非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 318-323.

非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究

孙杰;刘保亭;陈江恩;娄建忠;周阳

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876055);河北省自然科学基金(E2008000620;E2009000207);教育部科学技术研究重点项目(207013);河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(08965124D);河北省教育厅科学研究计划(2007416);河北省科学技术厅科学技术研究与发展指导计划(07215154);河北大学博士基金(y2006091)

Impacts of Amorphous Ni-Al Barrier Layer on the Structure and Physical Properties of Si-based Ba0.6Sr0.4TiO3 Film Annealed by Rapid Thermal Annealing

SUN Jie;LIU Bao-ting;CHEN Jiang-en;LOU Jian-zhong;ZHOU Yang

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用非晶Ni-Al薄膜作为扩散阻挡层,采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了Pt/Ni-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ni-Al/Pt电容器结构,研究了在650～800 ℃温度范围内快速退火(RTA)工艺对电容器结构和物理性能的影响.结果表明:在外加电场为-100 kV/cm时,700 ℃和750 ℃退火样品的介电常数达到最大,分别为150和170.非晶Ni-Al薄膜的应用可以有效地降低BST薄膜的漏电流密度.650 ℃退火样品在整个测试电场范围内满足欧姆导电机制;700 ℃、750 ℃和800 ℃退火样品分别在电压低于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足欧姆导电机制,在电压高于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足普尔-弗兰克导电机制.

中图分类号:

O484

孙杰;刘保亭;陈江恩;娄建忠;周阳. 非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 318-323.

SUN Jie;LIU Bao-ting;CHEN Jiang-en;LOU Jian-zhong;ZHOU Yang. Impacts of Amorphous Ni-Al Barrier Layer on the Structure and Physical Properties of Si-based Ba0.6Sr0.4TiO3 Film Annealed by Rapid Thermal Annealing[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(2): 318-323.

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