CdZnTe平面核辐射探测器研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 620-624.

CdZnTe平面核辐射探测器研究

于晖;介万奇;查钢强;杜园园;王涛;徐亚东

西北工业大材料学院,西安,710072

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20

Research on CdZnTe Planar Detector

YU Hui;JIE Wan-qi;ZHA Gang-qiang;DU Yuan-yuan;WANG Tao;XU Ya-dong

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用垂直Bridgman方法生长的CdZnTe晶体,定向切割成12 mm×7 mm×2.5 mm单晶片.通过研磨、抛光、腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺,制成了Au/CdZnTe/Al平面探测器.重点研究了快速退火对电极接触特性的影响.测试了Au/CdZnTe/Al平面探测器的能谱响应特性.结果表明:在室温偏压为350 V条件下,探测器的241Am 59.54 keV光谱能量分辨为3.95;(2.35 keV FWHM).

中图分类号:

TN304

于晖;介万奇;查钢强;杜园园;王涛;徐亚东. CdZnTe平面核辐射探测器研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 620-624.

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