激光晶体位错蚀坑的SEM研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (4): 1004-1007.

激光晶体位错蚀坑的SEM研究

权纪亮;谢致薇;杨元政;陈先朝;李文涛;刘了;武南平

广东工业大学材料与能源学院,广州,510006;广州半导体材料研究所,广州,510610

出版日期:2009-08-15 发布日期:2021-01-20

Observation of Dislocation Etch Pits in Laser Crystal by Scanning Electron Microscopy

QUAN Ji-liang;XIE Zhi-wei;YANG Yuan-zheng;CHEN Xian-chao;LI Wen-tao;LIU Liao;WU Nan-ping

Online:2009-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用扫描电镜(SEM)及能谱(EDS)技术研究激光晶体缺陷,给出了经腐蚀过后Nd: YAG晶体表面位错蚀坑的清晰图片和元素分布定量信息,同时进行了对比实验,并对实验结果进行了分析.结果表明:Nd: YAG晶体位错腐蚀坑呈三角锥状,腐蚀坑杂质元素分布较多,主要元素含量偏离晶体完整区成份;位错腐蚀坑稀疏区与密堆区元素分布及含量不同.并讨论了位错成因.

中图分类号:

权纪亮;谢致薇;杨元政;陈先朝;李文涛;刘了;武南平. 激光晶体位错蚀坑的SEM研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 1004-1007.

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