人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (6): 1465-1469.
郝培风;高斐;苗锟;刘立慧;孙杰;权乃承;刘晓静;张君善
HAO Pei-feng;GAO Fei;Miao Kun;LIU Li-hui;SUN Jie;QUAN Nai-cheng;LIU Xiao-jing;ZHANG Jun-shan
摘要: 采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580 ℃的条件下退火1 h.在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si: (Al2O3+SiO2)复合膜.利用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)及扫描电镜(SEM)等方法研究了薄膜的结构特性.测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅(nc-Si)的平均尺寸约为25 nm.实验发现该nc-Si: (Al2O3+SiO2)复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度(293 ~413 K)的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624 μV/K和-225 μV/K.
中图分类号: