运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1056-1059.

运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体

詹琳;苏小平;张峰翊;李金权

北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学材料有限公司,北京,100088

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AAF3102)

Use of Numerical Modeling for Improved of VGF-growth GaAs Crystals

ZHAN Lin;SU Xiao-ping;ZHANG Feng-yi;LI Jin-quan

Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶.本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统.这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面.

中图分类号:

O795

詹琳;苏小平;张峰翊;李金权. 运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1056-1059.

ZHAN Lin;SU Xiao-ping;ZHANG Feng-yi;LI Jin-quan. Use of Numerical Modeling for Improved of VGF-growth GaAs Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(5): 1056-1059.

[1]	刘冰;房昌水;王圣来;牟晓明. KDP晶体(101)面生长动力学研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1045-1050.
[2]	王丽;边秀房;李辉. Au3Ag合金的快速凝固及晶体生长过程的分子动力学模拟[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(4): 335-341.
[3]	陈柳;程兆年;汤正诠;唐鼎元. 熔融BaB2O4急冷玻璃态光谱性质的分子动力学模拟[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(2): 126-134.
[4]	常国威;袁军平;王自东;吴春京;胡汉起. 电渣感应连续定向凝固过程温度场计算与实验研究[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(2): 182-187.
[5]	陈柳;程兆年;汤正诠;唐鼎元. 熔融BaB2O4急冷玻璃态结构和态密度的分子动力学模拟[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(1): 1-7.
[6]	刘永才;Simon Brandon. 石榴石晶体生长过程的生长动力学模型[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(1): 8-16.

运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体

Use of Numerical Modeling for Improved of VGF-growth GaAs Crystals

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