HgInTe晶片表面化学抛光研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 535-538.

HgInTe晶片表面化学抛光研究

杨杨;王领航;介万奇;王亚彬;傅莉

西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2009-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z442);西北工业大学博士生创新基金(CX200606);西北工业大学研究生种子基金(Z200612)

Study on Surface Chemical Polishing of HgInTe Wafers

YANG Yang;WANG Ling-hang;JIE Wan-qi;WANG Ya-bin;FU Li

Online:2009-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5;Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果.AFM分析结果表明,5;Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67;,平整度显著增加.相比之下,5;Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差.

中图分类号:

杨杨;王领航;介万奇;王亚彬;傅莉. HgInTe晶片表面化学抛光研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(2): 535-538.

YANG Yang;WANG Ling-hang;JIE Wan-qi;WANG Ya-bin;FU Li. Study on Surface Chemical Polishing of HgInTe Wafers[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(2): 535-538.

[1]	周玄, 程国峰, 何代华. InSeI单晶的制备及其结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2252-2255.
[2]	张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983.
[3]	任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科. 氮化镓单晶的液相生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2024-2037.
[4]	李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078.
[5]	王艳丰;王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152.
[6]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[7]	胡子钰;张敏;林秀钦;祁英昆;卢俊业;李静雯;郑国宗. 点籽晶定向生长70;DKDP晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1776-1781.
[8]	石爱红;李源;艾文森. 碳化硅邻晶面外延生长机制的动力学蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1787-1793.
[9]	韩博;李进;安百俊. 石墨坩埚厚度对感应加热制备太阳能级多晶硅影响的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1904-1910.
[10]	王明威;曹建新;谢贵明;田生财;陶绍程. 油酸钠改性无水硫酸钙晶须及其机理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1935-1943.
[11]	范天博;韩冬雪;贾晓辉;陈思;姜宇;胡婷婷;郭洪范;李莉;刘云义. NH4+-NH3缓冲体系制备碱式硫酸镁晶须及生长机理[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1721-1727.
[12]	王健;程红娟;高彦昭. 长波红外用准相位匹配材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1397-1404.
[13]	黄巍;何知宇;陈宝军;朱世富;赵北君. 中远红外非线性光学晶体AgGaGenQ2(n+1)(Q=S、Se)研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1417-1426.
[14]	倪友保;韩卫民;吴海信;毛明生;黄昌保;王振友;姜鹏飞. 大尺寸长波红外非线性晶体CdSe生长及应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1488-1489.
[15]	袁泽锐;窦云巍;陈莹;方攀;尹文龙;康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491-1493.