人工晶体学报

简讯

2009, 38(3): 1.

摘要 ( 11 )

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原料对DKDP晶体生长习性及光学性能的影响

孙绍涛;季来林;王正平;牟晓明;孙洵;许心光;史崇德

2009, 38(3): 539-543.

摘要 ( 5 )

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相关文章 | 计量指标

通过传统降温法,利用不同原料从氘化程度为85;的溶液中生长DKDP晶体并对加工样品进行了相关测试.研究了不同原料对DKDP晶体的生长和光学性能的影响.实验表明:采用高纯原料所得DKDP晶体的光学性能提高,但其晶体生长容易出现外扩现象.

紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体生长

陈啸;刘华;叶宁

2009, 38(3): 544-546.

摘要 ( 10 )

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本文对用于紫外低吸收YAB晶体生长的助熔剂体系进行了筛选,测定了YAB-Li2B4O7-AlBO3体系的结晶关系.采用顶部籽晶熔盐法生长紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体,测定了晶体的真空紫外透过截止波长,结果表明其真空紫外吸收边达到165 nm.

硅太阳电池用MgF2/ZnS双层减反射薄膜的制备及表征

孙秀菊;李海玲;励旭东;任丙彦;周春兰;赵雷;王文静

2009, 38(3): 547-551.

摘要 ( 1 )

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采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/ZnS双层减反射薄膜.采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征.研究表明:衬底温度为200 ℃时薄膜附着力、结晶态良好;蒸发速率影响薄膜的表面形态;MgF2/ZnS厚度为110 nm/35 nm时具有最佳减反射效果.

ZnGeP2单晶生长温场研究

孙永强;赵北君;朱世富;赵欣;杨慧光;程江;张羽;陈宝军;何知宇

2009, 38(3): 552-555.

摘要 ( 2 )

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根据ZnGeP2(ZGP)晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布.采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达15 mm×35 mm.对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿(101)面解理,其回摆峰尖锐无劈裂.对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2～12 μm波段内红外透过率达45;以上.研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高.

沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响

于军;王晓晶;雷青松;彭刚;徐玮

2009, 38(3): 556-560.

摘要 ( 3 )

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采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4～9 Pa)对薄膜结构和性能的影响.利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征.结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04～2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰, 随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132～96 Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低.

Yb3+: Sr3Gd(BO3)3激光晶体的生长和光谱特性

刘晓利;李月宝;杨书颖;崔玉杰;潘建国;王国富

2009, 38(3): 561-565.

摘要 ( 4 )

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相关文章 | 计量指标

采用提拉法(Czochralski)生长出了掺Yb3+的Sr3Gd(BO3)3晶体,晶体尺寸达到:25 mm×30 mm.测量了Yb3+: Sr3Gd(BO3)3晶体的吸收谱、荧光谱以及荧光寿命.Yb3+: Sr3Gd(BO3)3晶体在975 nm有一半峰宽为7 nm的强吸收峰,π谱的吸收跃迁截面σa=7.28×10-21 cm2,在1040 nm的发射跃迁截面σe=1.43×10-21 cm2.辐射寿命为1.46 ms, Yb3+浓度为13 at;时的荧光寿命f=2.14 ms,Yb3+浓度为0.5 at;时的荧光寿命f=1.21 ms.

水热法生长无色Bi12SiO20晶体

王金亮;段隆臣;张昌龙;胡章贵;霍汉德;左艳彬;卢福华

2009, 38(3): 566-569.

摘要 ( 3 )

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本文以水热自发成核BSO晶体作为培养料,4.0 mol/L NaOH溶液为矿化剂,采用水热法成功生长出无色BSO晶体,测试了其透过率曲线,并探讨分析了BSO晶体赋色的原因.结果表明:水热法BSO晶体在可见光区基本不存在明显的吸收,解决了熔体法BSO晶体所存在的赋色问题.

稀释磁性半导体Cd0.9Mn0.1Te晶体的退火改性

郝云霄;孙晓燕;张继军;介万奇

2009, 38(3): 570-575.

摘要 ( 1 )

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运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件.利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响.结果表明:在973 K,Cd气氛下对Cd0.9Mn0.1Te晶片退火140 h后,晶片(111)面的X射线回摆曲线的FWHM值由退火前的168.8'' 降至108'',红外透过率由退火前48;提升到64;,接近晶体的理论透过率,电阻率也由退火前的2.643×105 Ω·cm提高到4.49×106 Ω·cm.由此可见,对生长态的Cd0.9Mn0.1Te晶体进行退火实验能提高晶体的结晶质量,补偿晶体的Cd空位点缺陷,使晶体成分接近理想的化学计量比.

多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池光强特性的研究

刘芳芳;孙云;张力;李长健;乔在祥;何青;王赫

2009, 38(3): 576-580.

摘要 ( 2 )

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本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10～100 mW/cm2范围内的性能参数.结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm2时,电池性能衰减明显.这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高.其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退.最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7;)比低Ga含量(6.9;)的电池弱光特性好.

GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜的生长与光学性能研究

马淑芳;梁建;赵君芙;孙晓霞;许并社

2009, 38(3): 581-584.

摘要 ( 1 )

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采用热蒸发沉积法,以砷化镓和氧化镓粉末为原料,以氧化铟为催化剂,在800 ℃的氩气气氛中,在(100)砷化镓基片表面上沉积生成GaAs/Ga2O3薄膜.以配有成分分析的场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、光致发光仪(PL)等测试方法对所得薄膜的成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征.研究结果表明:薄膜以规整的波浪形均匀地覆盖在砷化镓基片表面上,所得薄膜为GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜,光致发光峰为强的红光发射;薄膜的生长机理为固-气-固过程,薄膜中砷元素含量的增加与氧化铟的作用有关.

pH值对溶胶-凝胶法制备的掺铝氧化锌薄膜光电性能的影响

刘凯;赵小如;赵亮;姜亚军;南瑞华;魏炳波

2009, 38(3): 585-590.

摘要 ( 8 )

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采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出c轴择优取向的ZnO: Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溶胶pH值对其结构、表面形貌、电学和光学性能的影响.结果表明:随着pH值的降低晶粒尺寸增大;当溶胶pH值从8.4降低到6.8时,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当pH值为7.2时其电阻率达到最小值2.6×10-3 Ω·cm,进一步分析表明,溶胶pH值的变化影响了薄膜晶界散射,而后者又使载流子迁移率发生了变化;薄膜的透光率在可见光部分随着pH值的降低而升高,而禁带宽度则从3.36 eV降到3.32 eV.

工业晶体生长

徐家跃

2009, 38(3): 591-596.

摘要 ( 9 )

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本文考察了一些典型的晶体材料及其工业生长技术,如提拉法生长硅单晶,水热法生长水晶,VGF法生长GaAs,下降法生长锗酸铋,壳熔法生长锆石等,探讨了工业晶体生长的特点和发展方向.

Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7 W) 660 nm AlGaInP宽面半导体激光器

马德营;李佩旭;夏伟;李树强;汤庆敏;张新;任忠祥;徐现刚

2009, 38(3): 597-601.

摘要 ( 4 )

PDF (264KB) ( 33 )

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本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000 μm、条宽150 μm的宽面半导体激光器.采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD).透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍.激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W.在热沉温度为20 ℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h.

水垢晶体的形成及变化规律研究

汤庆国;王丽娟;梁金生;丁燕;高明霞;李养贤

2009, 38(3): 602-607.

摘要 ( 3 )

PDF (422KB) ( 16 )

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加热含有0.001 mol/L的CaCl2和NaHCO3的水样,在保持蒸发与补水速度相同的条件下,利用扫描电子显微镜(SEM)研究碳钢挂片表面沉积水垢颗粒的生长过程,聚集形态和晶体结构的变化.结果表明:挂片表面首先析出无规则聚集的球状和片状颗粒;15 min后微小的球状或片状颗粒出现定向排列的趋势,形成表面十分粗糙的针棒状堆积体,其轴向生长速度达1.0～1.5 μm/min;随着蒸发时间的延长,在加热2 h时,针棒状堆积体由根部开始晶化,逐步形成棱角分明的六棱柱状晶体.晶体表面也会吸附新生球形颗粒不断的沉积,同时在挂片的表面还会形成许多直径约为2 μm,厚度约0.1 μm的六边形片状球霰石颗粒,片层颗粒无规则的相互支撑和聚集,部分颗粒以直立方式生长.6 h后已形成的六棱柱状晶体颗粒的顶部形态开始发生变异,形成顶端带有数十根针状分枝的孪生晶体.而部分球霰石颗粒的聚集体在加热3 h后逐步向斜六面体方解石转变.

无机-有机杂化晶体[C12H11N2O2][Cd(SCN)3]的合成和晶体结构

党东宾;孙继德;柏;尚伟丽;高慧

2009, 38(3): 608-611.

摘要 ( 2 )

PDF (236KB) ( 13 )

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合成了无机-有机杂化晶体[C12H11N2O2][Cd(SCN)3],并采用元素分析、红外光谱表征和单晶X射线衍射分析和热重分析研究.红外光谱分析表明SCN-采用1,3-μ模式.结构分析表明,相邻的Cd(II)原子通过三个1,3-μ-SCN- 阴离子桥连形成无限的[Cd(SCN)-3]∞之字链结构,固体结构中[C12H11N2O2]+阳离子和[Cd(SCN)-3]∞配阴离子形成了分离柱状堆积.该晶体属于单斜晶系P2(1)/c空间群,晶胞参数分别为:a = 1.1260(3) nm, b = 1.5080(4) nm, c =1.1070(3) nm, β= 105.410(10) °, V = 1.8121(8) nm3, Z = 4, dc = 1.840 g·cm3 , T = 293(2) K, μ = 1.571 mm-1, F(000) = 992, R1 = 0.0343, wR2 = 0.0750 [I>2σ(I)]. 热分析结果在180-305 ℃化合物失去一个有机分子,305 ℃以上伴随着镉升华失去三个SCN-阴离子.

人造金刚石加热系统分析及其精密交流调功器设计

莫金海;韦寿祺;何少佳;王红;邹云屏

2009, 38(3): 612-619.

摘要 ( 51 )

PDF (401KB) ( 30 )

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建立了加热系统的数学模型,深入分析各类交流加热的特性及差别,指出恒功率加热方式温控效果最佳且与直流加热无明显区别.建立恒功率交流加热系统SABER仿真模型并深入分析系统构成特性,设计一个基于适当功率滤波和输出偏置的模拟PID控制器.仿真和实验结果表明,所设计交流调功器具有成本低、实时性强、适应性好、控制性能佳、温控精度高等特点,能较好地满足金刚石合成工艺的要求.

CdZnTe平面核辐射探测器研究

于晖;介万奇;查钢强;杜园园;王涛;徐亚东

2009, 38(3): 620-624.

摘要 ( 32 )

PDF (257KB) ( 16 )

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采用垂直Bridgman方法生长的CdZnTe晶体,定向切割成12 mm×7 mm×2.5 mm单晶片.通过研磨、抛光、腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺,制成了Au/CdZnTe/Al平面探测器.重点研究了快速退火对电极接触特性的影响.测试了Au/CdZnTe/Al平面探测器的能谱响应特性.结果表明:在室温偏压为350 V条件下,探测器的241Am 59.54 keV光谱能量分辨为3.95;(2.35 keV FWHM).

热交换法生长蓝宝石晶体的位错研究

柯利峰;黎建明;苏小平;那木吉拉图;李楠

2009, 38(3): 625-628.

摘要 ( 4 )

PDF (291KB) ( 16 )

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本文用热交换法生长出a向,尺寸为φ150 mm×160 mm,重10 kg的低位错蓝宝石晶体,并采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了(0001)晶面的位错形貌.结果显示:(0001)晶面的位错腐蚀坑呈三角形,分布较均匀和分散,图像清晰,平均位错密度较低,为2.1×103 Pits/cm2;热交换系统保温效果好,能独立控制熔体和晶体的温度梯度,温场起伏小,具有良好的稳定性和可控性,适合用来生长大直径低位错的蓝宝石晶体.

YAG: Ce3+,Pr3+荧光粉的制备和光谱特性研究

周禾丰;侯建新;贾明理;王华;徐阳;卫芳芳

2009, 38(3): 629-632.

摘要 ( 2 )

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以稀土氧化物为原料,采用高温固相反应法合成了Ce3+,Pr3+共激活的钇铝石榴石蓝光转换材料.通过X射线粉末衍射和激发、发射光谱的测试进行表征,研究了掺杂Ce3+, Pr3+的钇铝石榴石荧光粉的晶体结构和光谱特性.结果表明:产物为立方晶系的钇铝石榴石结构,可被蓝光有效激发,并且通过Ce3+,Pr3+之间的能量传递激发镨离子发光,使荧光粉的红光成分有所增加,从而有望降低白光LED的色温,提高其显色指数.

乙酸根桥联双核锌配合物的合成、表征及晶体结构

马卫兴;钱保华;葛洪玉;许兴友;陆路德

2009, 38(3): 633-637.

摘要 ( 3 )

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首次以乙酸锌、三(2-氨基乙基)胺及四氟硼酸钠为原料在甲醇介质中反应,合成得到了新颖桥联配合物{[( tren)Zn(CH3COO)Zn(tren)](BF4)3},用元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和热重分析对其进行了表征,用X-射线单晶衍射仪测定了其晶体结构,其晶体属于四方晶系,空间群为P-42(1)m,晶体参数分别为a=1.16106(19) nm,b=1.16106(19) nm,c=1.0851(3) nm,α=β=γ=90 °,V= 1.4627(6) nm3 ;Dc=1.686 g/cm3;Z = 3;F(000)=756;μ=1.745 mm-1.

单壁碳纳米管径向形变对介电常数和吸收光谱的影响

王利光;郭良;王畅;颜浩然;Terence K. S. W.

2009, 38(3): 638-641.

摘要 ( 3 )

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采用广义梯度近似方法中的PBE(J. Perdew、K.Burke和M. Ernzerhof)技术,对结构为(10,0)的锯齿型单壁碳纳米管在径向发生0.0～0.5扁率时的介电常数ε和光谱特性进行了理论研究.结果显示:(10,0)型单壁碳纳米管的径向形变对其介电常数峰值及光谱峰值的大小、位置和频率范围都有较大的影响.当入射光偏振方向垂直管轴时,介电常数峰值向低频区偏移,光谱峰值则依赖于初始位置.当入射光的偏振方向平行于管轴时,主要特征是介电常数幅值的变化和光谱范围的拓宽,同时,介电常数峰值向低频区偏移.

Si3N4陶瓷轴承内圈NCD膜制备中的热流耦合分析

杨春;卢文壮;左敦稳;徐锋;任卫涛

2009, 38(3): 642-647.

摘要 ( 2 )

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本文设计了一套用于HFCVD系统中轴承内圈NCD涂层制备的电极装置,同时在热交换过程的分析基础上对该系统进行了热流耦合分析.对进气参数进行优化后,衬底温度场及气体流场分布均匀.在数值分析的基础上,在氮化硅陶瓷内圈上成功制备了NCD膜.

抽运光偏振态对晶体两波耦合增益的影响

郭庆林;李彦;张云英;赵云;李盼来;哈艳

2009, 38(3): 648-651.

摘要 ( 1 )

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采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,以532 nm单频固体激光器为光源,研究了抽运光偏振态对Ce: KNSBN晶体两波耦合有效增益的影响.结果表明:在信号光为e光且入射光夹角为30 °条件下,当抽运光偏振态与e光夹角为10 °时,有效增益最大;通过比较信号光打开与关闭条件下不同偏振态抽运光入射晶体时信号光及抽运光透射光强,分析得出最大增益存在的原因是偏振角为10 °时抽运光的o光分量很好的起到了擦除光扇的作用,抑制了光扇的发生,从而增益最大.取抽运光偏振态与e光夹角为10 °,研究入射光光强比对Ce: KNSBN晶体两波耦合有效增益的影响,结果发现随入射光光强比的增大,有效增益先增大后减小,光强比为1: 50时对应的增益最大为33.8.同时对研究结果进行了相应的物理解释.

La2O3纳米晶的制备及表征

许小荣;李建芬;肖波;张开诚;孙涛

2009, 38(3): 652-656.

摘要 ( 3 )

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以六水合硝酸镧为原料,尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法制备了La2O3纳米晶,探讨了制备条件对产品产率和平均粒径的影响,得出了最佳工艺条件:反应物n(尿素)/n(硝酸镧)为6: 1,沉淀反应温度和时间分别为115 ℃和2.0 h,煅烧温度为750 ℃.同时,利用FT-IR、XRD和SEM等分析方法对最佳制备条件下所得产品的物相结构、形貌和粒径进行了表征.结果显示:实验制备的La2O3纳米晶颗粒呈球形,分散性好,纯度较高,属六方晶系结构,平均粒径为32 nm.

氧分压对化学气相沉积法合成ZnO纳米结构形貌的影响

冯程程;周明;吴春霞;马伟伟;李刚;蔡兰

2009, 38(3): 657-661.

摘要 ( 2 )

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本文利用化学气相沉积(CVD)法在镀有Au(10 nm)膜的单晶Si(100)上制备了ZnO薄膜,并研究了不同的氧分压对ZnO形貌的影响.借助扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌、结晶质量和晶体生长取向进行了表征.结果表明:当O2分压较小的时候,O2只能与Zn团簇的某些界面发生反应并逐渐结晶生成层状的ZnO微米团簇.当 O2分压较大的时候,ZnO通过二次生长形成由微米柱阵列和表面无序纳米线构成的分层复合结构,并且表面纳米线的密度随着氧分压的增加而增加.高分辨透射电镜(HRTEM)和选取电子衍射(SAED)分析表明,单根纳米线是沿[001]方向生长的ZnO单晶.

退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响

郁操;侯国付;刘芳;孙建;赵颖;耿新华

2009, 38(3): 662-665.

摘要 ( 2 )

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本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜.结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800 ℃.而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多.在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38;.

不同X射线管电压下CsI和CsI(Tl)晶体的X射线辐照致发光

吴正龙;杨百瑞

2009, 38(3): 666-671.

摘要 ( 4 )

PDF (317KB) ( 17 )

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在室温(290 K)和低温(25 K)下,测量了从11～40 kV的一系列管电压下X射线激发纯CsI和CsI (Tl)晶体的辐照致发光(RL)谱.结果表明:在固定温度下,管电压变化后, 305 nm和340 nm的本征发光带和580 nm的非本征发光带的形状结构均不发生变化,只是其强度发生变化.对所测得的各发光带强度随管电压的变化关系用抛物线模型进行了拟合分析,得到了较好的结果.同时还发现纯CsI和CsI (Tl)晶体中所有本征RL发光带强度与X射线强度基本上成正比关系,而当管电压增加时,CsI (Tl)晶体中非本征发光带强度的增加速度慢于本征发光带.分析认为,290 K时这可能与样品中另一个位于400 nm左右的发光带有关;而在25 K时则可能和H心与VK心的竞争有关.

配合物[Cu2(C6H2Cl2OC=N-C3H6COO)2(H2O)2]·3H2O合成与晶体结构

夏金虹;刘峥;王莉

2009, 38(3): 672-676.

摘要 ( 1 )

PDF (241KB) ( 14 )

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本文以苏氨酸,3,5-二溴水杨醛以及醋酸铜为原料合成了新型配合物[Cu2(C6H2Cl2OC=N-C3H6COO)2(H2O)2]·3H2O,并对其晶体结构经元素分析,红外光谱及X射线单晶衍射表征.结果表明:该晶体属单斜晶体结构,晶胞参数分别为:a=0.6985(2) nm, b=1.0789(2) nm, c=1.9639(3) nm, β=92.182(3) °, Mr=797.34, V=1.4789(6) nm3 , Z=2, Dc=1.790 g/cm3, μ(MoKa) =1.867 mm-1, F(000)=808, R=0.0321, wR= 0.0566.Cu(II)与一个N原子,两个O原子以及一个水分子构成三齿链状席夫碱.不对称单元结构包含两个配合物分子及三个由氢键链接的水分子.

高温高压生长宝石级金刚石单晶的表面特征研究

臧传义;陈奎;胡强;黄国锋;陈孝洲;贾晓鹏

2009, 38(3): 677-680.

摘要 ( 6 )

PDF (323KB) ( 20 )

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本文利用高温高压温度梯度法,NiMnCo合金作为触媒,分别采用籽晶{100}和{111}作为生长面,合成了Ib型宝石级金刚石单晶,对其表面特征进行了分析和讨论.结果发现,宝石级金刚石单晶的表面特征不具有唯一性,多数情况下,晶体{111}面明显较{100}面平整,而且{100}面生长台阶的棱角不清晰,经常会出现经触媒融融过的痕迹,并且这种现象的出现跟籽晶生长面不同和合成温度条件高低无关;{111}面有时也会出现明显的生长台阶,棱角清晰,并且形状较为规则.宝石级金刚石晶体表面特征的不唯一性说明晶体表面特征对生长条件稳定性有更高的要求.

掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

朱辉;黄剑锋;曹丽云;曾燮榕;熊信柏;吴建鹏

2009, 38(3): 681-684.

摘要 ( 5 )

PDF (228KB) ( 15 )

相关文章 | 计量指标

采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS: Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS: Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响.结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度在0.4;以内,并不会改变ZnS薄膜的物相组成,而且会使薄膜的结晶程度有所提高.研究还发现,在pH=4.0,沉积电压为2 V,掺杂浓度为0.3 ;的条件下,所制得的ZnS: Cu薄膜光致发光光谱峰值最大,亮度最高.

ZnO: Mn稀磁薄膜结构和铁磁特性分析

于威;张丽;张子才;杨丽华;滕晓云;张锦川;傅广生

2009, 38(3): 685-688.

摘要 ( 1 )

PDF (236KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石衬底上制备了不同Mn掺杂浓度的ZnO薄膜(ZnO: Mn),研究了与生长相关的浅缺陷能级对薄膜磁性的作用.结果表明:所制备的ZnO: Mn薄膜均具有高度c轴择优取向,且具有室温铁磁性.随Mn含量增加,薄膜结晶质量逐渐提高,晶粒尺寸明显增大,单位磁性离子磁矩逐渐减小.薄膜所显示出的铁磁性可归结为材料结构缺陷的本质反映.薄膜导电特性变化反映了薄膜生长过程所决定的晶粒内部和晶粒边界缺陷密度变化的竞争,与此对应,激活能的变化反映了晶粒内部费米能级位置先升高而后降低.薄膜的载流子传输在低温下满足变程跳跃电导机制,该机制和材料的铁磁性紧密相关.近邻Mn离子比例的增加将对薄膜铁磁性的减小产生贡献.

纳米ZnO的形态控制及其发光性能

吴莉莉;邹科;赵金博;石元昌;吴佑实

2009, 38(3): 689-692.

摘要 ( 2 )

PDF (311KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

以醋酸锌为原料,以聚合物和表面活性剂为添加剂,水热法合成了两种新型的纳米ZnO结构.并采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光光谱(PL)等测试方法对所得产物形貌和光学性能进行了研究,并对对两种纳米形态的形成机理进行了初步的探讨.结果表明:所得产物为六角纤锌矿型氧化锌纳米晶,分散性良好,形貌为枣核状,而这种枣核状的粒子是由众多短棒状粒子取向生长而形成的.升高温度,则得到了直径约100 nm,长约2 μm 的两头尖的纳米棒,棒的表面依附生长了针状颗粒.

磁场非平衡度对Cr镀层晶体生长过程的影响

文晓斌;李显;梁戈;蒋百灵

2009, 38(3): 693-699.

摘要 ( 4 )

PDF (549KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

采用扫描电子显微镜、表面粗糙度测试仪及X射线衍射仪分析了直流、单靶磁控溅射条件下磁控管非平衡度对Cr镀层生长过程的影响.结果表明:磁控管非平衡度的改变显著影响着整个沉积过程中镀层的表面形貌、表面粗糙度以及镀层晶体结构.镀层沉积各时间段内均由不同的影响因素主导其生长过程,斜向沉积和自遮蔽效应是柱状晶斜向生长的主要原因.同一沉积时间下,镀层粗糙度随磁控管非衡度的增大而增大.随着沉积速率的增大,镀层晶体经历了由随机生长向择优生长的转变过程且镀层晶体发生了由密排面Cr(110)向次密排面Cr(200)择优生长的转变.

CF4气氛中生长Re: LiM(Re=Tm,Ce;M=Lu,Y)F4晶体

那木吉拉图;阮永丰;苏小平;杨海;杨鹏;李楠

2009, 38(3): 700-704.

摘要 ( 4 )

PDF (271KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

本文在CF4气氛中以提拉法成功地生长出高质量的掺入Tm3+、Ce3+的LiLuF4和LiYF4晶体,对比了Ar和CF4气氛中生长的LiYF4晶体的红外光谱特性,讨论了CF4气氛对LiM(M=Y,Lu)F4晶体生长的影响.同时测试了Tm3+、Ce3+在LiLuF4和LiYF4晶体中的有效分凝系数,从离子半径和晶胞畸变的角度,讨论了Tm3+、Ce3+在LiLuF4和LiYF4晶体中有效分凝系数差别的产生原因.

用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶

晏春愉;高斐;张佳雯;方晓玲;刘伟;孙杰;权乃承

2009, 38(3): 705-709.

摘要 ( 2 )

PDF (301KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2 + GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶.X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成.Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-Ge振动峰向低频移动.X射线光电子能谱(XPS)分析表明Ge主要以Ge0和Ge4+形式分别存在于所制备的超晶格中的SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层中.透射电子显微镜(TEM)研究表明,Ge纳米晶被限制在SiO2+Ge层中且结晶性好.实验结果说明,相比于通常的单层介质膜方法,用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度,尺寸和空间分布的均匀性.

一种双核铜配合物[Cu(II)2(Paba)2(4,4'-Bipy)(H2O)2]·(ClO4)2的合成、表征及晶体结构

欧阳淼;蔡成翔;赵志愿;陈倩倩;蒋毅民

2009, 38(3): 710-714.

摘要 ( 2 )

PDF (240KB) ( 10 )

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在水和甲醇的溶剂中合成了标题配合物[Cu(II)2(Paba)2(4,4'-Bipy)(H2O)2]·(ClO4)2 [PabaH=2-(2-吡啶甲基亚氨基)苯磺酸],通过红外光谱、元素分析、X射线单晶衍射等手段对配合物进行了表征.结果表明,该配合物晶体属于单斜晶系,空间群为P2(1)/n. 晶体学参数: a=14.559(2) nm, b=0.95984(13) nm, c=1.6038(2) nm, α=γ=90°, β=115.694(2)°, V=2.0197(5) nm3, Z=2.

CaCO3基红色荧光粉的合成及其光谱性能分析

康明;刘军;孙蓉

2009, 38(3): 715-720.

摘要 ( 14 )

PDF (339KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

采用水热法合成CaCO3: Eu3+和CaCO3: Eu3+, Li+红色荧光粉,研究了掺杂离子对样品的物相、晶粒形貌和光谱性质的影响.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外光谱(FT-IR)、激光拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(PL-PLE)等手段表征样品的性能.结果表明:样品均为三角晶系的方解石结构;Eu3+作为发光中心取代了基质CaCO3中Ca2+的位置;Li+作为电荷补偿剂有助于Eu3+更好的进入到基质的晶格中,提高样品的发光性能;样品CaCO3: Eu3+ 和CaCO3: Eu3+,Li+的最大激发峰分别位于254 nm(Eu3+-O2-的电荷迁移跃迁)和396 nm(7F0→5L6跃迁),其最强发射峰分别位于 616 nm和610 nm,均为电偶极跃迁5D0→7F2,属于红色发光.

阳极修饰层ZnPc对OLED性能影响的研究

李方馨;孟庆蕾;席曦;钱维莹;阙立志;王振交;季静佳;丁玉强;顾晓峰;李果华

2009, 38(3): 721-726.

摘要 ( 3 )

PDF (352KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

本文采用真空蒸镀法制备了不同厚度的酞菁锌(ZnPc)超薄膜,研究了不同厚度的ZnPc缓冲层对OLEDs器件发光性能的影响,测试了器件的一系列光电性能,对相关机理进行了探讨.结果表明:含有ZnPc修饰层的器件性能明显优于不含有修饰层的器件,加入ZnPc修饰层后器件发光稳定性也得到了改善,同时不同厚度的修饰层对器件性能的影响也有所不同.分析认为,ZnPc能有效改善ITO表面的平整度和降低空穴注入势垒的性质是提高器件性能的主要原因.

熔盐法制备针状莫来石晶体的研究

李月明;王进松;廖润华;涂明林

2009, 38(3): 727-731.

摘要 ( 1 )

PDF (287KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

本文采用Al2(SO4)3·18H2O和SiO2为原料,以K2SO4,Na2SO4为熔盐,用熔盐法合成了针状莫来石晶体.研究了不同合成温度、熔盐用量和保温时间对合成莫来石晶体的影响,分析了熔盐法合成针状莫来石的反应机理.研究结果表明:以K2SO4为熔盐,熔盐与反应物总量质量比为1: 1,合成温度为1000 ℃,保温时间为3 h时可以合成针状莫来石晶体,针状莫来石的生成符合L-S液固生长机理.

利用直流磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO: Zr新型透明导电薄膜

张化福;类成新;刘汉法;袁长坤

2009, 38(3): 732-737.

摘要 ( 2 )

PDF (342KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

室温下利用直流磁控溅射法在有ZnO缓冲层的柔性衬底 PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO: Zr)透明导电薄膜,研究了厚度对ZnO: Zr薄膜结构及光电性能的影响.结果表明,ZnO: Zr薄膜为六方纤锌矿结构的多晶薄膜.实验获得ZnO: Zr薄膜的最小电阻率为2.4×10-3 Ω·cm,其霍尔迁移率为18.9 cm2·V-1·s-1 ,载流子浓度为2.3×1020 cm-3.实验制备的ZnO: Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光平均透过率超过92;.

微波固相反应前驱体热分解法制备纳米氧化铜粉体

彭秧锡;刘士军

2009, 38(3): 738-741.

摘要 ( 10 )

PDF (198KB) ( 15 )

相关文章 | 计量指标

将固体CuSO4·5H2O和Na2CO3混合均匀后溶于适量乙醇中,然后进行微波辐照,立即反应生成泥浆状固体,将该泥浆状固体洗涤后干燥即可得到粉状前驱体.然后在600 ℃加热1 h分解该前驱体,即可制得纳米氧化铜粉体.在加热速率为10 ℃/min的条件下,对该前驱体进行表征,发现其热分解和晶体化温度约为550 ℃.对制得的纳米氧化铜粉体进行XRD、SEM、TEM和IR分析,结果表明制得的产物为纳米氧化铜粉体,其粉体粒径在30～50 nm,平均粒径约为40 nm.

配合物[Cu(C7H5N3O2)2·(H2O)2](NO3)2的合成、晶体结构及荧光性质

周永红;田玉鹏;吴杰颖

2009, 38(3): 742-745.

摘要 ( 1 )

PDF (222KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

合成了标题化合物[Cu(C7H5N3O2)2·(H2O)2](NO3)2,并用元素分析、红外、紫外、X射线单晶衍射进行了表征.此外,还研究了配合物的荧光性质.结果表明,该晶体属三斜晶系,Pī空间群,a=0.72484(11) nm, b=0.81483(12) nm, c=0.92079(14) nm, α=69.425(2) o, β=78.031(2)o, γ=84.955(2) o, Z=1, F(000)=279, R1 = 0.0272, wR2 = 0.0715;在λex=370 nm的光激发下,配合物在739 nm出现特征荧光.

碳酸氢铵共沉淀法制备(Y,Gd)2O3: Eu3+纳米材料及光谱特性

郭易芬;马伟民;闻雷;沈世妃;王华栋;尹凯

2009, 38(3): 746-750.

摘要 ( 9 )

PDF (281KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

以碳酸氢铵作沉淀剂采用共沉淀法制备了(Y,Gd)2O3: Eu3+纳米粉体.用FT-IR、DTA/TG、XRD和SEM对样品进行了表征,并用荧光光度计分析了样品的发射光谱.结果表明:碳酸氢铵为沉淀剂,先驱沉淀物经150 ℃干燥,800 ℃煅烧保温2 h时,合成了近似球形、粒径均匀、约为15～20 nm、分散性好的(Y,Gd)2O3: Eu3+纳米粒子.随着掺入Eu3+浓度的增加, 发射峰强升高;当掺入5 mol;的Eu3+时,峰强最大; 当Eu3+的含量高于5 mol;时出现了浓度猝灭,峰强反而降低.

含铋双金属配合物的合成与表征

钟国清;蒋琪英;张志朋

2009, 38(3): 751-755.

摘要 ( 5 )

PDF (264KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

在水溶液中采用固液相反应法合成了二乙烯三胺五乙酸的含铋双金属配合物CaBi(dtpa)·5H2O(1)和MnBi(dtpa)·5H2O(2).用元素分析、X射线粉末衍射、红外光谱、原子吸收和热重分析等方法进行表征,确定了配合物的组成和结构,并对XRD数据进行了指标化.结果表明:两种配合物均为单斜晶系,CaBi(dtpa)·5H2O的晶胞参数为:a=1.2837 nm,b=0.8682 nm,c=1.3593 nm,β= 97.909 °;MnBi(dtpa)·5H2O的晶胞参数为:a=1.4359 nm,b=0.8666 nm,c=0.7369 nm,β =96.295 °.

8-羟基喹啉金属配合物的制备与提纯

卫芳芳;王华;徐阳;侯建新;周禾丰;许并社

2009, 38(3): 756-760.

摘要 ( 14 )

PDF (295KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

对以8-羟基喹啉为配位体的金属配合物合成过程中几个重要的影响因素进行研究,发现反应溶液的浓度、合成反应的时间、反应体系的pH值、反应温度等因素对8-羟基喹啉金属配合物的产率以及发光性能有很大的影响.结果表明:当8-羟基喹啉乙醇溶液浓度为80 g/L,反应体系pH值为7.14,温度为70 ℃,反应时间为3 h时,Alq3的产率最高;反应体系pH值为10,温度为50 ℃,反应时间为1 h,Liq的产率最高;pH值为8,温度为70 ℃,反应时间为1 h,Znq2的产率最高.

用于晶体生长的氮化铝保温材料的研究

武红磊;郑瑞生;孟姝

2009, 38(3): 761-766.

摘要 ( 5 )

PDF (406KB) ( 22 )

相关文章 | 计量指标

在不添加任何添加剂的情况下,采用氮化铝粉体作高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料.实验结果表明:氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶体中引入杂质等优点,是一种优良的高温保温材料.与目前常用的石墨保温材料相比较,氮化铝存在热导率相对较高、在高温过程中会少量升华污染炉腔等缺点,在使用中要采取一定的对策,以消除其不利影响.

反应条件对PbWO4纳米棒形貌和光致发光性能的影响

邢光建;李钰梅;李楠楠;王怡;武光明

2009, 38(3): 767-771.

摘要 ( 1 )

PDF (309KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

采用反相微乳液辅助的溶剂热法合成了不同形貌的PbWO4纳米棒,用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)谱等技术对产物进行了结构表征和发光性能的测试.结果表明:通过改变反应条件如反应温度、时间和表面活性剂的浓度可以得到不同结构与形貌的PbWO4纳米棒,其发光性能也随其形貌不同而不同.

掺杂量对ZnO陶瓷靶材性能影响的研究

赵静;刘丽杰;蔡宁;薛俊明;赵颖

2009, 38(3): 772-776.

摘要 ( 2 )

PDF (283KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO: Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响.结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一.随Al: Zn原子比从0: 100变化至8.0: 100,电阻率呈现先递减后递增的规律.当Al: Zn原子比为4.0: 100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3 Ω·cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高.为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成.

无压烧结制备透辉石/AlTiB增韧补强氧化铝基结构陶瓷材料

刘长霞;孙军龙;张希华;王保卫

2009, 38(3): 777-781.

摘要 ( 5 )

PDF (382KB) ( 15 )

相关文章 | 计量指标

采用温度梯度无压烧结工艺制备了透辉石/AlTiB增韧补强Al2O3基结构陶瓷材料,探讨了其致密化烧结特性,并对其力学性能进行了测试和分析.研究了透辉石/AlTiB增韧补强Al2O3基结构陶瓷材料的微观结构,并分析了其力学性能和微观结构与透辉石含量的关系.结果表明:与纯Al2O3相比,透辉石/AlTiB增韧补强Al2O3基结构陶瓷材料的力学性能得到明显提高,其中添加6;(体积百分含量,下同)透辉石和4;AlTiB的Al2O3基结构陶瓷材料获得较好的综合力学性能,其硬度、抗弯强度和断裂韧性分别达到16.02 GPa、370 MPa和5.11 MPa·m1/2.力学性能提高的主要原因为:添加相与Al2O3基体之间界面反应的发生以及透辉石和AlTiB对复合材料的协同晶粒细化效应.

AACH热分解法制备α-Al2O3超细粉末

饶焰高;饶平根;薛佳祥;李伟信;吕明;吴建青

2009, 38(3): 782-787.

摘要 ( 2 )

PDF (359KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

以NH4Al(SO4)2与NH4HCO3为原料,采用共沉淀法制备出前驱物碳酸铝铵(AACH),并煅烧得到超细α-Al2O3粉末. 研究了pH值、滴加速度及醇水混合溶剂等因素对反应产物的影响,并对前驱物AACH的高温相变过程和α-Al2O3籽晶对θ-Al2O3→α-Al2O3相变的影响进行了分析.利用XRD、TEM和BET等对粉体的性能进行表征.结果表明:在醇水混合溶剂中控制反应体系的pH值为9～10,将硫酸铝铵溶液以＜18 mL/min的速度滴入碳酸氢铵溶液,可合成颗粒细小、粒度分布均匀且分散性优异的AACH前驱物.不含籽晶的AACH煅烧时α相完全转化温度为1150 ℃,获得α-Al2O3粒径约为100 nm,而α-Al2O3籽晶的加入可将完全转变温度降至1050 ℃,获得的α-Al2O3粒径约为70 nm.

二阶非线性弹光张量的旋转不变性

王红利;江少林

2009, 38(3): 788-791.

摘要 ( 13 )

PDF (252KB) ( 15 )

相关文章 | 计量指标

基于群论原理,用Matlab语言编制了用于计算具有SO(2)群对称性的任意阶弹光系数张量的通用软件.在编程中,采用由非对称化的恒等表示基函数构造出具有弹光系数张量本征对称性的对称化恒等表示基函数的方法,以便于编制通用软件.利用该软件得到了具有SO(2)群对称性的二阶非线性应变和应力弹光系数张量的形式,并经坐标变换验证,该张量形式确实具有围绕物理坐标系中Z轴的任意旋转不变性.

蛋白土提纯对其理化性能的影响研究

陈俊涛;郑水林;白春华

2009, 38(3): 792-796.

摘要 ( 17 )

PDF (281KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

采用焙烧和硫酸浸法对细磨后的蛋白土进行提纯处理,通过SEM、TEM、比表面积及孔径测定仪和红外光谱仪等测试手段对提纯前后的蛋白土进行了表征.结果表明:原蛋白土提纯后可使其SiO2含量由79.42;提到高89.52;,其杂质减少、比表面积及孔体积增大、介孔数量增多和颗粒表面活性增强;通过提纯前后蛋白土对罗丹明B的吸附实验,结果表明蛋白土提纯前后对罗丹明B都有很好的吸附性,提纯蛋白土的吸附能力明显好于原蛋白土.

配合物[Cu(abpa)(pht)] pht·CH3OH的合成、晶体结构和抗微生物活性

胡喜兰;施鹏飞;许兴友;尹福军;王大奇

2009, 38(3): 797-802.

摘要 ( 2 )

PDF (329KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

利用加热法合成了标题配合物[Cu(abpa)(pht)] pht·CH3OH(Hpht:苯妥英,即5,5-二苯基-2,2咪唑烷酮; abpa:(2-氨基乙基)-二(氨基丙基)胺),采用元素分析、红外光谱、热重分析、X-射线单晶衍射等技术对其结构进行了表征.该晶体属三斜晶系,Pī空间群,晶胞参数:a= 0.8497(2) nm,b= 1.4120(3) nm,c=1.7150(3) nm,α= 67.544(2) °,β= 87.434(3) °,γ=76.842(3) °;V=1.8496(6) nm3,Dc=1.387 mg/m3,Z=2,F(000)=814,μ=0.646 mm-1,R1= 0.0980,wR2 = 0.2180 [I>2σ(I)].每个配合物分子由一个(2-氨基乙基)-二(氨基丙基)胺苯妥英合Cu(II)阳离子、一个苯妥英阴离子及一个溶剂化甲醇分子构成;配合物中每个Cu(II) 离子与来自一个苯妥英的1个N 原子和一个(2-氨基乙基)-二(氨基丙基)胺的4个N原子配位, 形成畸变的三角双锥结构单元.利用琼脂扩散法和单片滤纸法测试了配合物、配体和铜盐的抑菌活性,结果表明,它们对4种植物致病真菌和3种细菌均有一定的抑菌活性.

高掺镁铌酸锂晶体OH-吸收光谱的低温研究

师丽红;陈洪建;阎文博

2009, 38(3): 803-806.

摘要 ( 1 )

PDF (235KB) ( 13 )

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本文测量了纯铌酸锂和高掺镁铌酸锂晶体的低温红外光谱,观察了OH-吸收峰的温度依赖特性.研究发现纯铌酸锂的OH-振动吸收峰基本不随温度而变化,而高掺镁铌酸锂晶体的OH-振动吸收峰的主峰峰位随温度的降低向高波数方向移动.通过分析两种晶体中不同的缺陷模型以及H+在晶格中的占位,我们提出高掺镁铌酸锂晶体中的H+紧邻高电性杂质缺陷(MgNb)3-分布,直接参与缺陷集团,完全不同于纯铌酸锂晶体中H+的分布情形,这造成了高掺镁铌酸锂晶体中OH-振动吸收峰随温度的变化.而集团内部缺陷之间相互作用随温度降低而增强的趋势是OH-振动吸收峰右移的主要原因.

间硝基苯胺晶体的定向生长及光学性能研究

王文礼;王快社;王文;郭伟

2009, 38(3): 807-811.

摘要 ( 2 )

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采用过冷熔体定向约束生长方法生长了尺寸约为30×15×8 mm3的块状间硝基苯胺晶体,并对生长晶体的光学均匀性、光学透过率、二次谐波转换效率以及激光损伤阈值等性能进行了测试.结果表明:生长的间硝基苯胺晶体在500～1150 nm波段内的光学透过率均在92;以上;最高二次谐波转换效率达到69.6;;单点激光脉冲损伤阈值分别为19.8 GW/cm2(输入光波为1064 nm)和45.3 GW/cm2(输入光波为532 nm).采用过冷熔体定向约束生长的间硝基苯胺晶体适合用作Nd: YAG激光的二次倍频器件,也适于作500～1150 nm波段的光学调制器件.

ZnGeP2晶体的合成与生长

杨春晖;王猛;夏士兴;孙亮;朱崇强;吕维强;姚宝权;王月珠

2009, 38(3): 812-812.

摘要 ( 5 )

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采用双温区法合成ZnGeP2多晶料;采用布里奇曼法生长ZnGeP2单晶,晶体尺寸为22×90 mm2.晶体透光范围0.7～12.0 μm,平均透过率达到56;;OPO光参量震荡器件尺寸6×6×15 mm3,采用2 μm的泵浦光,产生4 W以上的3.8～4.5 μm激光输出.

《人工晶体学报》参考文献书写规则

2009, 38(3): 813.

摘要 ( 1 )

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