高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (3): 524-527.

高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征

黄涛华;周圣明;滕浩;林辉;王军

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60676004);上海市浦江计划(05PJ14100)

Growth and Characterization of High Quality LiGaO2 Crystal by Czochraiski Method

HUANG Tao-hua;ZHOU Sheng-ming;TENG Hao;LIN Hui;WANG Jun

Online:2008-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用提拉法成功地生长了高质量的LiGaO2单晶体,生长过程中没有观察到挥发现象.通过四晶X射线衍射、化学腐蚀、光学显微、透过光谱以及原子力显微镜对晶体的质量进行了表征.结果表明:晶体中无包裹物及气泡,具有很高的质量,(001)面晶片的摇摆曲线半高宽仅为16.2 arcsec,正交的(001)、(100)及(010)三个晶面具有不同的腐蚀形貌,其位错密度均低于104/cm2;LiGaO2晶体的吸收边约为220 nm;化学机械抛光后的晶片表面非常光滑,其均方根粗糙度仅为0.1 nm(5×5μm2).

中图分类号:

黄涛华;周圣明;滕浩;林辉;王军. 高质量LiGaO2晶体的提拉法生长及表征[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 524-527.

HUANG Tao-hua;ZHOU Sheng-ming;TENG Hao;LIN Hui;WANG Jun. Growth and Characterization of High Quality LiGaO2 Crystal by Czochraiski Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 524-527.

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