掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 681-684.

掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响

朱辉;黄剑锋;曹丽云;曾燮榕;熊信柏;吴建鹏

陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,西安,710021;深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060;深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室,深圳,518060

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0893);陕西科技大学研究生创新研究基金;深圳市特种功能材料重点实验室基金(0701)

Influence of Doping Concentration on ZnS: Cu Optical Thin Films Prepared by Electrodeposition

ZHU Hui;HUANG Jian-feng;CAO Li-yun;ZENG Xie-rong;XIONG Xin-bo;WU Jian-peng

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用阴极恒电压法在ITO(In2O3-SnO2)导电玻璃表面制备了ZnS: Cu薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱仪(PL)研究了掺杂浓度对ZnS: Cu薄膜的物相组成、显微结构及发光性能的影响.结果表明:控制Cu2+的质量掺杂浓度在0.4;以内,并不会改变ZnS薄膜的物相组成,而且会使薄膜的结晶程度有所提高.研究还发现,在pH=4.0,沉积电压为2 V,掺杂浓度为0.3 ;的条件下,所制得的ZnS: Cu薄膜光致发光光谱峰值最大,亮度最高.

中图分类号:

O484

朱辉;黄剑锋;曹丽云;曾燮榕;熊信柏;吴建鹏. 掺杂浓度对电沉积法制备ZnS: Cu光学薄膜影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 681-684.

ZHU Hui;HUANG Jian-feng;CAO Li-yun;ZENG Xie-rong;XIONG Xin-bo;WU Jian-peng. Influence of Doping Concentration on ZnS: Cu Optical Thin Films Prepared by Electrodeposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(3): 681-684.

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