Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (1): 52-56.

Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响

王赫;刘芳芳;孙云;何青;张毅;李长健

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

出版日期:2010-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津市重大科技攻关项目(05YFGZGX03400);国家高技术发展计划(863)项目(2004AA513020);天津市科技创新专项资金项目(06FZZDGX01200)

Gallium Grading on the Surface of Cu(In,Ga)Se_2 Absorber and Its Effects on the Performance of Solar Cells

Online:2010-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se_2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布.随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压V_(oc)明显增大.同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流J_(sc)的损失,从而有效地提高了电池的转换效率.

中图分类号:

TM615

王赫;刘芳芳;孙云;何青;张毅;李长健. Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(1): 52-56.

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Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响

Gallium Grading on the Surface of Cu(In,Ga)Se_2 Absorber and Its Effects on the Performance of Solar Cells

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