硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 818-820.

硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究

杨胜伟;朱世富;赵北君;陈宝军;袁泽锐;樊龙

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20

Study on Etch Pits Morphology on the (112)Face of AgGaS2 Crystals

YANG Sheng-wei;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;CHEN Bao-jun;YUAN Ze-rui;FAN Long

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形.初步解释了蚀坑的形成原因.AgGaS2晶体低指数的{100}面的腐蚀速度较慢,在腐蚀过程中逐渐显露出来,最终使晶体(112)面呈现出三角锥形蚀坑形貌.

中图分类号:

杨胜伟;朱世富;赵北君;陈宝军;袁泽锐;樊龙. 硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 818-820.

YANG Sheng-wei;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;CHEN Bao-jun;YUAN Ze-rui;FAN Long. Study on Etch Pits Morphology on the (112)Face of AgGaS2 Crystals[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(4): 818-820.

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