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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 852-856.

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ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究

张学宇;吴爱民;冯煜东;胡娟;岳红云;闻立时   

  1. 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,大连,116024;大连理工大学材料科学与工程学院,大连,116024;兰州空间技术物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000;大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,大连,116024;中国科学院沈阳金属研究所,沈阳,110016
  • 出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    教育部留学回国人员科研启动基金(200611AA03);辽宁省原材料特种制备技术重点实验室基金(2005100A05);辽宁省教育厅高等学校科技研究项目资助;中央高校基本科研业务费专项资金资助(DUT10JN08)

Preparation of n-type Microcrystal Si: H Films by ECR-PECVD

ZHANG Xue-yu;WU Ai-min;FENG Yu-dong;HU Juan;YUE Hong-yun;WEN Li-shi   

  • Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.

关键词: ECR-PECVD;磷掺杂;微晶硅薄膜;霍尔测量

中图分类号: