退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 662-665.

退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响

郁操;侯国付;刘芳;孙建;赵颖;耿新华

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300401

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津市应用基础研究计划项目(07JCYBJC04000);国家重点基础研究发展规划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603);国家科技计划配套项目(07QTPTJC29500)

Influence of Annealing Temperature and β-FeSi2 Layer Thickness on the n-type β-FeSi2/p-type Si Heterojunction Solar Cells

YU Cao;HOU Guo-fu;LIU Fang;SUN Jian;ZHAO Ying;GENG Xin-hua

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜.结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800 ℃.而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多.在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38;.

中图分类号:

TM914

郁操;侯国付;刘芳;孙建;赵颖;耿新华. 退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 662-665.

YU Cao;HOU Guo-fu;LIU Fang;SUN Jian;ZHAO Ying;GENG Xin-hua. Influence of Annealing Temperature and β-FeSi2 Layer Thickness on the n-type β-FeSi2/p-type Si Heterojunction Solar Cells[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(3): 662-665.

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