Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7 W) 660 nm AlGaInP宽面半导体激光器

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 597-601.

Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7 W) 660 nm AlGaInP宽面半导体激光器

马德营;李佩旭;夏伟;李树强;汤庆敏;张新;任忠祥;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学信息科学与工程学院,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101;山东华光光电子有限公司,济南,250101;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20

Mg Doped p-Cladding AlInP Layer with Window-strucure High Power 660 nm(3.7 W) AlGaInP Broad Area Laser Diodes

MA De-ying;LI Pei-xu;XIA Wei;LI Shu-qiang;TANG Qing-min;ZHANG Xin;REN Zhong-xiang;XU Xian-gang

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000 μm、条宽150 μm的宽面半导体激光器.采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD).透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍.激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W.在热沉温度为20 ℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h.

中图分类号:

TN365

马德营;李佩旭;夏伟;李树强;汤庆敏;张新;任忠祥;徐现刚. Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7 W) 660 nm AlGaInP宽面半导体激光器[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 597-601.

MA De-ying;LI Pei-xu;XIA Wei;LI Shu-qiang;TANG Qing-min;ZHANG Xin;REN Zhong-xiang;XU Xian-gang. Mg Doped p-Cladding AlInP Layer with Window-strucure High Power 660 nm(3.7 W) AlGaInP Broad Area Laser Diodes[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(3): 597-601.