人工晶体学报

投稿需知

2008, 37(5): 1.

摘要 ( 4 )

PDF (67KB) ( 11 )

相关文章 | 计量指标

《人工晶体学报》太阳能电池及相关专业系列论文征稿启事

2008, 37(5): 2.

摘要 ( 8 )

PDF (52KB) ( 11 )

相关文章 | 计量指标

KDP晶体(101)面生长动力学研究

刘冰;房昌水;王圣来;牟晓明

2008, 37(5): 1045-1050.

摘要 ( 8 )

PDF (346KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

晶体法向生长速度是晶体生长动力学研究的-个重要参数.用激光偏振干涉法实现了KDP晶体锥面生长速度的实时测量,发现KDP晶体锥面生长过程中存在与柱面类似的死区,对传统降温法生长大尺寸KDP晶体和点籽晶快速生长技术中过饱和度的控制有重要指导意义.用螺旋位错模型讨论了锥面生长的动力学规律.计算了锥面台阶自由能和动力学系数.

单质直接气相生长ZnSe单晶

李文渭;李焕勇;介万奇

2008, 37(5): 1051-1055.

摘要 ( 31 )

PDF (373KB) ( 36 )

相关文章 | 计量指标

本文直接以高纯Zn、Se单质为原料,加入少量碘单质作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶.采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明,生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能,成份接近理想的化学计量比,在500～2000nm范围内透过率达到65;～70;,在1.9～2.5 eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带.由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的.

运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体

詹琳;苏小平;张峰翊;李金权

2008, 37(5): 1056-1059.

摘要 ( 48 )

PDF (308KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶.本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统.这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面.

NaF、LiF掺杂钨酸铅晶体的性能研究

叶崇志;向卫东;廖晶莹

2008, 37(5): 1060-1063.

摘要 ( 23 )

PDF (262KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

采用坩埚下降法生长了NaF、LiF掺杂钨酸铅(PbWO4)晶体,研究了掺杂晶体的透射光谱、光产额和X射线激发发射谱等发光性能.结果表明:与未掺杂PbWO4晶体相比,NaF掺杂可以显著提高PbWO4晶体在350nm附近的透过率,其X射线激发发射谱中出现新的发光峰;而LiF掺杂引起了晶体可见光范围内的强烈吸收,造成PbWO4晶体光产额的显著下降.基于影响PbWO4晶体闪烁性能的原因分析,提出了采用其它价态金属氟化物掺杂来提高PbWO4晶体光产额的新思路.

钴(Ⅱ)三元配合物[Co(pht)2(MeOH)2(H2O)2]的合成与晶体结构

胡喜兰;施鹏飞;许兴友;刘海风;王大奇

2008, 37(5): 1064-1068.

摘要 ( 27 )

PDF (289KB) ( 29 )

相关文章 | 计量指标

利用溶剂热法合成了一个新的钴(Ⅱ)配合物[Co(pht)2(MeOH)2(H2O)2](Hpht:苯妥英,即5,5-二苯基-2,2咪唑烷酮),通过元素分析、红外光谱、热重差热分析、X射线单晶衍射等技术对其结构进行了表征.单晶结构分析表明,该晶体属单斜晶系,P21/C空间群,晶胞参数:a=1.2124(2)nm,b=1.09996(19)nm,c=1.1574(2)nm,β=92.555(2)°,V=1.5419(5)nm3,Dc=1.425 mg/m3,Z=2,F(000)=690,μ=0.615 nm-1,R1=0.0467,wR2=0.1116[I>2σ(I)],GOF=1.026.Co(Ⅱ)离子位于八面体的中心,与六个配位原子配位(40+2N).

超声喷雾法制备In2S3薄膜及后续快速热处理对薄膜性能的影响

陈雄飞;汪雷;杨德仁

2008, 37(5): 1069-1072.

摘要 ( 25 )

PDF (351KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

采用超声喷雾法制备了硫化铟(In2S3)薄膜,并考察了后续快速热处理(rapid thermal process,RTP)对硫化铟薄膜性能的影响.采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征.结果表明:超声喷雾法制备的In2S3,薄膜均匀致密,采用RTP热处理可提高薄膜的结晶性能,但对薄膜的透光性影响较小.通过计算可以得出薄膜的禁带宽度约为2.25～2.38 eV.

不同磁场对大直径单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分析

宇慧平;隋允康;安国平

2008, 37(5): 1073-1078.

摘要 ( 30 )

PDF (392KB) ( 38 )

相关文章 | 计量指标

本文采用紊流模型对大直径单晶硅在垂直磁场及勾形磁场作用时熔体内动量及热量输运作了数值模拟.采用有限体积法离散控制方程,采用SIMPLE((Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场.对无磁场、垂直磁场及勾形磁场作用下熔体内的传输特性进行了比较.数值计算结果表明,垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效应.垂直磁场强度过大,不利于晶体生长.随着勾形磁场强度的增加,熔体内子午面上的流动减弱,并且紊流强度也相应降低.

Ba3(VO4)2晶体的生长和拉曼性质的研究

高兆平;赵斌;陈建中

2008, 37(5): 1079-1082.

摘要 ( 31 )

PDF (342KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

采用提拉法生长了尺寸为φ22mm×50 mm的Ba3(VO4):晶体.室温下测试了Ba3(VO4)2晶体不同激发配置下自发拉曼散射光谱.另外测试了该晶体在532 nm、25 ps脉冲下的受激拉曼散射,观察到3阶斯托克斯线(625.5 am)和1阶反斯托克斯线(506.8 nm),并估算了Ba3(VO4)2晶体的稳态拉曼增益系数.

30 MHz带阻型压电石英晶体滤波器研制

靳宝安;王春程;王林力;张麦丽;袁桃利

2008, 37(5): 1083-1087.

摘要 ( 9 )

PDF (272KB) ( 21 )

相关文章 | 计量指标

采用三节3晶体的格型电路,设计和研制出了用于边带型通讯机中进行狭窄频带抑制的一种中高频带阻型晶体滤波器新产品.所解决的关键技术问题是:30 MHz中高频滤波晶体半成品的设计、插损,IL≤5 dB、3 dB带阻宽.度Bw3dB≤±13 kHz、带阻衰减(限波)≥45 dB等技术指标的实现.研制的结果较好的满足了设计要求.

项链状硅酸钇的合成

何明生;李建保;郭钢锋;李法荟

2008, 37(5): 1088-1090.

摘要 ( 4 )

PDF (263KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

以活性炭粉、高纯度纳米氧化钇粉和硅粉为原料,采用高温合成法制备出了一种结构新奇的硅酸钇,其形状酷似珍珠项链,由一根纳米线把一定数量的小珠子串在一起.纳米线的直径为150 nm左右,长度为几十微米到几百微米,甚至到几毫米,小珠子的直径为3μm左右.XRD分析结果表明该结构的硅酸钇为X1型.所有项链的形貌和结构非常相似,但是项链中珠子的形状、大小、以及珠子与珠子之间的距离各有差异,并对其形成过程及机理进行了初步探讨.

GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究

田彦宝;吉元;赵跃;吴迪;郭霞;沈光地;索红莉;周美玲

2008, 37(5): 1091-1096.

摘要 ( 11 )

PDF (713KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量.利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数.结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力.GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500nm.EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似.模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘.剥离应力是导致晶片解键合的主要原因.

Ca2+对KDP晶体的光损伤阈值的影响

牟晓明;王圣来;王波;许心光;孙洵;顾庆天;李毅平;刘冰;孙绍涛;卢永强;孙云

2008, 37(5): 1097-1101.

摘要 ( 25 )

PDF (476KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

Ca2+是KDP原料中一种常见的杂质离子,这种杂质不仅会影响晶体的生长过程,而且会加重晶体的光散射.通过传统降温法和点籽晶快速生长法生长不同Ca2+掺杂浓度的KDP晶体样品,对样品进行激光损伤实验,结果表明,Ca2+的存在降低了KDP晶体的光损伤阈值,其原因主要在于Ca2+掺杂导致晶体内部缺陷增多,内应力增加以及晶体中的散射颗粒密度增大使晶体光吸收加重.

二维准分形结构声子晶体透射特性的数值研究

刁斌斌;邵长金;张文娜;刘莉

2008, 37(5): 1102-1106.

摘要 ( 8 )

PDF (306KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

本文用时域有限差分方法研究了几种具有相似几何结构的准分形声子晶体的透射特性.计算了由水中钨柱组成的二维准分形结构声子晶体的ΓX和FM方向禁带,计算表明,对于钨柱分布在水背景中的情况,这种具有正方形点阵特点的准分形声子晶体存在多频带隙的特点,能带随级数的增大整体地趋向于低频部分.而且这种准分形声子晶体带隙的宽度及中心频率会随声子晶体单胞内结构单元几何形状的改变而改变.

化学抛光和退火对钛酸锶基片表面改性研究

陈光珠;杭寅;汪隽;何晓明;张连翰;李志鸿;华如江;何明珠

2008, 37(5): 1107-1112.

摘要 ( 8 )

PDF (439KB) ( 21 )

相关文章 | 计量指标

本文运用原子力显微镜检测传统机械抛光和化学机械抛光以及退火前后的钛酸锶(STO)衬底表面,研究了化学机械抛光和退火对钛酸锶(STO)基片表面形貌的影响,结果表明化学抛光可以使表面粗糙度达到0.214 nm,明显优于机械抛光.对比测量退火前后钛酸锶(STO)基片的双晶摇摆曲线,表明退火可以明显改善晶体质量,有利于实现超光滑STO基片的加工.

掺钕钆镓石榴石晶体生长及完整性研究

曾繁明;刘景和;孙晶

2008, 37(5): 1113-1116.

摘要 ( 16 )

PDF (368KB) ( 39 )

相关文章 | 计量指标

本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,并对晶体缺陷进行了系统分析,对晶体组分过冷分析结果发现,组分过冷在晶体中产生了空洞,对空洞中的物质进行了扫描电镜及能谱分析,发现组分过冷产生了第二相,用化学侵蚀法显示侵蚀坑的形貌基本呈三角形,并且位错产生了滑移现象,滑移原因是晶体切片时的外力造成的.

透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性

李娟;胡小波;高玉强;王翎;徐现刚

2008, 37(5): 1117-1120.

摘要 ( 11 )

PDF (374KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AIN单晶生长习性进行了研究.结果表明,在低温下,AIN单晶显露面为(0001)面,随着温度的升高,AIN单晶显露面转化为(1120)面.沟槽结构是高温下得到的AIN单晶共有的显著特征,其取向沿[0001]方向.

硒化镉晶体定向切割方法研究

卢大洲;朱世富;赵北君;曾体贤;何知宇

2008, 37(5): 1121-1126.

摘要 ( 12 )

PDF (601KB) ( 38 )

相关文章 | 计量指标

根据硒化镉(CdSe)晶体结构的特点,发展了一种简便、快捷、准确的定向方法.此法只需观察CdSe晶体解理面上台阶的走向,便可确定CdSe晶体的C轴方向,即解理面上台阶延伸的方向为CdSe晶体的C轴方向,并采用X射线衍射法对结果进行了验证.已知C轴和某一晶面,借助激光正反射技术,可在CdSe单晶体上定向切割出任意所需的晶面.

射频磁控溅射法制备TiO2-xNx薄膜的结构性能研究

冯磊;罗士雨;黄涛华;林辉;滕浩;汪洪;周圣明

2008, 37(5): 1127-1131.

摘要 ( 6 )

PDF (319KB) ( 21 )

相关文章 | 计量指标

利用射频磁控溅射法室温下在Si(100)衬底上制备了N掺杂的TiO2薄膜,并且采用x射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射光谱对薄膜进行了表征.XRD结果表明在纯Ar和N2(33.3;)/Ar气氛下制备的TiO2-xNx薄膜均为单一的金红石相,薄膜结晶性良好,呈高度(211)择优取向,而在N2(50.0;)/Ar下制备的薄膜结晶性明显变差;对于N掺杂的TiO2薄膜,XPS表明部分N原子进入TiO2晶格,并且以N-Ti-O、N-O键以及间隙式N原子形式存在;透射光谱表明掺N后的TiO2薄膜吸收边发生了红移.

TiCl4处理对TiO2薄膜显微结构以及染料敏化太阳电池性能的影响

远存达;赵颖;蔡宁;苏燕;李媛;纪伟伟;张存善;熊绍珍

2008, 37(5): 1132-1135.

摘要 ( 9 )

PDF (317KB) ( 19 )

相关文章 | 计量指标

本文通过粉末涂敷法制备了纳米TiO2多孔膜,并用40 mM的TiCL4水溶液对多孔膜进行了表面处理,发现TiCl4处理对多孔薄膜的显微结构有重要影响.通过纳米TiO2多孔膜的表面形貌分析,发现TiCl4处理降低了薄膜因高温烧结而出现的"龟裂"现象,同时薄膜中微空洞数量增加,分布更均匀,进而显著提高了染料敏化太阳电池的光电转化效率.

复杂晶体硬度的理论和计算

高发明

2008, 37(5): 1136-1140.

摘要 ( 33 )

PDF (373KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

现有材料的硬度可用硬度计来测量.从理论上严格计算硬度值是一件困难的事情.但随着超硬材料理论设计的蓬勃发展,硬度的预测成为一个瓶颈问题.本文系统介绍了利用复杂晶体化学键理论计算晶体硬度的基本理论,以及关于纳米晶硬度的计算方法.利用第一性原理几何优化方法建立了新近合成的具有氧缺陷的四方BC2N相的晶体结构.利用硬度理论预测了它的硬度.结果表明该物质是一个超硬半导体材料.

硅锆复合包覆BiVO4晶体的表征及其机理研究

张萍;王焕英;刘占荣;刘树彬;次立杰;武戈;张星辰

2008, 37(5): 1141-1144.

摘要 ( 7 )

PDF (241KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

利用正硅酸乙酯(TEOS)和氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)的水解反应并经高温煅烧后,在BiVO4晶体表面形成SiO2·ZrSiO4膜,以提高BiVO4的耐高温性.采用红外光谱仪、X射线衍射仪、差热分析仪对产品进行了表征,并得出结论:包覆SiO2·ZrSiO4膜后的BiVO4晶体,其耐热温度由680℃提高到1000℃,并对包覆机理进行了探讨.

ThSiO4:V4+晶体的光谱及EPR参量的理论研究

黄永平

2008, 37(5): 1145-1147.

摘要 ( 5 )

PDF (165KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

基于晶体场理论,采用3d1离子在D2d对称中的晶场能级公式和EPR参量高阶微扰公式,计算了ThSiO4:V4+晶体的光谱和电子顺磁共振(EPR)参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥.计算结果与实验发现很好吻合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了V4+杂质中心缺陷结构的信息.对上述结果进行了讨论.

电极材料对碘化汞(α-HgI2)晶体Ⅰ-Ⅴ特性的影响

许岗;介万奇;王领航;孙晓燕

2008, 37(5): 1148-1151.

摘要 ( 6 )

PDF (304KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的,Ⅰ-Ⅴ特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析.结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与Hg2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω.这说明AuCl3,在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触.C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性.而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差.

B位复合离子取代BNT无铅陶瓷的压电介电性能

单召辉;刘心宇;杨桂华;周昌荣

2008, 37(5): 1152-1156.

摘要 ( 9 )

PDF (467KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Tix(Mg1/3Nb2/3)xO3,系无铅压电陶瓷.研究了B位复合离子取代对BNT陶瓷的晶体结构及压电与介电性能的影响.X射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体;当x=0.015时,该体系陶瓷具有较佳的压电性能:压电常数d33=101 pC/N;k,=0.48.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征.该体系陶瓷具有高kt值,低kp值;其比值kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良的超声换能材料.

微波等离子体同质外延修复金刚石的研究

满卫东;谢鹏;吴宇琼;孙蕾;汪建华

2008, 37(5): 1157-1161.

摘要 ( 34 )

PDF (525KB) ( 37 )

相关文章 | 计量指标

用微波等离子体化学气相沉积法同质外延生长了有缺陷的金刚石颗粒.在同质外延之前,研究了温度因素对金刚石生长表面形貌的影响,研究表明适宜金刚石同质外延的温度范围非常窄,在1030℃左右;温度低于920℃,大尺寸的金刚石单晶颗粒就很难得到,二次形核现象变的很严重.在实验得出的优化温度条件下,对表面有缺陷的天然金刚石进行了同质外延生长,用扫描电子显微镜(SEM)观察发现,原来金刚石表面的裂缝被修复,外延生长速率达到10.3μm/h.

具有雷达波隐身功能的红外窗口的研制

钱纁;滕祥红;杜洪兵;马天翼

2008, 37(5): 1162-1165.

摘要 ( 34 )

PDF (243KB) ( 34 )

相关文章 | 计量指标

介绍了一种既高效透过红外光,同时又能有效屏蔽电磁干扰的金属网栅薄膜的基本原理和制备工艺.分析了网栅参数对其光学及电磁性能的影响,推导了金属网栅结构参数对雷达波屏蔽效率和透红外关系式.理论研究表明,金属网栅的周期选择在200～400μm之间,线宽不大于10μm,是较为理想的网栅参数.通过使用光刻和镀膜技术,在红外基片上制作线条宽度小于10μm,周期约350μm的金属网栅.

稀土掺杂氧化锌纳米粉的制备及其性能研究

范学运;王艳香;章义来;曾令可

2008, 37(5): 1166-1171.

摘要 ( 25 )

PDF (489KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

本文以Zn(NO3)2和(NH4)2CO3为原料,采用共沉淀法分别制备了La3+和Y3+掺杂的氧化锌纳米粉体,借助于XRD、TEM、荧光光谱仪等测试手段分别对粉体的相组成、形貌及其光致发光性能进行了表征.结果表明:镧掺杂可以促使纳米氧化锌取向连接,而钇掺杂则控制和修饰其沿极性方向的聚集.当钇掺入量由0.2;增至2;原子分数时,引起氧化锌晶体发光强度的改变,且导致粒径减小至10 nm左右,而粒径减小引起的量子尺寸效应使发光峰蓝移.在掺杂量均为1;原子分数的条件下,镧掺杂可以增强纳米氧化锌的黄光发光强度并使其峰位蓝移,钇掺杂则能削弱黄色发光.

之字链配合物Cu(phth)2(H2O)2的合成、表征及晶体结构

武文;谢吉民

2008, 37(5): 1172-1176.

摘要 ( 8 )

PDF (249KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

用Cu(NO3)2·3H2O和phth(邻苯二甲酸)混合反应得到了配合物Cu(phth)2(H2O)2(1).通过元素分析、红外光谱对配合物进行了表征,用X射线单晶衍射仪测定了配合物的晶体结构.配合物为单斜晶系,P2(1)/c空间群.晶胞参数a=0.83895(17)nm,b=1.4441(3)nm,c=0.70992(14)nm,β=112.14(3)°,V=0.7967(3)nm3,Z=2,Dc=1.792 g/cm3,F(000)=438.0,S=1.100,R1=0.0376,wR2=0.0998.铜原子为四配位,呈畸变正方形构型,通过邻苯二甲酸根的π-π堆积作用形成了一维之字型链,相邻的链之间靠氢键和π-π堆积作用形成三维分子结构.

透辉石增韧补强氧化铝基陶瓷材料烧结动力学和烧结机制

孙军龙;张希华;刘长霞;段彩云

2008, 37(5): 1177-1182.

摘要 ( 7 )

PDF (319KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

研究了透辉石增韧补强Al2O3,基陶瓷材料的无压烧结致密化过程,根据压坏烧结时烧结温度和保温时间对线收缩率的影响,计算了复合材料液相烧结的表观激活能Q,得出其致密化机理为扩散机制控制.建立了透辉石增韧补强Al2O3,基陶瓷材料的烧结动力学方程,并由特征指数n值对比研究了它们的烧结致密化机制.纯Al2O3陶瓷材料烧结过程中的物质迁移机制由体扩散控制;透辉石增韧补强Al2O3基陶瓷材料烧结过程中的物质迁移机制既有体扩散,也有晶界扩散.

Mg2+取代Ca2+对Ca1-xMgx YAl0.92Cr0.08O4晶体结构稳定性及其呈色的影响

SUN Guo-liang;孙国梁;贾成厂;唐燕超;张阔;翟新岗;石纪军

2008, 37(5): 1183-1186.

摘要 ( 9 )

PDF (203KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

本文以CaYAl0.92Cr0.08O4组成为基础,采用Mg2+逐步取代Ca2+,探讨晶体的组成变化对其结构的稳定性与呈色的影响.研究表明,当Mg2+的取代量增加时,样品的晶体结构由CaYAlO4型逐步过渡到Y3AlY5OY12型,随着Mg2+的量增加,Y3Al5O12型晶体的晶胞参数c值逐渐增大,样品的红度亦随之增加.该晶体可作为陶瓷着色剂使用.

P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响

雷青松;徐火希;王晓晶;季峰;徐静平

2008, 37(5): 1187-1190.

摘要 ( 7 )

PDF (365KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.

非晶硅薄膜制备及其晶化特性研究

罗士雨;冯磊;汪洪;林辉;滕浩;黄涛华;周圣明

2008, 37(5): 1191-1194.

摘要 ( 11 )

PDF (396KB) ( 23 )

相关文章 | 计量指标

用磁控溅射法在K9玻璃上沉积了非晶硅(a-Si)膜和a-Si/Al膜,并将其在流动的N2气氛下进行退火.对退火前后的样品进行Raman光谱、XRD和SEM表征和分析.Raman光谱表明随着退火温度的升高,a-Si膜的散射峰出现了明显的蓝移,但XRD结果表明薄膜仍为非晶态;而a-Si/Al膜在温度很低时就已经开始晶化.

光退火制备多晶硅薄膜的量子态现象

靳瑞敏;罗鹏辉;陈兰莉;郭新峰;卢景霄

2008, 37(5): 1195-1198.

摘要 ( 10 )

PDF (265KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.

混合溶剂热法制备[Zn(L-trp)(D-trp)]n

王建;许兴友;马卫兴;赵宏;陆路德;杨绪杰;汪信

2008, 37(5): 1199-1204.

摘要 ( 41 )

PDF (329KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

新型氨基酸配位聚合物[Zn(L-trp)(D-trp)]n(L-trp和D-trp分别是L-色氨酸和D-色氨酸)通过水热法制备,并进行元素分析、红外光谱、单晶X-衍射等的表征.该化合物属三斜晶系,P-1,a=0.91670(10)nm,b=0.53320(6)nm,c=1.9525(2)nm,Z=2.为二维双链平面结构.此配位聚合物具有中心对称空间群.每个锌离子Zn2+与一对外消旋体配合,而形成内消旋化合物.

凝胶注模成型Al2O3-ZrO2泡沫陶瓷的制备与表征

张小珍;周健儿;宋福生;胡学兵;江瑜华

2008, 37(5): 1205-1209.

摘要 ( 5 )

PDF (367KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

采用环保无毒生物高分子明胶作胶凝剂和四甲基氢氧化铵(TMAH)为分散剂,通过凝胶注模工艺制备了相对密度为10;～35;的ZrO2增韧Al2O3(ZTA)泡沫陶瓷,对制备泡沫陶瓷的结构和性能进行了表征.SEM分析表明泡沫陶瓷由相互贯通的球形孔室构成,其孔径分布取决于泡沫陶瓷的相对密度.ZTA泡沫陶瓷抗弯强度随相对密度从10;变化到31;而相应地从3.1 MPa提高至28.1 MPa,渗透系数随相对密度的增大呈指数衰减.

磷含量对化学镀Ni-P层抗垢性能与抗蚀性能的影响

程延海;邹勇;程林;李金旺;刘文

2008, 37(5): 1210-1214.

摘要 ( 9 )

PDF (447KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

通过调整Ni-P化学镀工艺参数,获得了不同磷含量的镀层,具有非晶、纳米晶及二者混合的微观结构.进一步的污垢沉积实验表明,有Ni-P镀层的试样与没有镀层的碳钢试样相比,其污垢沉积速度均明显下降.同时Ni-P镀层的微观结构对抗垢性能的影响表现为,随镀层中纳米晶的增加,抗垢性能有减弱的趋势,非晶镀层表现出最佳的抗垢性能.电化学腐蚀结果也表明,非晶镀层的抗蚀性最好,随纳米晶的增加,腐蚀电位向低电位方向移动.微观结构对于抗蚀性的影响趋势与对抗垢性能的影响一致.抗垢性能与抗蚀性能有内在的联系,易于被腐蚀的镀层也容易通过"过渡层"的形成而易于污垢的附着.这为充分利用镀层的性能,将镀层应用于热交换器换热面的防垢抗蚀方面,奠定了一定的研究基础.

微波辐射低温固相反应法制备NiFe2O4纳米片晶

焦万丽;张磊

2008, 37(5): 1215-1218.

摘要 ( 8 )

PDF (391KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

采用FeO4·7H2O、NiSO4·6H2O和NaOH作为反应物,充分研磨制备前驱体,对前驱体进行微波辐射制备NiFe2O4纳米粉体.通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜分析等手段,研究了微波辐射功率、辐射时间、研磨时间对NiFe2O4纳米粉体尺寸、均匀性及团聚情况的影响.结果表明:采用微波辐射低温固相反应法能够快速且均匀地制备出结构单一的NiFe2O4尖晶石纳米晶,当微波辐射功率为700 W、辐射时间为16 min、研磨时间为20 min时,所制备的NiF2O4尖晶石纳米晶,其晶粒呈圆片状,晶粒尺寸约为30 nm,颗粒均匀性最好,且粉体不易团聚.

微波水热法制备Mg-Al水滑石纳米晶

王永在;陈志伟;郭红

2008, 37(5): 1219-1223.

摘要 ( 5 )

PDF (301KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

以MgO和Al(OH)3为起始反应物,用微波水热法在180℃反应30 min,可以制备出平均晶粒度约35 nm的高结晶度单相纳米晶Mg-Al水滑石.用XRD、SEM对合成产物进行了表征.随反应温度升高和时间的延长,合成产物中杂相减少,Mg-Al水滑石晶粒度逐渐增大.在180℃反应仅1 min,即可获得平均晶粒度为约27 nm Mg-AlLDHs,杂相只有微量MgO.微波水热法能够促进起始反应物快速水解,形成Mg-Al LDHs晶核和晶粒长大.

以β-Si3N4为晶种多孔氮化硅陶瓷的制备

贾玲;谷景华;张跃

2008, 37(5): 1224-1227.

摘要 ( 7 )

PDF (327KB) ( 34 )

相关文章 | 计量指标

以β-Si3N4为晶种、α-Si3N4为原料、Mgo-Al2O3-SiO2体系为烧结助剂,制备了气孔率约为30;的多孔氮化硅陶瓷,研究了β-Si3N4晶种添加量对其物相、微观形貌和弯曲强度的影响.结果表明,加入β-Si3N4晶种能有效地促进α-Si3N4转化为β-Si3N4,经1580℃烧结的氮化硅陶瓷中出现了明显的长柱状晶粒,随着晶种添加量的增加,柱状晶的长径比逐渐增大,且柱状晶的产生可提高材料的强度.

水热法合成硼酸钙的场发射扫描电镜分析

曹春娥;曹惠峰;卢希龙;余峰;郎莹;沈华荣;熊春华;郑乃章

2008, 37(5): 1228-1232.

摘要 ( 12 )

PDF (543KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

以工业硼酸、硼砂和氧化钙为原料,通过改变反应温度和原料配比,用水热法合成了系列硼钙化合物.根据化学分析和XRD分析数据确定了各种合成产物的化学组成、物相名称,用场发射扫描电镜(FE-SEM)对六种硼酸钙的显微形貌、颗粒大小进行了表征,发现它们的显微形貌、颗粒大小有很大的不同.CaO·3B2O3·5H2O呈条板状,厚度在100～300 nm之间;2CaO·5B2O3·5H2O呈大纳米薄片,厚度在50～100 am的居多;2CaO·3B2O3·H2O则是纳米细线,直径在100 nm左右;4CaO·5B2O3·7H2O呈小纳米薄片状,厚度在100 nm左右;2CaO·B2O3·H2O呈球粒状,大小在500 am～1μm;CaO·B2O3呈粗针状,粗、细端直径在150～300 nm之间.

碳纳米管聚合物复合膜的等离子刻蚀研究

杜招红;曾效舒

2008, 37(5): 1233-1236.

摘要 ( 10 )

PDF (376KB) ( 23 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了等离子刻蚀碳纳米管(CNTs)聚合物复合膜的工艺,并采用测量接触电阻表征薄膜的刻蚀效果.用SEM对刻蚀前后的试样膜面进行了观测.结果表明电压为100 V,电流为0.52 A时可以有效地刻蚀掉在制备无衬底碳纳米管膜时附在其上的粘胶剂和聚合物.且刻蚀前后碳纳米管复合膜的电阻有很大变化,从110.2Ω降至8.4Ω.

制备工艺对P型ZnO薄膜微观结构和电学特性的影响

丁瑞钦;陈毅湛;朱慧群;黎扬钢;丁晓贵;杨柳;黄鑫钿;齐德备;谭军

2008, 37(5): 1237-1241.

摘要 ( 10 )

PDF (459KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的P型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究.研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系.文章对这些关系的机理做了探讨和分析.

中国金刚石膜技术专利现状分析

相炳坤;左敦稳;黎向锋;徐锋;李多生;陈荣发

2008, 37(5): 1242-1248.

摘要 ( 7 )

PDF (569KB) ( 28 )

相关文章 | 计量指标

金刚石膜具有特别优异的性能,在高技术领域有着极为广泛的应用.本文采集1985年到2007年中国金刚石膜技术专利文献,建立专利数据库,从技术和竞争两个方面对其发展脉络和竞争格局进行定量和定性分析,揭示出国内金刚石膜技术已处于较成熟阶段,机械加工和半导体电子领域是其潜在的重点应用领域,涂层技术和定向或单晶生长是其重点开发工艺,国内申请人在专利数量上占优,国外申请人在专利质量上见长,并对国内外重要申请人的研发能力和研发重点进行对比分析,最后提出了一些发展金刚石膜技术的专利战略.

滴定过程控制Mg(OH)2晶体粒径和形貌

郑敏珠;卢晗锋;刘华彦;陈银飞

2008, 37(5): 1249-1254.

摘要 ( 15 )

PDF (495KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

以氯化镁为镁源,氨水为沉淀剂,分别采用正向、反向和双向三种滴定过程制备Mg(OH)2,通过监测溶液动态pH值变化,并引入晶体生长驱动力指标S(镁与氢氧根离子积与容度积的比值取对数)来定量表示溶液滴定过程中动态过饱和度变化,SEM和XRD表征Mg(OH):的结构和形貌.结果表明,正向滴定过程合成的Mg(OH):晶粒大小混杂(100-600 am),反向滴定合成的晶粒偏小(200 nm左右),双向滴定合成的晶粒粒径分布集中(400 nm左右).引入的S较能准确地描述Mg(OH)2成核和晶体生长的规律,不同的滴定过程有不同的S值变化规律.联系S值的变化和晶体粒径的分布,认为S>0时晶体成核占主导,S<0时晶体生长占主导.通过动态控制溶液S值的动态变化,可以目的性地控制Mg(OH)2晶体的结构和形貌.

往复射流分散与超声分散对纳米碳管在不饱和聚酯中分散效果的研究

曹晓非;孙康宁;孙昌;冷亮;刘晓飞;赵琰

2008, 37(5): 1255-1259.

摘要 ( 6 )

PDF (587KB) ( 19 )

相关文章 | 计量指标

分别采用超声分散法和本课题组研究的新技术-往复射流分散法对一系列含不等量多壁纳米碳管的前驱体混合物进行了分散,并将其固化制得了不同的复合材料.其中,前驱体混合液的粘度通过旋转粘度计测定,并使用扫描电镜观测最终所得复合材料中纳米碳管的分布状态.检测结果表明,一方面,往复射流分散工艺相对于超声分散更有利于纳米碳管在聚合物中的分散,而且碳管的分散均匀程度随工作次数的增加而有所提升.但另一方面,前驱体混合液的粘度同时亦随之大幅度下降,而这将减弱后续的前驱体固化过程的工艺性.

碳热还原氮化法制备β-Sialon粉体的研究

刘明;高立春;徐利华;仉小猛;王缓;王体壮

2008, 37(5): 1260-1263.

摘要 ( 10 )

PDF (292KB) ( 29 )

相关文章 | 计量指标

采用山西大同土为主要原料,利用碳热还原氮化法(CRN)制备了β-Sialon材料,并利用SEM、XRD等检测手段对其进行了检测分析.研究了温度、N2流量、保温时间以及配碳量等因素对制备β-Sialon的影响,采用正交设计的方法确定了反应的最佳工艺参数,并在此基础上讨论了α-Si3N4晶种对生成产物的影响.实验结果表明,烧结温度为1500℃,氮气流量为1 L/min,保温时间为2 h,配碳量为0.8化学计量时可以生成较多的β-Sialon相.SEM微观形貌表明具有一定长径比的β-Sialon柱状晶呈均匀分布.此外,加入3;的晶种α-3N4可促使晶粒大小均匀并获得高品质细密结构的粉体.

声化学法合成ZnS纳米晶及反应动力学研究

李吉蓉;黄剑锋;曹丽云;吴建鹏;贺海燕

2008, 37(5): 1264-1267.

摘要 ( 8 )

PDF (296KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

采用声化学法制备了ZnS纳米晶,对其反应动力学进行了研究,利用XRD、TEM等手段对样品进行了表征.结果表明,以无水氯化锌、硫代乙酰胺为原料,采用声化学法可以制备粒径在10 nm左右的ZnS纳米晶,所得样品为α-ZnS纤锌矿结构,六方晶系,形貌为球形或近球形.随超声功率增加,ZnS纳米晶粒度降低.动力学研究表明,ZnS纳米晶的生成量随时间呈线性增加,ZnS纳米晶的生成活化能为29.88 kJ/mol.

固体氧化物燃料电池电解质8YSZ薄膜的水系流延

黄祖志;罗凌虹;卢泉;程亮;付长翼;郎莹

2008, 37(5): 1268-1272.

摘要 ( 12 )

PDF (404KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

本文采用水系浆料流延成型法制备固体氧化物燃料电池SOFC的电解质材料(8;摩尔分数Y2O3,稳定的ZrO2,下称8YSZ)薄膜,研究了三种不同类型的分散剂对8YSZ浆料稳定性的影响.通过优化pH值和分散剂用量等因素,使浆料的稳定性达到最佳,获得固相含量高达62;质量分数的适合流延的8YSZ水系浆料.以该浆料为原料,采用流延的方法成型8YSZ薄膜,获得了显微结构均匀、相对密度达49.4;、表面光滑、无裂纹、柔韧性好、干燥后厚度为50 μm左右的薄膜素坯.该素坯在1350℃保温4 h烧结得到相对密度大于96;的致密8YSZ烧结薄膜.

多孔氧化铝模板电沉积法制备ZnO纳米结构阵列的研究

张海明;余俊杰;李晓洁;胡国锋;李育洁;黄伯贤

2008, 37(5): 1273-1277.

摘要 ( 4 )

PDF (473KB) ( 38 )

相关文章 | 计量指标

利用直流电化学沉积技术,在多孔氧化铝模板内,通过先沉积Zn(OH)2/ZnCO3,然后在300℃下进行热分解,制得了ZnO纳米点阵结构.扫描电镜结果表明多孔氧化铝模板孔道呈六角形分布,孔径约为55 nm,孔间距约为100 nm,且孔道上下贯通平行排列.X射线衍射表明多孔氧化铝模板为非晶结构,孔内组装的ZnO具有多晶纤锌矿结构.光致发光谱表明ZnO/PAM复合体系同空氧化铝模板相比在420 nm处具有较强的蓝光发射.

Al2O3/Cr3 C2/Ti(C,N)复合材料摩擦磨损性能研究

孙德明;许崇海;刘立红;张勤河;鹿晓阳

2008, 37(5): 1278-1283.

摘要 ( 9 )

PDF (455KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

采用热压烧结技术制备了Al2O3/Cr3 C2/Ti(C,N)复合陶瓷材料,对其力学性能、摩擦磨损性能进行测试,用扫描电镜(SEM)对其磨损表面进行观察.结果表明:Al2O3/Cr3 C2/Ti(C,N)复合陶瓷材料具有良好的综合力学性能,在与硬质合金YG8环块摩擦中表现出较高的减摩抗磨性能,摩擦系数与磨损率较单相Al2O3降低近一半.对其磨损机理研究认为,磨粒磨损为主要磨损机制,高的强度和韧性是其具有良好耐磨性能的主要原因.

水热法合成矾土基α-Al2O3纳米粉

崔香枝;贾晓林;钟香崇

2008, 37(5): 1284-1289.

摘要 ( 9 )

PDF (438KB) ( 31 )

相关文章 | 计量指标

以650 ℃轻烧后的高铝矾土为原料,利用水热法合成了以α-Al2O3为主晶相的纳米粉.研究了晶种、矿化剂、水热温度和水热时间对产物中α-Al2O3含鼍、晶粒度大小的影响,采用XRD、SEM分析了纳米粉体的物相与形貌.结果表明,加入3;质量分数的晶种在380℃水热处理2 h后,合成出晶粒度为28 nm、以α-Al2O3为主晶相的α-Al2O3纳米粉,其形貌呈圆球状,二次粒度为190 nm.

聚乙二醇2000作用下TiO2薄膜的溶胶-凝胶法制备

张翠轩;陈汝芬;夏青;黄茂辉;宋珊珊

2008, 37(5): 1290-1294.

摘要 ( 10 )

PDF (457KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

以TiCl4为原料,用玻璃载玻片为载体,采用溶胶-凝胶法,制备了聚乙二醇2000(PEG 2000)作用下的TiO2薄膜.研究了PEG2000的浓度、热处理条件对TiO2粒子形貌及粒径的影响.实验发现:经550℃煅烧,得到了锐钛矿与金红石混相的TiO2;随着PEG2000浓度的提高,所得TiO2的粒径均有所减小;在密闭条件下,得到的TiO2粒子随PEG2000的增加,其轴径比降低,呈现出由棒状向球状的转化趋势,而在通空气条件下煅烧,随PEG2000的增加,得到类似卵石状的TiO2粒子.且通空气条件比密闭条件下所得TiO2的粒径大.

板条状钨酸铅的沉淀法合成及荧光特性

王炳喜;左正笏

2008, 37(5): 1295-1299.

摘要 ( 6 )

PDF (402KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板,采用沉淀法合成了板条状钨酸铅晶体.用X射线粉末衍射、扫描电镜、热分析、红外光谱和荧光光谱表征产物的结构和性质.结果表明,随着沉淀物熟化时间的增加,钨酸铅晶体结构从四方晶型转变为单斜晶型,外貌从层叠的塔状结构演变成板条状结构.相变还引起了571 cm-1的红外吸收峰强度的增大,但对热稳定性影响较小.不同熟化时间制备晶体的荧光发射光谱基本一致,都出现较强的378 nm蓝光发射峰.

当期目录