人工晶体学报

《人工晶体学报》征稿简则

2010, 39(1): 1.

摘要 ( 12 )

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自拉曼激光晶体Er: PbWO_4的光谱性质研究

熊巍;陈良;袁晖

2010, 39(1): 5-9.

摘要 ( 16 )

PDF (292KB) ( 10 )

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采用坩埚下降法生长出大尺寸Er: PbWO_4晶体,通过对晶体顶端和靠近晶种端的吸收光谱、自发拉曼散射光谱、荧光发射寿命和980 nm LD泵浦下红外荧光光谱的测试,分析讨论了Er: PbWO_4晶体的自拉曼光谱性质.对纯PbWO_4晶体的自发拉曼散射光谱的振动模式进行了简单的分析和指认,指出其强度最大的振动模位于903 cm~(-1),对应于W-O对称伸缩振动模Ag.结合Er~(3+)的红外波段荧光光谱及荧光寿命的测试,研究了介质PbWO_4将Er~(3+)的1.5 μm发光拉曼频移获得中红外发光的可能性.

CaB_8O_(11)(OH)_4晶体的水热生长、表征与非线性光学效应研究

牟雪淞;胡章贵;张昌龙

2010, 39(1): 10-14.

摘要 ( 11 )

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本文研究了含水硼酸盐非线性光学晶体CaB_8O_(11)(OH)_4的生长方法及其基本性质.以H_3BO_3和CaO为原料,采用水热法在280～350 ℃生长了二水八硼酸钙(CaB_8O_(11)(OH)_4),并对其进行了XRD、TG-DSC、FT-IR、SHG、透过光谱测试;从结构上分析了其产生较大非线性光学效应的原因,其粉末倍频效应相当于同等粒度KDP的1～2倍,透过率在350～750 nm达到80;.

人造含硼金刚石单晶表面形貌与生长机制研究

宫建红;李木森;王美;亓永新;阮立群;高军

2010, 39(1): 15-20.

摘要 ( 21 )

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本文借助Olympus光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对高温高压合成的含硼金刚石单晶表面形貌进行了分析.研究发现,含硼金刚石表面存在蚀坑、球形颗粒集团、平行台阶、花瓣状生长丘和三角形螺旋台阶等多种表面形貌.这些形貌与晶体内部的缺陷有关,硼原子的进入使金刚石晶体生长速度增加,位错增多,进而导致不同表面形貌的形成,螺旋位错生长是含硼金刚石的主要生长方式.

低阻值In掺杂CdZnTe晶体的退火改性

俞鹏飞;介万奇

2010, 39(1): 21-24.

摘要 ( 22 )

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以Cd_(1-y)Zn_y合金作退火源,对采用改进的垂直布里奇曼法(MVB)生长的In掺杂的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片进行退火改性.结果表明:与退火前相比,退火后晶片的成分均匀性提高,Cd、Zn和Te三种元素的含量更接近理想的化学计量比,平均红外透过率由12;提高到59;,电阻率从3.5×10~6 Ω·cm提高到5.7×10~9 Ω·cm,且在PL谱中出现了代表晶体质量的(D~0,X)发光峰.在合适的条件下对低阻值In掺杂的CdZnTe晶体进行退火改性可较好的提高晶体的性能.

AgGaGeS_4晶体生长及性能研究

王振友;吴海信;倪友保;毛明生;黄飞;陈林

2010, 39(1): 25-28.

摘要 ( 12 )

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采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5～9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7～7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析.

抛光加工参数对KDP晶体材料去除和表面质量的影响

王碧玲;高航;滕晓辑;康仁科

2010, 39(1): 29-33.

摘要 ( 23 )

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针对软脆易潮解KDP功能晶体材料的加工难点,提出了一种基于潮解原理的无磨料化学机械抛光新方法,研制了一种非水基无磨料抛光液,该抛光液结构为油包水型微乳液.通过控制抛光液中的含水量可以方便地控制KDP晶体静态蚀刻率和抛光过程中材料的去除率.实验中还研究了不同加工参数对晶体材料去除率和已加工表面质量的影响.该抛光液的设计为易潮解晶体的超精密抛光加工提供了一条新的技术途径.

MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响

王振华;杨安丽;刘祥林;魏鸿源;焦春美;朱勤生;杨少延;王占国

2010, 39(1): 34-38.

摘要 ( 6 )

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利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量.研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主峰.这可能是由于温度过低使得甲醇未完全分解,而甲醇分子抑制了氧化锌沿c轴极性过快的生长所致.室温光致发光光谱结果表明在较高生长温度下获得的样品具有良好的光学性质,发光强度随着温度的降低而降低.

碘化钾单晶的非真空密闭坩埚下降法生长

王苏静;陈红兵;方奇术;徐方;梁哲;蒋成勇;杨培志

2010, 39(1): 39-43.

摘要 ( 16 )

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本文报道了KI单晶在非真空密闭条件下的坩埚下降法生长.以经充分干燥的高纯KI多晶为原料,将KI多晶料密封于套层铂坩埚中,添加少量活性碳粉末,可避免碘化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现KI单晶的坩埚下降法生长.在晶体生长过程中,炉体温度调节于750～770 ℃,固液界面温度梯度为30～40 ℃/cm,坩埚下降速率控制为1～2 mm/h,成功生长出尺寸为φ25 mm×50 mm的透明完整KI单晶.采用XRD、DTA-TG、透射光谱、荧光光谱对所获KI单晶进行了测试表征,结果表明该单晶具有良好的光学均匀性,在450～2500 nm波长范围的光学透过率达70;以上,其光学吸收边位于280 nm左右;在266 nm脉冲光激发下,该单晶具有397 nm峰值波长的荧光发射.

球磨法改善电学接触增强碳纳米管场发射性能

陈雷锋;宋航;蒋红;赵海峰;李志明;黎大兵

2010, 39(1): 44-47.

摘要 ( 12 )

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本文采用CNT与纳米银颗粒混合球磨的方法,改善了CNT与衬底电极的电学接触性能.并比较了球磨和电泳两种方法分别获得的CNT的场发射特性,结果表明:采用球磨法所获得的CNT场发射阴极的场发射性能远远优于电泳法.在球磨过程中,由于钢球、纳米银颗粒、CNT和衬底之间互相挤压,使CNT和银颗粒及衬底之间形成紧密牢固的接触,减少了界面的接触电阻,从而大大改善了界面的电学接触性能.而电泳沉积的CNT和衬底之间基本上是简单的物理附着力,接触电阻很大,而且由于这种作用力相对较弱,往往会导致发射体本身不稳定.球磨提供了一种改善电学接触的简单有效方法,并且适合于大规模生产CNT场发射冷阴极.

直流电弧等离子体CVD金刚石膜中氢杂质研究

郭世斌;姜春生;吕反修;唐伟忠;李成明

2010, 39(1): 48-51.

摘要 ( 14 )

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运用傅里叶红外光谱(FT-IR)和核反应分析(NRA)对直流电弧等离子体制备的金刚石膜中的氢杂质进行了研究,并通过添加少量空气到反应气体的实验分析了氢杂质的变化.研究结果发现:红外光谱只能检测金刚石膜中的成键氢,其含量随着氮渗入量的增加而增加,并得出2820 cm~(-1)处的吸收是由氮结合的CH基团振动引起的,2832 cm~(-1)处的吸收可能是由金刚石膜特征结构缺陷结合的CH基团振动引起的,而不是氧相关的基团.核反应分析可以检测金刚石膜中的总氢含量,近表面小于50 nm层氢含量变化快,大于50 nm之后氢含量趋于稳定,此值认为是金刚石膜中的总氢含量.

Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响

王赫;刘芳芳;孙云;何青;张毅;李长健

2010, 39(1): 52-56.

摘要 ( 6 )

PDF (296KB) ( 13 )

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本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se_2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布.随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压V_(oc)明显增大.同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流J_(sc)的损失,从而有效地提高了电池的转换效率.

Yb: Lu_3Al_5O_(12)晶体的生长及缺陷研究

王晓丹;潘涛;臧涛成;马春兰;徐晓东;徐军;曾雄辉

2010, 39(1): 57-61.

摘要 ( 7 )

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采用提拉法生长Yb~(3+)掺杂浓度为10 at;的Yb: Lu_3Al_5O_(12)(Yb: LuAG)晶体.对晶体的结晶质量、晶胞参数、分凝系数等进行了表征.采用化学腐蚀的方法,利用光学显微镜和扫描电镜相结合研究了晶体中的缺陷.结果表明晶体具有较好的结晶质量,Yb~(3+)的掺入不会改变LuAG的晶体结构.观察到Yb: LuAG晶体(111)面上呈三角锥形的位错蚀坑和由小面引起的晶体应力双折射现象,并提出了减少缺陷,提高晶体质量的方法.

退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究

郭颖楠;刘保亭;赵敬伟;王宽冒;王玉强;孙杰;陈剑辉

2010, 39(1): 62-66.

摘要 ( 14 )

PDF (396KB) ( 13 )

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应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/Ti-Al/Si (LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550 ℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响.实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6 min的样品具有较好的物理性能.在418 kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22 μC/cm~2和83 kV/cm.LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7 kV/cm时为欧姆导电,高于46.7 kV/cm时为肖特基导电机制.

KDP晶体超声辅助磨削的亚表面损伤研究

王强国;高航;裴志坚;鲁春朋;王碧玲;滕晓辑

2010, 39(1): 67-71.

摘要 ( 14 )

PDF (365KB) ( 11 )

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通过采用角度抛光和逐层抛光法以及择优化学腐蚀,对基于超声辅助磨削的KDP晶体试件进行亚表面损伤形式观察以及损伤深度检测,以便为后续加工提供指导.损伤检测实验表明:在超声辅助磨削工艺条件下,亚表面损伤以与磨粒运动方向平行的中位裂纹为主,且裂纹间距具有一定的规律性;亚表面损伤深度为19～48 μm,磨头形状(有无倒角)较之磨头磨粒粒度对亚表面损伤深度具有更大的影响,使用有倒角的磨头可得最小亚表面损伤.

氧化铁掺杂对PMnS-PZN-PZT压电陶瓷性能的影响

毛洁冰;周静;郑惠清;孙华君;陈文

2010, 39(1): 72-76.

摘要 ( 12 )

PDF (360KB) ( 17 )

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通过对晶体结构与压电、介电性能测试,探讨了Fe_2O_3掺杂对PMnS-PZN-PZT陶瓷压电性能的影响.结果表明,PMnS-PZN-PZT陶瓷结构位于三方、四方相共存的MPB区间,Fe_2O_3掺杂导致晶体三方、四方相结构含量发生变化.当Fe_2O_3掺杂含量为0.45 wt;时,晶体结构位于准同型相区间偏四方相结构的位置,压电与介电性能达到最佳:tanδ=0.12;,d_(33)=356 pC · N~(-1),k_p=0.60,Q_m=745,在230 ℃以下的温度范围具有很好的频率温度稳定性.

双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜粘结性能研究

朱家俊;周灵平;刘新胜;彭坤;李德意;李绍禄

2010, 39(1): 77-81.

摘要 ( 23 )

PDF (379KB) ( 15 )

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采用单、双靶反应磁控溅射法分别在45钢、GCr15钢、硅(100)和钼衬底上制备了AlN薄膜.X射线衍射和电子显微分析表明,双靶反应磁控溅射沉积的AlN薄膜具有高致密度和低残余应力,同时采用划痕法和压痕法等对AlN薄膜的粘结强度进行测试, 结果表明:双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜的粘结强度明显比单靶沉积的薄膜高,划痕临界载荷提高0.5～2倍.不同衬底上沉积的AlN薄膜粘结强度存在很大的差别,以钼衬底上沉积的薄膜粘结强度最高,划痕法测得的临界载荷高达64 N;GCr15衬底上AlN薄膜摩擦试验表明,AlN薄膜能明显起到减磨作用.

金刚石单晶合成效果与合成后铁基触媒组织的相关性研究

许斌;高才;马中全;田彬;钮震

2010, 39(1): 82-87.

摘要 ( 19 )

PDF (623KB) ( 21 )

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采用粉末冶金法制备铁基触媒片,在六面顶压机上高温高压合成金刚石单晶.利用扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜(OM)等表征了不同成分的触媒以及同一触媒在不同合成时间条件下金刚石单晶的合成质量和合成后的铁基触媒组织.结果表明:当金刚石单晶合成质量较好时,合成后铁基触媒组织特征表现为初生板条状渗碳体分布较均匀,呈平行生长的条束,渗碳体的板条两边缘较平直,而且数量较多.触媒成分和合成时间是影响铁基触媒组织中初生渗碳体的数量和形态的主要因素.

KDP晶体生长的溶液流动和物质输运计算

王晓丁;李明伟;曹亚超;刘玉姗

2010, 39(1): 88-94.

摘要 ( 20 )

PDF (450KB) ( 13 )

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本文采用有限容积法,对KDP晶体生长过程中溶液的流动和物质输运进行了数值模拟.结果表明:随着入口溶液流动速度的增大,籽晶的上表面因自然对流而引起的抽吸作用减小,表面过饱和度的最小值沿x正向发生右移,其上表面的剪切力先减小后增大.随着入口溶液过饱和度的增大,籽晶上表面剪切力增大.不同尺寸的籽晶表面过饱和度的分布差异较大.籽晶的生长边界层厚度与溶液流动密切相关,入口溶液流动速度越大,厚度越小,但其受入口溶液过饱和度的影响较小.

水热法制备BiFeO_3粉体的相变研究

李波;孙华君;陈文;张成勇;沈杰;周静

2010, 39(1): 95-98.

摘要 ( 13 )

PDF (245KB) ( 13 )

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本文以Fe(NO_3)_3·9H_2O 和Bi(NO_3)_3·5H_2O为反应原料,以KOH为矿化剂, 利用水热方法在矿化剂浓度4.5 mol/L至12.0 mol/L区域内制备出钙钛矿结构的BiFeO_3粉体材料.经过XRD慢扫(扫描速率为0.008°/s)及peakfit软件模拟分析得知,在KOH浓度由4.5～12.0 mol/L转变的过程中,产物的物相由三方相BiFeO_3向六方相BiFeO_3的转变.同时BiFeO_3铁电性能研究也证实了以上相变的存在.

基于Tr(o)ger's Base 的强荧光化合物纳米晶的尺寸效应

郑晶静;王蕾;辛倩;陶绪堂

2010, 39(1): 99-105.

摘要 ( 16 )

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利用再沉淀法制备了极性不同的两种基于Tr(o)ger's碱的化合物:4,13-二(4-联苯)-6,6,11,11-四丁基-9H,18H-8,17-甲基二芴(2,3-b:2',3'-f)(1,5)二氮芳辛(TBFB-BP)和4,13-二(4-N,N-二苯基苯胺)-6,6,11,11-四丁基-9H,18H-8,17-甲基二芴(2,3-b:2',3'-f)(1,5)二氮芳(TBFB-TPA) 的有机纳米晶.由于Λ-扭折构型的空间位阻作用,这两种化合物在溶液、纳米粒子悬浊液和固态粉末下均显示出强蓝色荧光. 随着化合物纳米粒径的增加,TBFB-BP纳米粒子悬浊液的吸收光谱红移,发射光谱增强,这可能是由于随着纳米粒径的增加,纳米粒子的晶格刚性增强,使其振动驰豫降低.但是对于极性更强的TBFB-TPA来说,由于溶剂效应,其发射光谱随着粒径的增大逐渐蓝移.此外还讨论了分子极性对尺寸效应的影响.

CdZnTe晶体光致发光谱"负热淬灭"现象研究

王涛;俞鹏飞;徐亚东;查钢强;傅莉;介万奇

2010, 39(1): 106-109.

摘要 ( 20 )

PDF (227KB) ( 21 )

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采用改进的垂直布里奇曼法生长了直径为60 mm的CdZnTe晶体,测试了其在10 K～150 K范围的PL谱.对760 nm和825 nm处的峰积分强度随温度变化关系进行研究发现,在30～50 K范围内,PL谱峰的强度呈现反常温度依赖现象,即随着温度的升高而减小,也就是所谓的"负热淬灭"现象,这在CdZnTe晶体中属首次观察到.进一步分析表明,随着温度的增加,其PL谱强度变化的过程包含了三个无辐射过程和一个负热淬灭过程.与没有发生"负热淬灭"现象的CdZnTe晶体对比,两者XRD图谱呈现明显差异.讨论了发生负热淬灭现象的原因以及可能路径.

表面活性剂辅助水热法制备碳酸铝铵纤维及其生长机理初探

朱振峰;孙洪军;刘辉;杨冬

2010, 39(1): 110-114.

摘要 ( 24 )

PDF (417KB) ( 17 )

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以硝酸铝为铝源,聚乙二醇(PEG)为表面活性剂,采用水热法制备了碳酸铝铵(AACH)纤维.利用 XRD、SEM、TEM、TGA以及 FT-IR对产物的相态、结构、形貌进行了分析,对其生长机理进行了初步研究.实验结果表明:具有单晶属性的AACH纤维直径约为500 nm,长径比为15～20,热分解过程中经历Al_2O_3(无定形)→γ-Al_2O_3→α-Al_2O_3+θ-Al_2O_3 →α-Al_2O_3的相变过程,并释放出约56.32 wt;的气体,是一种很好的阻燃剂材料.AACH纤维的生长首先是AACH纳米晶通过氢键作用沿着聚乙二醇主链定向生长形成纳米纤维,进而纳米纤维通过层层自组装以及Ostwald熟化机理形成微米级AACH纤维.

碳掺杂(9,0)型闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

刘光清;王六定;王益军;杨敏

2010, 39(1): 115-119.

摘要 ( 16 )

PDF (342KB) ( 14 )

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本文运用第一性原理研究了(9,0)型闭口硼氮纳米管及其两种C掺杂体系的场发射性能.对三种纳米管体系的态密度、局域态密度、赝能隙、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙和Mulliken电荷的分析结果表明,C替代顶层六元环中硼与氮原子的场发射性能分别最优和最差.由此可见,C掺杂改善硼氮纳米管场发射性能的关键在于被置换原子的种类.

熔盐法制备铌酸钾钠粉体的研究

李月明;王进松;廖润华;张斌

2010, 39(1): 120-124.

摘要 ( 14 )

PDF (389KB) ( 18 )

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以分析纯Na_2CO_3,K_2CO_3和Nb_2O_5为原料,以Na_2CO_3-K_2CO_3(摩尔比1: 1)为熔盐,采用熔盐法在700～850 ℃保温4 h合成了Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3粉体.研究了合成温度、熔盐含量对粉体形貌的影响.XRD分析结果表明:通过熔盐法可以在700 ℃下合成纯钙钛矿结构的Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3粉体;SEM分析显示:随着合成温度的升高,粉体形貌从圆球状转变为立方状,进一步提高合成温度,粉体形貌开始变得不规则;此外,合成粉体的尺寸随着熔盐含量的增加而增大,且粉体团聚现象明显减弱.以熔盐法合成的Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3粉体为原料,采用传统固相烧结法制备Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3陶瓷,经1060 ℃烧结后,Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3陶瓷具有优异的压电性能和介电性能,其中压电常数d_(33) =124 pC/N,介电常数ε_(33)~T/ε_0 = 345,居里温度T_c 达 402 ℃.

CLBO晶体和频产生深紫外激光的理论计算与实验结果

林彦;霍玉晶;何淑芳

2010, 39(1): 125-129.

摘要 ( 16 )

PDF (311KB) ( 21 )

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本文介绍了深紫外非线性光学晶体CLBO的光学特性,推导出了CLBO晶体和频时的相位匹配角、有效非线性系数、走离角、允许角宽度和允许温度范围的公式,并进行了详细计算.根据计算结果可知,CLBO晶体和频可以实现深紫外激光的有效输出,并且具有大的有效非线性系数、小的走离角、大的允许角宽度和允许温度范围.由此设计了1064 nm近红外激光和238.7 nm 紫外激光通过CLBO晶体和频产生195 nm深紫外激光的系统方案,并在实验中实现了平均功率217 μW、重复频率10 Hz的195 nm 激光的稳定运转.

氩气对直流弧光放电PCVD金刚石薄膜晶体特征的影响

张湘辉;汪灵;龙剑平;常嗣和

2010, 39(1): 130-134.

摘要 ( 26 )

PDF (402KB) ( 17 )

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本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究.采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察.结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响.在CH_4/H_2恒定时(0.8;),硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形貌随Ar流量增加而变化的规律,即从以(111)八面体晶面为主→(111)和(100)立方八面体混杂晶面→以(100)立方体晶面为主→菜花状的顺序转变;当Ar流量为420～700 mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由1.5 μm 逐步增大到7 μm;Ar流量为700～910 mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由7 μm急剧减小到纳米尺度,约50 nm.

沉积温度对磁控溅射生长SrRuO_3薄膜结构和性能的影响

王宽冒;张沧生;李曼;周阳;王玉强;王侠;彭英才;刘保亭

2010, 39(1): 135-138.

摘要 ( 13 )

PDF (349KB) ( 14 )

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采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550～650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm.

沉积压强对Sc掺杂ZnO薄膜性能的影响

缪存星;赵占霞;栗敏;徐飞;马忠权

2010, 39(1): 139-143.

摘要 ( 16 )

PDF (289KB) ( 13 )

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利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2;)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85;,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.

音叉型声子晶体能带结构研究

雷实建;吴利华;颜琳;赵鹤平

2010, 39(1): 144-148.

摘要 ( 17 )

PDF (320KB) ( 14 )

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利用超元胞法研究音叉型散射体构成的声子晶体的声波带结构,分析音叉型散射体的几何参数(板的厚度,圆柱体的半径和高)对能带结构的影响.研究结果表明:这种新型的声子晶体比传统声子晶体具有更优的带隙,而且带隙的调节机制更为简单,结果还表明超元胞法是研究这一类声子晶体能带结构的一种有效方法.

Er~(3+)/Yb~(3+): KY(WO_4)_2晶体光谱的各向异性分析

林剑峰;冯卓宏;林林;施科桦;庄国华;郑志强

2010, 39(1): 149-153.

摘要 ( 11 )

PDF (262KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

在室温下测量和分析Er~(3+)/Yb~(3+): KY(WO_4)_2晶体三个折射率主轴方向上的吸收光谱和荧光光谱,其吸收光谱和荧光光谱谱带强度明显呈现各向异性;用修正的Judd-Ofelt理论计算Er~(3+)/Yb~(3+): KY(WO_4)_2晶体中Er~(3+)在三个折射率主轴方向上的强度参量Ω_t (t=2,4,6)和各吸收谱带的电偶极跃迁振子强度,同时计算了Yb~(3+)在三个轴向上980 nm波长处的积分吸收截面.结果表明:Er~(3+)/Yb~(3+): KY(WO_4)_2晶体吸收光谱和荧光光谱存在各向异性,N_p轴为Er~(3+)/Yb~(3+): KY(WO_4)_2激光晶体的最佳泵浦轴向.

共沉淀法制备BiFeO_3粉体

谈国强;博海洋;苗鸿雁;夏傲;贺中亮

2010, 39(1): 154-157.

摘要 ( 10 )

PDF (281KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

以Bi(NO_3)_3·5H_2O和Fe(NO_3)_3·9H_2O为原料,冰醋酸做溶剂,柠檬酸为络合剂,采用共沉淀法制备前驱物,对前驱物沉淀进行退火处理,制备出BiFeO_3纳米粉体.研究了煅烧温度和冰醋酸的加入量对BiFeO_3纳米粉体的晶粒尺寸及形貌的影响.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对所制备的BiFeO_3纳米粉体进行表征,用EDS确定了样品的表面成分组成.结果表明:退火温度为450 ℃时出现BiFeO_3衍射峰,但存在杂相;退火温度为600 ℃时制备出了BiFeO_3纯相粉体,粉体为立方体结构.冰醋酸加入量由1 mL增大到1.8 mL时,粉体的晶粒尺寸由14.21 nm减小到11.65 nm.通过EDS能谱分析得出BiFeO_3粉体由Bi,Fe和O 三种元素组成.

多孔纳米氧化钛的制备及其光催化降解罗丹明B

石建稳;陈少华;王淑梅

2010, 39(1): 158-162.

摘要 ( 7 )

PDF (302KB) ( 13 )

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以聚乙二醇(PEG)为造孔剂,采用溶胶-凝胶法制备了多孔纳米TiO_2粉末,并对样品进行了氮吸附测试和X射线衍射分析.结果表明:煅烧过程中,聚乙二醇的受热分解在TiO_2颗粒中形成了4～6 nm的中孔结构;600 ℃煅烧的TiO_2样品均呈单一的锐钛矿相结构,且适量聚乙二醇的加入可抑制TiO_2粒径的长大.光催化降解罗丹明B表明:催化剂具有很强的氧化能力,适量聚乙二醇的加入可提高TiO_2的光催化性能,在本实验进行的条件下,PEG最佳加入量为0.50 g.

Yb: YAG微晶玻璃的制备与性能研究

李茜琪;陈新政;范仕刚

2010, 39(1): 163-168.

摘要 ( 9 )

PDF (423KB) ( 16 )

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本文采用高温熔融工艺,制备Yb~(3+)掺杂的32CaO-(13-x)Y_2O_3-24Al_2O_3-31SiO_2-xYb_2O_3 (x＝0.5～2)系统玻璃,并在高温下进行去应力退火.用DTA确定样品的热处理温度,XRD分析热处理后样品的相变.用TEM观察1000 ℃热处理后的样品,在室温下测试1000 ℃热处理后玻璃的吸收光谱.结果表明:玻璃在1000 ℃热处理24 h后,产生单一的YAG相微晶颗粒;热处理前后样品光谱特性的变化表明热处理后掺杂的Yb~(3+)择优进入YAG晶格中,得到了透明的Yb: YAG微晶玻璃.

膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响

袁玉珍;王辉;张化福;刘汉法;刘云燕

2010, 39(1): 169-173.

摘要 ( 14 )

PDF (371KB) ( 10 )

相关文章 | 计量指标

采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜.用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌.研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.当薄膜厚度为843 nm时,电阻率具有最小值1.18×10~(-3) Ω·cm,在可见光区(500～800 nm)平均透过率超过93;.

弱外磁场辅助氧化共沉淀法合成正八面体Fe_3O_4纳米颗粒

林建;胡大为;胡小芳

2010, 39(1): 174-179.

摘要 ( 23 )

PDF (415KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

本文在弱外磁场辅助条件下,采用氧化共沉淀方法调控合成了正八面体Fe_3O_4纳米颗粒.采用XRD、SEM、振动磁强计(VSM)来表征产物的晶型、形貌和磁性能.XRD结果表明,产物具有尖晶石结构,且结晶良好、纯度高;SEM观察结果表明Fe_3O_4纳米颗粒均为二次粒子,由更小的粒子成长而来;VSM测定结果说明各种形貌的Fe_3O_4纳米粒子具备良好的磁性能.同时,分析了粒子不同形貌的成核机理.结果表明采用弱外磁场辅助的办法可以获得具有良好晶型、正八面体形貌形貌和良好磁性能的Fe_3O_4纳米颗粒.

Pr和Nb共掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷材料电行为特性研究

崔彩娥;陆志娟;黄平

2010, 39(1): 180-184.

摘要 ( 16 )

PDF (370KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

采用高温固相法制备了Pr和Nb共掺杂Bi_4Ti_3O_(12)铁电陶瓷.利用XRD分析表征了样品物相结构,利用阻抗分析仪和铁电性能测量仪测试了样品的电性能,并通过对样品电导率与温度的关系进行Arrhenius拟合分析了材料的导电机理.结果表明:Pr和Nb已经完全固溶进入Bi_4Ti_3O_(12)晶格中,制备的样品均为单一的层状钙钛矿结构.Nb的引入使样品的介电常数变大,介电损耗明显降低,但居里温度变化不大.在Nb掺杂量较小(x≤0.09)时,材料的剩余极化值随着Nb掺杂量增加而增大,当x=0.09时2P_r达到极大值为26 μC/cm~2,矫顽场为50.3 kV/cm.这主要是由于高价态的Nb~(5+)取代B位Ti~4+能有效的抑制氧空位的产生.

溅射压强对低阻高透过率掺钛氧化锌透明导电薄膜的影响

刘汉法;袁玉珍;张化福;袁长坤

2010, 39(1): 185-189.

摘要 ( 17 )

PDF (379KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的掺钛氧化锌透明导电薄膜(ZnO: Ti).研究了溅射压强对ZnO: Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射压强对ZnO: Ti 薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO: Ti 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.在溅射压强为5.0 Pa时,实验获得的ZnO: Ti薄膜电阻率最小值为1.084 ×10~(-4) Ω· cm.实验制备的ZnO: Ti 薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过91;.ZnO: Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.

纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究

杨世才;阿布都艾则孜·阿布来提;简基康;郑毓峰;孙言飞;吴荣

2010, 39(1): 190-196.

摘要 ( 25 )

PDF (447KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2 nm.

掺镱钆镓石榴石激光透明陶瓷纳米粉体的研究

黄德馨;张学建;曾繁明;林海;张丹;刘景和

2010, 39(1): 197-200.

摘要 ( 5 )

PDF (335KB) ( 15 )

相关文章 | 计量指标

以Gd_2O_3、Yb_2O_3和Ga_2O_3为初始原料,碳酸氢铵为沉淀剂,硫酸铵为分散剂,采用均相共沉淀方法制备了Yb~(3+): Gd_3Ga_5O_(12) (Yb: GGG).用差热-热重分析仪、X 射线衍射仪、红外光谱分析仪、扫描电镜、透射电镜等测试方法对Yb: GGG粉体进行了表征.结果表明:前驱体经过900 ℃煅烧8 h 后已完全转变成纯立方相GGG多晶样品,所得的粉体分散性好,团聚轻,颗粒尺寸在50～100 nm之间.本文亦对均相共沉淀法合成Yb: GGG的反应过程进行了探讨.

不同pH值下磷酸二氢铵(ADP)溶液成核过程研究

程旻 ;李明伟;郭晋丽;曹亚超

2010, 39(1): 201-207.

摘要 ( 29 )

PDF (385KB) ( 12 )

相关文章 | 计量指标

利用全程摄像的方法测定了不同情况下ADP过饱和溶液的诱导期,研究了不同pH值、不同温度的ADP过饱和溶液的成核过程,讨论了pH值、温度和过饱和度S等因素对诱导期的影响.结果表明:改变pH值后,在同一过饱和度下,溶液的稳定性在不同温度间差异较小,更利于晶体在较高的温度下稳定快速的生长;改变pH值后,溶液在整个过饱和度范围内更趋向于均匀成核.根据经典均匀成核理论,针对ADP溶液均匀成核的状况计算出了不同pH值和温度下的固-液界面张力、临界成核功等成核参数,并从上述参数的相互比较中得到了改变pH值后溶液稳定性变强的微观原因.最后通过对表面熵因子的计算,确定了ADP晶体的微观生长机制为连续生长模式.

基于数值模拟的CZSi单晶收尾控制参数研究

赵跃;刘丁;陈德伟;王蕾

2010, 39(1): 208-213.

摘要 ( 15 )

PDF (377KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

采用理论分析和有限元数值模拟相结合的方法研究了晶体收尾过程中的温度分布与热量传递.解释了"倒草帽"形收尾(收尾前段晶体直径猛然收缩)的成因,指出了改进收尾形状的方法,研究结果对于合理设定直拉硅单晶收尾工艺参数具有一定的参考意义.通过对比试验,仿真计算结果与单晶炉实验测试结果相吻合.

以环糊精为模板水热合成羟基磷灰石

朱丹琛;肖秀峰;刘榕芳;傅涵萍;徐佳;王梅芳

2010, 39(1): 214-220.

摘要 ( 31 )

PDF (512KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

以Ca(NO_3)_2和Na_3PO_4为反应物,以β-环糊精(β-CD)为模板剂,采用水热法合成分散性较好的棒状羟基磷灰石(HA),讨论了β-CD浓度、溶液pH值、煅烧温度对HA形貌的影响.用X射线粉末衍射分析(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)、透射电子显微镜(TEM)和电导率测定等分析方法对所制得的样品进行了表征.结果表明,β-CD质量分数在0.4 ;～2.0 ;的范围内,随着β-CD浓度的增大,HA的晶体变长且分散性有所改善.随着pH值的升高,长径比明显减小.以β-CD为模板制备的HA的煅烧团聚作用明显小于无β-CD模板制备的HA.本文还分析了β-CD作用的可能机理.

CdZnTe晶片的Raman光谱研究

曾冬梅;王涛;周海;杨英歌

2010, 39(1): 221-225.

摘要 ( 13 )

PDF (385KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

利用Raman光谱技术研究了CdZnTe晶片表面处理方法、激光功率及波长变化对CdZnTe晶片的Raman谱线影响.研究表明:CdZnTe晶片分别经过机械抛光、Br-MeOH溶液处理以及Br-MeOH溶液+ KOH/甲醇溶液处理后,由于表面晶格完整性的改变, Raman光谱出现了明显变化.采用514.5 nm、632.8 nm及785 nm激光激发CdZnTe晶片时,晶片的Raman波谱也有所不同,其中用785 nm激光激发样品,荧光发光峰位于100～200 cm~(-1)范围,掩盖了晶片Raman特征峰.在对CdZnTe晶片做Raman测试时,尽可能选择较低功率.

氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析

李志明;郝跃;张进成;许晟瑞;毕志伟;周小伟

2010, 39(1): 226-231.

摘要 ( 9 )

PDF (370KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关.通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强、较低的壁面温度和较大的气体入口半径条件下,能使涡旋明显减小,提高薄膜生长的均匀性.

磁控溅射法制备AlN: Er薄膜的XPS和PL研究

许鸿彬;刘文;张勇;吕文中

2010, 39(1): 232-236.

摘要 ( 21 )

PDF (272KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

采用磁控溅射法,以Al/Er合金为靶材,在Si衬底上制备出AlN: Er薄膜.XRD分析结果表明样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量为1 at;左右,氧很难避免,含量约为10;.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征,其中,尖荧光峰谱源于Er~(3+)的4f轨道直接激发跃迁,而宽谱则与Er~(3+)的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.

n型Ge基Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30) I-型笼合物的制备及电传输特性

邓书康;申兰先;郝瑞亭;田晶;杨培志

2010, 39(1): 237-241.

摘要 ( 14 )

PDF (318KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30) I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响.研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物.Zn掺杂前对应化合物表现为金属传导特性,Zn掺杂后对应化合物表现为典型的杂质半导体传导特性.室温下,随Zn掺杂量的增加,化合物的载流子浓度和载流子有效质量逐渐降低;Zn掺杂对室温载流子迁移率无明显影响.在300～900 K温度范围内,随Zn掺杂量的增加对应化合物的电导率逐渐降低,Seebeck系数逐渐增加.Zn掺杂后对应化合物的功率因子与掺杂前相比有所降低,且达到最大值的温度都向低温方向偏移.

工艺参数对TiO_2改性α-Al_2O_3微滤膜油水分离效率的影响

周健儿;胡学兵;汪永清;张小珍;潘锦添

2010, 39(1): 242-245.

摘要 ( 9 )

PDF (253KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

以硫酸钛和尿素为原料,采用均相沉淀法对α-Al_2O_3微滤膜进行二氧化钛改性,并考察了反应物浓度和涂覆次数对改性微滤膜油水分离效率的影响规律.研究结果表明:通过二氧化钛改性,微滤膜的渗透通量得到了有效地提高.特别是当硫酸钛物质的量浓度为0.2 mol·L~(-1),涂覆次数一次时,TiO_2改性微滤膜比未改性膜的渗透通量提高约25.23;,并且渗透液达到排放标准所需要的时间较未改性膜缩短了45 min.

BiMnO_3改性BNT-BKT压电陶瓷的研究

成钧;周昌荣;刘心宇;杨华斌;陈国华

2010, 39(1): 246-250.

摘要 ( 6 )

PDF (333KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

为了提高BNT基压电陶瓷的电性能,采用传统的陶瓷制备方法,制备了一种Bi基的钙钛矿型无铅压电陶瓷 (1-x)Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)TiO_3-xBiMnO_3 (简写为BNKT-BMx).研究了Bi基铁电体BiMnO_3对该体系陶瓷微观结构和压电介电性能的影响.结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体,微量BiMnO_3不改变该体系陶瓷的晶体结构,但促进晶粒生长.随着BiMnO_3含量增加,低温介电反常峰消失,高温介电峰出现频率分散性.随BiMnO_3含量增加,压电常数d_(33)和机电耦合系数k_p先增加后降低,在x=0.01时,k_p=0.333,x=0.015时,d_(33)=170 pC/N,为该体系陶瓷压电性能的最优值.

EACVD摆动衬底空间流场有限元模拟研究

王鸿翔;左敦稳;卢文壮;徐峰;陈拥军

2010, 39(1): 251-256.

摘要 ( 12 )

PDF (393KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

根据EACVD系统的实际几何特点和工艺参数建立了该系统的三维流场有限元模型,研究了衬底温度及摆动周期、热丝参数、进气口参数对衬底表面流场均匀性的影响.结果表明:衬底低速摆动情况下摆动周期的变化对衬底表面流场的分布没有影响,衬底温度,热丝参数,进气口参数对衬底表面流场都有一定的影响,其中,热丝的排列方式以及进气口气体流量对衬底表面流场的影响最大.最后,采用一组优化的沉积参数进行金刚石膜衬底表面流场的仿真计算,结果表明:采用优化的沉积参数可以使衬底表面气体流速和流场的均匀性都得到很大提高,此研究结果为制备高质量金刚石膜提供理论依据.

Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究

胡志刚;周勋;徐明;刘方舒;段满益;吴定才;董成军;陈尚荣;吴艳南;纪红萱;令狐荣锋

2010, 39(1): 257-261.

摘要 ( 6 )

PDF (345KB) ( 14 )

相关文章 | 计量指标

采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe, Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜.产物的显微照片及XRD图谱结果表明, 该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13 nm 左右,振动样品磁强计(VSM)测试结果显示掺杂ZnO薄膜均存在室温铁磁性.光致发光(PL)测量表明所有样品薄膜的PL谱主要由较强的紫外发光峰(394 nm)、蓝光峰(420 nm)、绿光峰(480 nm)组成.Fe、Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置,但掺杂后该紫外发光峰减弱,420 nm处的蓝光峰增强.

La_(1-x)Sr_xMnO_3电极的制备及其对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜介电性能的影响

辛立强;付兴华;于玲君;崔永涛

2010, 39(1): 262-266.

摘要 ( 6 )

PDF (283KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

采用溶胶-凝胶法在Si(100)基底上制备了La_(1-x)Sr_xMnO_3电极材料.采用XRD、SEM对材料的晶体结构、表面形貌、薄膜厚度进行了表征,研究了退火温度对薄膜结构及电阻率的影响,以及介电常数与介电损耗随频率变化的关系.结果表明:在x=0.5,退火温度为800 ℃时,La_(0.5)Sr_(0.5)MnO_3薄膜的电阻率为1.2×10~(-2) Ω·cm.La_(0.5)Sr_(0.5)MnO_3薄膜与Ba_(1-x)Sr_xTiO_3匹配性较好,实现了BST薄膜的外延生长,其介电性能比在Pt上制备的Ba_(1-x)Sr_xTiO_3得到了明显的改善.

切向喷射式MOCVD反应器的设计与数值模拟

王国斌;左然;徐谦;李晖;于海群;陈景升

2010, 39(1): 267-271.

摘要 ( 14 )

PDF (333KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

本文提出一种新的切向喷射式MOCVD反应器,反应气体从均匀分布于内壁的切向进口喷管喷入反应器,尾气从位于反应器中心的上方或下方出口排出.通过切向喷射,使气体发生人工可控的螺旋流,在水平方向逐渐旋转与加速,从而补偿反应物浓度从边缘进口到中心出口的沿程损失,以便获得均匀的薄膜沉积.针对新的反应器设计,结合GaN的MOCVD生长进行了三维数值模拟,确定了喷管夹角、喷管数目和反应器高度对生长区的温场、流场和浓度场的影响,优化了参数组合,并与传统的垂直喷射式反应器作了对比.此外,这款新型反应器能够摆脱复杂的托盘旋转系统.

铜负载湿式氧化催化剂焙烧条件的研究

张永利;胡筱敏;李红

2010, 39(1): 272-276.

摘要 ( 8 )

PDF (397KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

Cu-O/FSC是一种优化制备的负载型催化剂,实验中以其催化湿式氧化处理模拟印染废水,考察焙烧条件对催化剂的影响.以水样COD去除率和脱色率评价催化剂的活性、以处理出水Cu溶出浓度评价催化剂的稳定性,通过AA、XRD、SEM等研究了焙烧温度和时间对催化剂性能、物相及形貌等的影响.结果表明:随着焙烧温度的提高和焙烧时间的延长,催化剂活性降低、稳定性提高;催化剂的比表面和孔容随着焙烧温度的提高而减少;适宜的催化剂焙烧温度和时间分别为650 ℃和5 h.

一维链状配合物{[Fe(SO_4)(DPPZ)_2]·H_2O}_n的水热合成及其晶体结构

刘春波;查小林;李秀颖;车广波;李春香;高林;李爱华

2010, 39(1): 277-280.

摘要 ( 10 )

PDF (230KB) ( 13 )

相关文章 | 计量指标

以FeSO_4和二吡啶[3,2-a: 2',3'-c]并吩嗪(DPPZ)为原料,采用水热法合成了一维链状配位聚合物{[Fe(SO_4)(DPPZ)_2]·H_2O}_n,利用元素分析、红外光谱、X射线单晶衍射和热重分析对其结构进行了表征.该配合物属于单斜晶系,P2_1/m空间群,a=1.3569(3) nm,b=0.6519(13) nm, c=1.7250(3) nm, α=90°,β=111.29(3)°,γ=90°,V=1.4217(5) nm~3,Z=2,d_c=1.713 g/cm~3,μ=0.671 mm~(-1),F(000)=750, R_1=0.0491, wR_2=0.1250.

三元配合物M(trp)_2(8-hq) [M=Sb(Ⅲ),Bi(Ⅲ)]的合成、表征及电化学性质

钟国清;陈明剑;蒋琪英;张志朋

2010, 39(1): 281-286.

摘要 ( 7 )

PDF (342KB) ( 13 )

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在甲醇中用三氯化铋或三氯化锑分别与L-色氨酸(Htrp)和8-羟基喹啉(8-Hhq)合成了三元配合物M(trp)_2(8-hq) [M=Sb(Ⅲ),Bi(Ⅲ)].用元素分析、X射线粉末衍射和红外光谱对三元配合物进行了表征,研究了其热性质和电化学性质.对XRD数据进行了指标化,结果表明:2种三元配合物均属于单斜晶系, Sb(trp)_2(8-hq)的晶胞参数为:a=1.9322 nm,b=2.3938 nm,c=1.8736 nm,β=99.981°;Bi(trp)_2(8-hq)的晶胞参数:a=1.8938 nm,b=1.6168 nm,c=1.0482 nm,β=95.020°.

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