化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (1): 48-52.

化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究

李昭宁;王六定;王小冬;席彩萍;沈中元;赵景辉;吴宏景

西北工业大学理学院,西安,710129

出版日期:2011-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50771082;60776822)

First-Principles Study on Chemical-doped Graphene Nanoribbons with Armchair Edges

LI Zhao-ning;WANG Liu-ding;WANG Xiao-dong;XI Cai-ping;SHEN Zhong-yuan;ZHAO Jing-hui;WU Hong-jing

Online:2011-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响.结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或P型半导体.纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响.

中图分类号:

O469

李昭宁;王六定;王小冬;席彩萍;沈中元;赵景辉;吴宏景. 化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(1): 48-52.

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