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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 379-383.

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零声表面波频率温度系数方向的硅酸镓镧晶体生长

张健;王继扬;于永贵;张怀金;王春雷;丛恒将   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东大学网络与信息中心,济南250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学物理与微电子学院,济南,250100
  • 出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金委重大基金(50590401);电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题

Growth of La3Ga5SiO4 Crystal on Zero TCF SAW Applications

ZHANG Jian;WANG Ji-yang;YU Yong-gui;ZHANG Huai-jin;WANG Chun-lei;CONG Heng-jiang   

  • Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用提拉法生长了高质量、大尺寸、结构完整的声表面波零温度系数切向LGS晶体.XRD图谱显示,生长的晶体为单一相LGS晶体,晶格常数为a=0.816274 nm,c=0.509253 nm,密度为5.7463 g/cm3.压电常数、介电常数、热膨胀性能等与传统方向生长的晶体一致.用此方向生长的LGS晶体制作声表面波频率温度性能优化的切片,只需要垂直生长方向进行切割,可以大大简化晶体的加工工艺、提高LGS晶体的利用率,节省材料成本.

关键词: 硅酸镓镧;晶体生长;声表面波;频率温度系数;晶体切割利用率

中图分类号: