化学抛光和退火对钛酸锶基片表面改性研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (5): 1107-1112.

化学抛光和退火对钛酸锶基片表面改性研究

陈光珠;杭寅;汪隽;何晓明;张连翰;李志鸿;华如江;何明珠

中国科学院上海光学与精密机械研究所,上海,201800;成都理工大学化学化工学院,成都,610059

出版日期:2008-10-15 发布日期:2021-01-20

Study on the Influence of CMP and Anneal to SrTiO3 Surface

CHEN Guang-zhu;HANG Yin;WANG Jun;HE Xiao-ming;ZHANG Lian-han;LI Zhi-hong;HUA Ru-jiang;HE Ming-zhu

Online:2008-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文运用原子力显微镜检测传统机械抛光和化学机械抛光以及退火前后的钛酸锶(STO)衬底表面,研究了化学机械抛光和退火对钛酸锶(STO)基片表面形貌的影响,结果表明化学抛光可以使表面粗糙度达到0.214 nm,明显优于机械抛光.对比测量退火前后钛酸锶(STO)基片的双晶摇摆曲线,表明退火可以明显改善晶体质量,有利于实现超光滑STO基片的加工.

中图分类号:

O786

陈光珠;杭寅;汪隽;何晓明;张连翰;李志鸿;华如江;何明珠. 化学抛光和退火对钛酸锶基片表面改性研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1107-1112.

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