磁场非平衡度对Cr镀层晶体生长过程的影响

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (3): 693-699.

磁场非平衡度对Cr镀层晶体生长过程的影响

文晓斌;李显;梁戈;蒋百灵

西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048

出版日期:2009-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2005AA33H010)

Influence of Unbalanced Coefficient of Magnetic Field on the Crystal Growth of Cr Film

WEN Xiao-bin;LI Xian;LIANG Ge;JIANG Bai-ling

Online:2009-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用扫描电子显微镜、表面粗糙度测试仪及X射线衍射仪分析了直流、单靶磁控溅射条件下磁控管非平衡度对Cr镀层生长过程的影响.结果表明:磁控管非平衡度的改变显著影响着整个沉积过程中镀层的表面形貌、表面粗糙度以及镀层晶体结构.镀层沉积各时间段内均由不同的影响因素主导其生长过程,斜向沉积和自遮蔽效应是柱状晶斜向生长的主要原因.同一沉积时间下,镀层粗糙度随磁控管非衡度的增大而增大.随着沉积速率的增大,镀层晶体经历了由随机生长向择优生长的转变过程且镀层晶体发生了由密排面Cr(110)向次密排面Cr(200)择优生长的转变.

中图分类号:

TG144
TB43

文晓斌;李显;梁戈;蒋百灵. 磁场非平衡度对Cr镀层晶体生长过程的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(3): 693-699.

WEN Xiao-bin;LI Xian;LIANG Ge;JIANG Bai-ling. Influence of Unbalanced Coefficient of Magnetic Field on the Crystal Growth of Cr Film[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(3): 693-699.