HgI2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 1008-1011.

HgI2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性

许岗;介万奇;李高宏

西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072;西安工业大学材料与化工学院,西安,710032

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
西安应用材料创新基金(XA-AM-200811)

I-V Characteristics of HgI2 Crystal with Sputtered Au and Electroless Au Contacts

XU Gang;JIE Wan-qi;LI Gao-hong

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性.测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109 Ω·cm.计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107 Ω和4.3×106 Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触.分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/ HgI2具有良好的欧姆接触特性.溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.

中图分类号:

O561.1

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