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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (3): 559-563.

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4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究

彭燕;宁丽娜;高玉强;徐化勇;宋生;蒋锴;胡小波;徐现刚   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;嘉兴学院,嘉兴,314000
  • 出版日期:2010-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50721002;50472068);教育部科技创新工程培育资金项目(707039)

Study on Surface Morphology and Polytype Transition of 4H-SiC Single Crystals

PENG Yan;NING Li-na;GAO Yu-qiang;XU Hua-yong;SONG Sheng;JIANG Kai;HU Xiao-bo;XU Xian-gang   

  • Online:2010-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布.显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<11(2-)0>方向容易出现裂缝.裂缝两侧有不同的生长形貌.拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志.纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<11(2-)0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<11(2-)0>方向,轴向生长方向平行于<000(1-)>方向.

关键词: 4H-SiC;裂缝缺陷;晶型转变

中图分类号: