰;发射峰是位于380～520nm处的宽带峰,由两个发光中心构成,390nm处的发射峰归属于Dy3+的 4H21/2→6H15/2跃迁,440nm处的发射峰归属于Eu2+的4f65d1→4f7跃迁.结合XRD分析,我们认为两种发光中心是由于样品中包含两种晶型,且两种晶型的发射中心不同,六方晶系的发射中心以Dy3+为主,而单斜晶系的发射中心以Eu2+为主.1200℃还原1h后强制冷却所得样品的颗粒较细,一次粒径大约为0.5μm.

ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响

李林娜;薛俊明;赵亚洲;李养贤;耿新华;赵颖

2008, 37(1):  147-150. 

摘要 ( 67 )   PDF (232KB) ( 27 )  

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氧化铟锡(indium-tin oxide, ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上.本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响.实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω·cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1.将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193;.

自然掺杂p型ZnO薄膜的螺旋波等离子体辅助溅射沉积

于威;张锦川;许贺菊;张丽;杨丽华;傅广生

2008, 37(1):  151-155. 

摘要 ( 29 )   PDF (320KB) ( 26 )  

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本工作通过调整工作气压,采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在Al2O3衬底上成功的制备了自然掺杂的p型ZnO薄膜.Hall测量显示在Ar/O2等离子体辅助下,随气压增加所沉积薄膜表现出从n型到p型再到n型的转变.p型ZnO薄膜载流子浓度为1.30×1016cm-3,电阻率为99.68Ω·cm,霍尔迁移率为4cm2·V-1·s-1.X射线衍射和原子力显微镜的分析结果显示ZnO薄膜的导电类型和薄膜的生长特征相关,等离子体中活性粒子载能的减小导致薄膜表面成核几率增加和ZnO晶粒逐渐减小.较高氧活性粒子浓度有利于自然掺杂p型ZnO薄膜生长,而活性氧粒子种类的变化使薄膜生长质量变差,施主缺陷增加,薄膜转化为n型导电.

退火对电弧离子镀制备的ZnO薄膜的影响

王明东;郑婷;朱道云;何振辉;陈弟虎;闻立时

2008, 37(1):  156-161. 

摘要 ( 36 )   PDF (396KB) ( 23 )  

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采用阴极电弧离子镀在Si、Al2O3以及玻璃衬底上制备出具有择优取向的ZnO薄膜,并对其进行退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光光谱仪对ZnO薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析.XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜具有很好的ZnO(002)择优取向,退火使ZnO(002)衍射峰向高角度方向偏移.SEM结果表明,随着退火温度升高,表面晶粒由隆起的山脉或塔状变为平面状,晶粒002面呈六边状.PL谱结果表明,随着退火温度的升高,紫外发光峰强度逐渐增强,可见光发光峰强度逐渐相对减弱.紫外可见光透过谱结果表明,退火使可见光透过率增高,光学带隙发生红移.

Marc有限元在Belt型两面顶模具应力分析中的应用

王鹏;王强;蔡冬梅;来小丽

2008, 37(1):  162-166. 

摘要 ( 27 )   PDF (280KB) ( 21 )  

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本文简要介绍了用于合成高品级金刚石工艺的Belt型两面顶装置的恶劣工作环境,以及模具的发展研究状况和相关技术瓶颈.简明概述了Marc软件强大的分析功能、程序结构特点以及接触问题的基本求解流程.以某一型号两面顶模具为例,利用Marc软件对其进行了建模计算,得到了模具的预应力分布,并采用Lame公式对计算结果进行了理论验证.

配合物[Co(phendione)(SO4)(H2O)]·5H2O的合成及表征

葛红光;郭小华;孙妩娟;赵蔡斌;许琼

2008, 37(1):  167-169. 

摘要 ( 29 )   PDF (192KB) ( 24 )  

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在水和甲醇的混合液中合成了标题配合物[Co(phendione)(SO4)(H2O)]·5H2O (phendione=1,10-菲啰啉-5,6-二酮),通过元素分析,红外光谱和热分析对配合物进行了表征.结果表明,配合物中Co(Ⅱ)与2个N原子和2个O原子形成4配位结构,其中2个N原子来自配体1,10-菲啰啉-5,6 -二酮,2个O原子分别来自1个水分子和1个硫酸根离子.根据热分解曲线,初步探讨了该配合物的热分解机理,热分解最终产物为CoO.

二次加热法制备单分散性CoFe2O4纳米晶及其磁性研究

付乌有;杨海滨;范文华;刘冰冰;邹广田

2008, 37(1):  170-173. 

摘要 ( 27 )   PDF (312KB) ( 16 )  

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本文分别以CoCl2·6H2O,FeCl3·6H2O,NaOH为原料,利用N(CH3)4OH (四甲基氢氧化铵)作为改性剂,对CoFe2O4纳米颗粒进行原位表面改性,采用二次加热法,制备单分散性CoFe2O4纳米晶.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、能量散射分析仪(EDS)和振动样品磁强计等测试手段对样品的形貌,粒径,结构,以及磁学性能等进行了表征.结果表明,单分散性CoFe2O4纳米晶仍具有较大的饱和磁化强度和矫顽力.

钐掺杂钨酸铅晶体的生长

徐衍岭;王锐;杨同勇;刘维海;王斌举;徐玉恒

2008, 37(1):  174-178. 

摘要 ( 28 )   PDF (288KB) ( 33 )  

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为了用提拉法生长出质量优良的衫掺杂钨酸铅晶体,通过理论分析,实践论证,确定了生长晶体的工艺参数.温度梯度采用较成熟工艺,讨论晶体的生长速度和旋转速度.晶体生长速度为2 ～5mm/h;晶体旋转速度为35 ～50r/min;以45℃/h的速度降至室温,同时保持30r/min的旋转速度.得到了不同浓度衫掺杂的表观透明,无碎裂淡粉红色的钨酸铅晶体,且目前得到晶体的最大尺寸为φ25mm×40 mm.

一维声子晶体的传输特性

刘启能

2008, 37(1):  179-182. 

摘要 ( 21 )   PDF (211KB) ( 29 )  

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推导出一维声子晶体的转移矩阵,研究了一维声子晶体的传输特性.得出:声波在一维声子晶体中传播时会出现一系列禁带,各级禁带的频率中心是等间隔的,各级禁带的频率宽度是相等的.相邻禁带的频率中心的间隔随介质的厚度成反比变化,禁带的频率宽度随介质的厚度成反比变化.禁带的频率宽度随两介质声阻抗的差值的减小而减小.

配合物[Co(SCN)2(HSCN)2(dabco)2]的合成、晶体结构与表征

程庆彦;高玲;梁亚男;钱春苹;王延吉

2008, 37(1):  183-187. 

摘要 ( 32 )   PDF (269KB) ( 27 )  

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以SCN-和三乙撑二胺(dabco)为配体,以钴为中心离子采用自组装的方法合成了配合物[Co(SCN)2(HSCN)2(dabco)2],采用单晶X射线衍射、红外光谱、热重分析和元素分析等方法对其进行了晶体结构的解析和表征.它属于单斜晶系,P21/n空间群,晶胞参数分别为a＝0.71964(11)nm,b＝1.12716(17)nm,c＝1.4454(2)nm,β＝96.629(2)°,V＝1.1646(3)nm3,Dc＝1.470 g/cm3,Z＝2,F(000)＝534,μ＝1.115mm-1.热重分析表明,该配合物在530 K以下稳定.

10;摩尔分数Gd2O3掺杂CeO2纳米粉体水系流延技术研究

吴也凡;罗凌虹;程亮;郎莹;石纪军;韦斐

2008, 37(1):  188-193. 

摘要 ( 25 )   PDF (354KB) ( 18 )  

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本文研究了10;摩尔分数Gd2O3 掺杂CeO2(简称10GDC)纳米粉体的水系流延技术.重点在于探讨各种添加剂在流延浆料中的作用及其相关机理,最终得到最佳的10GDC纳米粉体流延浆料配方及其流延工艺参数.研究表明:通过使用聚丙烯酸(PAA)作为分散剂、聚乙烯醇(PVA)作为粘结剂、聚乙二醇作为塑性剂、控制浆料pH值为9.0～10.0可制备出具有高固相含量(55;体积分数)、稳定分散、具有适当粘度的浆料.该浆料流延、干燥后可以得到表面光滑、无裂纹、组分均匀、强度高、柔韧性好、生坯密度高(相对密度为51.5;)的流延坯片.

两种方法制备LuAG粉体的研究

蒋成勇;陈红兵;肖华平

2008, 37(1):  194-197. 

摘要 ( 33 )   PDF (255KB) ( 25 )  

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分别采用氧化镥与氧化铝混合煅烧法以及氯化镥与铝酸钠液相混合沉淀法制备LuAG粉体.通过分析SEM与XRD的结果发现,固相法制备出的粉体颗粒尺寸较粗大,有较尖锐的棱角,团聚现象严重且不易分散,在1200℃煅烧后仍有大量氧化铝与氧化镥的原料残余,只有少量原料发生固相反应生成镥铝石榴石相.而采用液相沉淀法制备出的粉体颗粒较光滑,团聚后的粉体也易于分散,在经1200℃煅烧后基本上全部转化为LuAG.

玻璃基片表面纳米结构氧化锆聚集体组装的SEM研究及其机理初探

高林;宋秀芹

2008, 37(1):  198-202. 

摘要 ( 26 )   PDF (368KB) ( 24 )  

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以纳米粒子为基组装的有序结构体系,既具有纳米小颗粒本身的性质,同时通过纳米粒子之间、纳米粒子与基体界面的耦合,有望产生新的效应.本文利用含有双亲分子的反胶团微乳体系,人为处理基底提供活性点模拟生物矿化过程,构筑聚集体-基质复合材料,完成玻璃基片表面不同形貌氧化锆的组装,并对机理进行了初步的探讨.

配合物LaBi(edta)(NO3)2·7H2O的水热合成、表征及热分解研究

蒋琪英;陈明剑;沈娟;杨定明;钟国清

2008, 37(1):  203-207. 

摘要 ( 22 )   PDF (299KB) ( 24 )  

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用NH4Bi(edta)·2H2O配合物和硝酸镧按1∶1的物质的量比在150℃条件下,通过水热方法合成了含铋(Ⅲ)和镧(Ⅲ)双金属配合物LaBi(edta)(NO3)2·7H2O.用元素分析仪和滴定分析法确定了产物的组成,用FT-IR、XRD和TG-DSC对产物进行了表征.该配合物为单斜晶系,晶胞参数:a=1.0399nm,b=1.2199nm,c=2.3617nm,β=93.999°.热稳定性研究发现该配合物分解时经过脱水、配体热分解、硝酸盐分解,最后在621℃稳定,残余物为La/Bi氧化物LaBiO3.68.

P2O5对CaO-MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃析晶的影响

田清波;徐丽娜;岳雪涛;王修慧;高宏

2008, 37(1):  208-212. 

摘要 ( 27 )   PDF (304KB) ( 28 )  

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采用熔融法制备了不同P2O5含量的CaO-MgO-Al2O3-SiO2玻璃样品,研究了P2O5对该系微晶玻璃析晶的影响规律.结果表明:在所研究的CaO-MgO-Al2O3-SiO2玻璃中,P2O5的最大溶解量在10.0;质量分数左右,超过其饱和溶解度后将析出α-磷酸钙相.玻璃中添加4.0;质量分数P2O5时以表面析晶为主,析出晶体为钙长石和少量硅灰石.随着P2O5含量的提高, α-磷酸钙逐渐析出,同时钙长石和硅灰石的析出逐渐降低.进一步提高P2O5含量抑制了玻璃的表面析晶,促进了玻璃的分相和整体析晶.当P2O5的含量达到10;时,玻璃以整体析晶为主,在分相区内外区域析出晶体的形态非常相似,均呈现为细小粒状.

掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响

陈航;邓宏;戴丽萍;陈金菊;韦敏

2008, 37(1):  213-217. 

摘要 ( 33 )   PDF (289KB) ( 19 )  

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采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动.UV透射曲线表明,薄膜具有明显的紫外吸收边,通过改变Cd的掺入浓度,可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内,从而使薄膜的禁带宽度连续可调;薄膜的光致发光(PL)谱显示,ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成,通过掺入Cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移,这与透射谱中吸收带边的红移相吻合,由紫外发光峰得到的光禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致.对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较,发现Cd掺入量为8;摩尔分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能.

钛硅复合氧化物晶体结构及光催化性能研究

冀晓静;郑经堂;石建稳;赵玉翠

2008, 37(1):  218-223. 

摘要 ( 30 )   PDF (333KB) ( 28 )  

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用溶胶-凝胶法制备了TiO2和钛硅复合氧化物,对样品进行了X射线衍射(XRD)、比表面积测试(BET)和紫外-可见漫反射光谱(DRS)分析,并以甲基橙为模拟污染物,考察了其光催化性能.结果发现,添加硅能有效的阻碍TiO2晶型转变,抑制TiO2晶粒生长,细化晶粒,增大粒子的比表面积,加入硅还能使TiO2带隙能增加,使其具有更强的氧化还原能力;钛硅复合氧化物具有较高的光催化活性,当煅烧温度为900℃,添加硅的摩尔分数为20;时,光催化活性最佳.

微波均相沉淀法制备YAG透明陶瓷

李保平;张晓琳;徐红燕;姜奉华;王介强

2008, 37(1):  224-228. 

摘要 ( 61 )   PDF (312KB) ( 23 )  

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以Al(NO3)3和Y(NO3)3为母盐,尿素为沉淀剂,添加适量(NH4)2SO4,采用微波均相沉淀法合成YAG前驱体,经1100℃煅烧得到活性高、分散性好的YAG纳米粉体,添加适量TEOS作烧结助剂,经干压成型,1700℃真空烧结,保温10min得到透明YAG陶瓷.显微观测表明,烧结体气孔含量极低,结构致密,其晶粒形状为规则的多边形,平均尺寸为2.5μm左右.该透明陶瓷在可见光区的最大透光率达到42;,在近红外光区的最大透光率达到74;.

La3Ga5SiO14晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究

孙为;黄文奇;卢贵武

2008, 37(1):  229-235. 

摘要 ( 48 )   PDF (419KB) ( 16 )  

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采用基于密度泛函的第一性原理平面波赝势法对La3Ga5SiO14晶体基态的几何参量、能带结构、态密度和光学性质进行了系统的研究.优化了La3Ga5SiO14晶体中原子的内部坐标,利用精确计算的能带结构、态密度和电荷密度等值线分析了晶体的吸收谱、介电函数、折射率,计算结果与实验符合较好,为La3Ga5SiO14晶体材料的分子设计与应用提供了理论依据.

气体湍流对泡生法生长蓝宝石单晶温场的影响

李金权;苏小平;那木吉拉图;黎建明;张峰翊;李楠;杨海

2008, 37(1):  236-239. 

摘要 ( 24 )   PDF (289KB) ( 36 )  

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本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟.分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响.结果发现在气压P≥105Pa时,特别是在引晶初期,容易出现籽晶根部熔化,这在实验中得到了很好的验证,并提出了三种解决方案.

表面活性剂对钨酸铅低维粉体形貌的影响

杨玉国;王卓;许建华;刘越华;曹树梁

2008, 37(1):  240-242. 

摘要 ( 23 )   PDF (186KB) ( 25 )  

相关文章 | 计量指标

以钨酸钠和醋酸铅为原料,分别加以表面活性剂聚乙二醇200和十六烷基三甲苯溴化铵,用沉淀法合成出钨酸铅纳米晶和菱形微晶.对样品进行X射线分析,结果显示样品结晶良好.对样品进行透射电子显微镜分析,结果显示钨酸铅纳米晶和菱形微晶成形良好,且分散性良好、无团聚发生.讨论了表面活性剂对钨酸铅低维粉体形貌的影响,认为PEG200对分散性良好的钨酸铅纳米晶的生成起了关键作用,而CTAB则促进了成形良好的菱形钨酸铅微晶的生成.

一维光子晶体结构参数的随机扰动对其光学特性的影响

方云团

2008, 37(1):  243-247. 

摘要 ( 28 )   PDF (295KB) ( 19 )  

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用特征矩阵法研究结构参数存在随机扰动的情况下一维光子晶体的光学特性, 无论是加工过程中介质层几何厚度的误差, 还是介质层折射率的随机波动都会影响一维光子晶体的光学特性.随机扰动对一维光子晶体带结构高频部分影响较大, 造成带结构消失, 甚至全部变成禁带; 随机扰动对光子晶体缺陷模式的影响是使缺陷模的位置发生随机平移, 平移的程度与随机度有关, 介质层折射率的随机变化要比介质层厚度的随机变化对缺陷模位置的影响要大; 周期数目的增加可以部分地减小缺陷模的平移, 但同时会使缺陷模透射率减小,增加缺陷层厚度可以有效降低随机扰动对光子晶体缺陷模式的影响. 本文的研究将对一维光子晶体的设计工作提供有价值的参考.

大尺寸系列孔隙度高强人造岩芯的研制

夏光华;魏恒勇;虞澎澎;业渝光

2008, 37(1):  248-251. 

摘要 ( 48 )   PDF (298KB) ( 19 )  

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采用矾土、氧化铝与硬质碎瓷粒为骨料, 选用硅溶胶、高岭土、煅烧滑石和方解石组成的MgO-CaO-Al2O3-SiO2低共熔混合物作为晶界结合剂,以木屑和煤粉为造孔剂,利用浇注成型技术制备出大尺寸系列孔隙度高强人造岩芯.其主要技术指标为:尺寸:65mm×150mm,孔隙度:26.6～45.4;,抗压强度:37.5～51.1 MPa.同时,SEM测试发现岩芯中的气孔呈三维连通状分布,且直径在100μm以下的微孔居多.