BaMgF4晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (6): 1470-1474.

BaMgF4晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究

康玲玲;刘廷禹;张启仁;徐灵芝

上海理工大学理学院,上海,200090

出版日期:2010-12-15 发布日期:2021-01-20

First Principle Study on the Electronic Structures and Absorption Spectra of the BaMgF4 Crystal

KANG Ling-ling;LIU Ting-yu;ZHANG Qi-ren;XU Ling-zhi

Online:2010-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 运用CASTEP软件计算了完整的BaMgF4晶体的电子结构、介电函数和吸收光谱.采用剪刀算子进行修正,根据实验结果和计算结果比对,确定剪刀算子值为4.77 eV.计算结果显示完整的BaMgF4晶体在14.203～14.475 eV和21.480～21.767 eV两个区间有很明显的吸收峰,吸收边为10.337 eV,对应BaMgF4晶体的本征吸收边125 nm,计算结果与实验结果基本一致.

中图分类号:

O734

康玲玲;刘廷禹;张启仁;徐灵芝. BaMgF4晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(6): 1470-1474.

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